题名 低负载调整率和低线性调整率的双环路LDO
1
作者
王兴 陈彦杰 李现坤 肖培 磊 宣志斌
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电源技术》
CAS
北大核心
2023年第9期1231-1234,共4页
文摘
提出一种具有电流环和电压环双环电路结构的低压差线性稳压器(LDO)。使用两个线性P沟道金属氧化物半导体(PMOS)管进行快速电流和电压调节,通过动态反馈环路、频率补偿电路、内置电容的设计使LDO具有随负载变化输出稳定、快速瞬态响应、高电源抑制比、过冲抑制、高集成度、小尺寸、低成本等优点。采用国内0.18μm标准工艺实现电路版图设计。仿真结果表明,该LDO具有低的线性调整率和低的负载调整率,比普通LDO的线性调整率和负载调整率分别降低了10%和16.7%。
关键词
双环电路 内置电容 快速瞬态响应
Keywords
dual-loop circuit built-in capacitor fast transient response
分类号
TM912
[电气工程—电力电子与电力传动]
题名 一种用于CPLD擦写寿命验证的设计
2
作者
顾小明 肖培 磊 唐勇
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2023年第9期11-16,共6页
文摘
近年来,国防等应用领域对电子元器件提出了国产化要求,自主设计的高性能复杂可编程逻辑器件(CPLD)应运而生。这些CPLD需要按照一定的标准流程进行筛选、考核,其中擦写寿命是一项重要的考核指标。阐述了采用集成开发环境及自动化测试机台对CPLD擦写寿命进行验证的不足之处,提出了一种CPLD擦写寿命验证装置的设计,经过实际检验,设计的装置稳定可靠,满足大批量器件的验证需求,提高了CPLD擦写寿命验证的效率。
关键词
JTAG接口 配置码格式 多工位 并行工作
Keywords
JTAG interface programming code format multiple test sites parallel working
分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种动态自偏置的低功耗无片外电容LDO
3
作者
王梓淇 黄少卿 肖培 磊 雷晓
机构
中国电子科技集团第五十八研究所
出处
《现代电子技术》
2023年第11期175-180,共6页
文摘
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。
关键词
低功耗LDO 过冲抑制电路 动态自偏置 瞬态响应 压差电压 结构转换
Keywords
low power LDO overshoot suppression circuit dynamic self⁃biasing transient response dropout voltage structure transformation
分类号
TN402-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种应用于EEPROM读出放大器的设计
被引量：2
4
作者
肖培 磊 胡小琴 刘建成
机构
中国电子科技集团第 中国原子能科学研究院(
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2017年第9期30-32,共3页
文摘
读出放大器是电可擦除非易失性存储器(EEPROM)中的关键模块,其读取速度决定了EEPROM的操作频率。基于国内先进的0.18μm工艺,对EEPROM放大器的基准电流源和比较器进行了分别设计,测试结果显示读出放大器的响应时间小于70 ns,可满足10 MHz的EEPROM存取速度的要求。
关键词
读出放大器 存储器 EEPROM 响应速度 操作频率 比较器
Keywords
sense amplifier memory EEPROM response speed operating frequency comparator
分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
题名 一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器设计
被引量：1
5
作者
肖培 磊 胡小琴 李竞春
机构
电子科技大学
出处
《电子与封装》
2010年第5期17-21,共5页
文摘
文中提出了一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器。该比较器包括预放大器、中间放大器、输出驱动级及共模电平缓冲器。整体开环设计,采用多级级联的形式以满足增益和速度的要求;采用输出失调消除技术进行失调校正;为了提高共模电平的驱动能力和缩短建立时间,采用分压电路加单位增益放大器的结构。基于3.3V电源电压、TSMC0.18μmCMOS工艺下,仿真结果表明,完全满足最高采样频率30MHz、10位精度的模数转换器要求。
关键词
比较器 缓冲器 失调校正 放大器
Keywords
comparator buffer offset canceling amplifier
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 基于自偏置结构的参考电流源电路
被引量：2
6
作者
李健 李现坤 孙峰 肖培 磊 宣志斌
机构
江南大学 中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2017年第10期31-35,共5页
文摘
在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC 0.18μm BCD CMOS工艺,使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明,在-55~125℃的温度范围内,该电路的输出电流变化不超过3%,并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。
关键词
参考电流源 自偏置电路 CADENCE
Keywords
reference current source self-bias circuit Cadence
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 具有低失调电压的新型灵敏放大器设计
被引量：2
7
作者
常红 封晴 陆生礼 肖培 磊 李娟
机构
中科芯集成电路有限公司 东南大学电子科学与工程学院
出处
《电子与封装》
2020年第5期34-38,共5页
基金
江苏省博士后科研资助计划项目(2019K117)。
文摘
