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一种新的SOI制备技术:H^+离子注入、键合和分离
被引量：
6
1
作者
竺
士
场
张苗
+3 位作者
林成鲁
黄宜平
吴东平
李金华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第9期706-709,共4页
H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（...
H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．
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关键词
SOI制备技术
硅片
离子注入
键合
分离
下载PDF
职称材料
题名
一种新的SOI制备技术:H^+离子注入、键合和分离
被引量：
6
1
作者
竺
士
场
张苗
林成鲁
黄宜平
吴东平
李金华
机构
复旦大学电子工程系
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
江苏石油化工学院
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第9期706-709,共4页
文摘
H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．
关键词
SOI制备技术
硅片
离子注入
键合
分离
Keywords
Hydrogen
Ion implantation
Semiconducting silicon
Silicon on insulator technology
Silicon wafers
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.3
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种新的SOI制备技术:H^+离子注入、键合和分离
竺
士
场
张苗
林成鲁
黄宜平
吴东平
李金华
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
6
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