提出了一种基于奇偶模初始相位差因子调控的新型Ince-Gaussian(IG)光束,即PIG(Ince-Gaussian beam with phase difference)光束。对传统IG光束偶模施加具有初始相位差φ的e指数相位因子,将偶模与奇模进行线性叠加后得到了PIG光束。在其...提出了一种基于奇偶模初始相位差因子调控的新型Ince-Gaussian(IG)光束,即PIG(Ince-Gaussian beam with phase difference)光束。对传统IG光束偶模施加具有初始相位差φ的e指数相位因子,将偶模与奇模进行线性叠加后得到了PIG光束。在其他参数相同的条件下,重点研究了初始相位差调控因子对PIG光束空间模式的调控特性。数值模拟和实验结果表明:当参数φ在0到π区间上连续取值时,可实现正负涡旋PIG光束的连续变换;当φ=π/2时,中间状态涡旋消失;调节φ使其为π的整数倍,可以实现正负涡旋模式的跳变切换;当调节φ为π的半整数倍时,该光束可实现光瓣在椭圆轨迹上的精确位移控制。PIG光束为微粒操纵及光束微雕刻等领域提供了额外的调控自由度。展开更多
本团队通过基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统地研究了HfSe2/PtSe2范德瓦尔斯异质结(van der Waals heterostructures,vdWHs)的电子性质,包括堆垛方式、层间耦合、应变和外电场的影响.发现堆垛方式可以调节能带对齐类型--AA,AB′...本团队通过基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统地研究了HfSe2/PtSe2范德瓦尔斯异质结(van der Waals heterostructures,vdWHs)的电子性质,包括堆垛方式、层间耦合、应变和外电场的影响.发现堆垛方式可以调节能带对齐类型--AA,AB′和AC′堆垛时为Ⅱ型,AB,AC,AA′则为Ⅰ型.在六种堆垛方式中,AA堆垛是最稳定的,其层间距为2.87A,带隙为1.0 eV,Ⅱ型的能带对齐方式有利于电子-空穴载流子的分离.进一步的计算表明,HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结的电子性质可以通过垂直应变和双轴面内应变有效调节:在施加应变或改变层间距后,可以在HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结中观察到从Ⅱ型到Ⅰ型能带对齐类型的转变;不仅如此,压缩应变和层间耦合还可以有效调控异质结的带隙大小.本研究将为未来HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结在纳米电子及光电设备中的应用提供理论基础.展开更多
文摘提出了一种基于奇偶模初始相位差因子调控的新型Ince-Gaussian(IG)光束,即PIG(Ince-Gaussian beam with phase difference)光束。对传统IG光束偶模施加具有初始相位差φ的e指数相位因子,将偶模与奇模进行线性叠加后得到了PIG光束。在其他参数相同的条件下,重点研究了初始相位差调控因子对PIG光束空间模式的调控特性。数值模拟和实验结果表明:当参数φ在0到π区间上连续取值时,可实现正负涡旋PIG光束的连续变换;当φ=π/2时,中间状态涡旋消失;调节φ使其为π的整数倍,可以实现正负涡旋模式的跳变切换;当调节φ为π的半整数倍时,该光束可实现光瓣在椭圆轨迹上的精确位移控制。PIG光束为微粒操纵及光束微雕刻等领域提供了额外的调控自由度。
文摘本团队通过基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统地研究了HfSe2/PtSe2范德瓦尔斯异质结(van der Waals heterostructures,vdWHs)的电子性质,包括堆垛方式、层间耦合、应变和外电场的影响.发现堆垛方式可以调节能带对齐类型--AA,AB′和AC′堆垛时为Ⅱ型,AB,AC,AA′则为Ⅰ型.在六种堆垛方式中,AA堆垛是最稳定的,其层间距为2.87A,带隙为1.0 eV,Ⅱ型的能带对齐方式有利于电子-空穴载流子的分离.进一步的计算表明,HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结的电子性质可以通过垂直应变和双轴面内应变有效调节:在施加应变或改变层间距后,可以在HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结中观察到从Ⅱ型到Ⅰ型能带对齐类型的转变;不仅如此,压缩应变和层间耦合还可以有效调控异质结的带隙大小.本研究将为未来HfSe_(2)/PtSe_(2)异质结在纳米电子及光电设备中的应用提供理论基础.