由于器件尺寸越来越小,器件之间的失配越来越严重,由器件失配引起的失调电压对灵敏放大器性能的影响越来越大。针对此情况,根据灵敏放大器的工作原理,提出了一种具有失调电压自调整的灵敏放大器,通过增加校准支路来平衡灵敏放大器两边的放电速度,从而降低失调电压,减小其对灵敏放大器性能的影响。基于SMIC 65 nm CMOS工艺的后仿真结果显示,在电源电压1.2 V、TT工艺角、室温条件下,相比于传统的灵敏放大器,该新型灵敏放大器的失调电压的标准偏差降低了61.9%,SRAM的读关键路径延迟降低了25%。
关键词
SRAM 灵敏放大器 失调电压 自校准
Keywords
SRAM sense amplifier offset voltage self-calibration
分类号
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种Boost型/Cuk型DC-DC转换芯片设计
被引量：2
8
作者
黄少卿 李欢 徐勤媛 罗永波 宣志斌 肖培 磊
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2018年第12期16-20,共5页
文摘
设计了一款Boost型/Cuk型DC-DC转换芯片。该芯片采用峰值电流模式PWM控制方法实现输出电压的恒定,单个2 A、40 V功率开关管集成在芯片上。设计采用全新的单输入反馈环路,使该芯片既可配置成Boost型电压转换器又可配置成Cuk型电压转换器,实现正电压输出和负电压输出。芯片采用ASMC 0.35μm 5 V/60 V BCD工艺研制,电源电压范围2.5～30 V,最高工作频率2.5 MHz,典型应用为输入电压5 V,输出12 V、550 m A和-12 V、350 m A。芯片工作频率可通过外部时钟同步。
关键词
Boost型/Cuk型 DC-DC转换器 单输入反馈环路 时钟同步
Keywords
Boost type/Cuk type DC-DC converter single input feedback loop clock asynchronization
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 新型低功耗γ射线传感器检测电路设计
9
作者
宣志斌 肖培 磊 朱琪
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2015年第10期977-980,共4页
文摘
为了顺应辐射检测仪集成化和小型化的趋势,设计了一种新型低功耗γ射线传感器检测电路。该电路采用电容耦合式积分放大器加比较器的检测方式,配合单片机实现了数字化控制,有效扩大了电路的应用范围,具有隔离直流工作点,检测精度高的优点。测试结果表明:新型γ射线传感器检测电路满足设计指标要求,适用于核辐射检测系统。
关键词
Γ射线 传感器 检测电路
Keywords
y- ray sensor detector circuit
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种电路的静态损伤机理分析
被引量：1
10
作者
阮建新 肖培 磊
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2019年第1期44-47,共4页
文摘
介绍了电路静态电荷放电的三种模型,并对组件充电模型进行了详细介绍。对电路的失效现象进行分析,失效原因在于电路在组件充电模型下抗静态电荷损伤能力较弱,并提出了新的防电路静态损伤结构来解决组件充电模型下电路防静电能力不足的问题。
关键词
电路电荷放电 组件充电模型 驱动电路 失效分析
Keywords
ESD CDM driver circuit failure mechanism
分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 基于频率响应分析仪的电源阻抗测试
被引量：1
11
作者
高宁 常红 葛兴杰 肖培 磊
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2021年第5期16-19,共4页
基金
江苏省博士后科研资助计划(2019K117) 江苏省青年基金(BK20200167)。
文摘
电源系统阻抗是衡量直流电源系统稳定性的重要技术参数,对电源系统的设计与稳定性分析具有极大的现实意义。提出了一种基于频率响应分析仪的电源输出阻抗测试方法。设计了一种适配频率响应分析仪的压控电流源,可实现电源电路的阻抗测试。该测试系统结构简单,操作方便,精度较高。
关键词
输出阻抗 压控电流源 频率响应分析仪
Keywords
output impedance voltage-controlled current source frequency response analyzer
分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种新型无运放的带隙基准电路
被引量：1
12
作者
阮建新 肖培 磊
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2018年第4期10-12,共3页
文摘
设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在Cadence Spectre环境下进行了仿真。在5 V电源电压下,电源抑制比为79 d B,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。
关键词
带隙基准 无运放基准源 启动电路 负反馈
Keywords
bandgap voltage reference Op amp-less reference source start up circuit negative feedback
分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 一种基于FPGA的嵌入式块SRAM的设计
被引量：4
13
作者
胡小琴 赵建明 肖培 磊
机构
电子科技大学 中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2010年第6期15-18,共4页
文摘
文章中提出了一种应用于FPGA的嵌入式可配置双端口的块存储器。该存储器包括与其他电路的布线接口、可配置逻辑、可配置译码、高速读写电路。在编程状态下,可对所有存储单元进行清零,且编程后为两端口独立的双端存储器。当与FPGA其他逻辑块编程连接时,能实现FIFO等功能。基于2.5V电源电压、chart0.22μm CMOS单多晶五铝工艺设计生产,流片结果表明满足最高工作频率200MHz,可实现不同位数存储器功能。
关键词
存储器 FPGA 嵌入式
Keywords
memory FPGA embedded
分类号
TN702
[电子电信—电路与系统]
