亚微米光刻与刻蚀工艺研究 被引量：2

1

作者 余山 章定康 黄敞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期22-25,共4页

采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。

关键词 微电子技术 光刻 刻蚀 工艺

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用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺 被引量：2

2

作者 章定康 余山 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1994年第1期46-48,51,共4页

本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了沟道长度为０．５μｍ的ＣＭＯＳ２７级环振电路，门延迟为１７０ｎｓ．

关键词 轻掺杂漏 亚微米 CMOS MOS器件

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等离子刻蚀二氧化硅 被引量：3

3

作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期38-40,共3页

本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向异性均较好。

关键词 等离子刻蚀 二氧化硅 细细加工 LDD

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轻掺杂漏(LDD)MOS FET工艺研究 被引量：2

4

作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期33-35,共3页

本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOS FET.测试结果表明,轻掺杂漏MOS FET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度也较快。

关键词 MOSFET LDD MOS器件 场效应器件

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反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究 被引量：1

5

作者 余山 章定康 黄敝 《电子工艺技术》 1991年第5期17-19,共3页

反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。

关键词 微细加工 离子刻蚀 SIN 集成电路

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三层胶工艺研究及其在IC's中的应用 被引量：1

6

作者 余山 章定康 黄敞 《微细加工技术》 1992年第1期59-64,共6页

在现有国产光刻设备的基础上,研制成功了能够复印出亚微米图形的三层胶工艺,并用于制作亚微米电路。

关键词 三层胶工艺 集成电路 应用

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亚微米自对准硅化钛CMOS工艺 被引量：1

7

作者 余山 章定康 黄敞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期78-79,86,共3页

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。

关键词 集成电路 硅化钛 CMOS工艺 亚微米

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轻掺杂漏LDDMOS FET的BV_(DS)与低级击穿电压 被引量：1

8

作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第1期36-38,共3页

本文对测试的LDD结构BV_(DS)和低级击穿电压进行了分析。结果表明,BV_(DS)与低级击穿电压的机理完全不一样,常规MOSFET的衬底电流解析式应用于LDD MOSFET时需要进行修正。

关键词 LDDMOSFET BVDS 击穿电压 MOS器件

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亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制 被引量：1

9

作者 余山 章定康 黄敞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期423-429,共7页

本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.

关键词 集成电路 优化 掺杂 分布 设计

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1μm高速CMOS容错时钟接收器电路的研制 被引量：1

10

作者 余山 章定康 +1 位作者 杨樱华 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第7期38-39,共2页

采用新的设计规则与先进的自对准硅化钛LDD CMOS工艺,研制成功了相当于1386主频的1μm、25MHz高速容错时钟接收器电路.

关键词 电路设计 容错 时钟 接收器 CMOS

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0.8μm LDD CMOS RELIABILITY EXPERIMENTS AND ANALYSIS

11

作者 余山 章定康 黄敞 《Journal of Electronics(China)》 1995年第1期84-89,共6页

The numerical simulation of two dimensional device is conducted to describe the mechanism of the special substrate current and degradation of submicron LDD structure observed in experiments, and finally, the optimum p... The numerical simulation of two dimensional device is conducted to describe the mechanism of the special substrate current and degradation of submicron LDD structure observed in experiments, and finally, the optimum processes for submicron LDD CMOS are proposed. 展开更多

关键词 SUBMICRON LDD DEVICE Simulation RELIABILITY

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侧墙工艺研究及其在集成电路中的应用

12

作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第2期40-42,共3页

本文对氮化硅侧墙、LPCVD SiO_2侧墙及3层结构多晶硅侧墙工艺进行了研究,并讨论了这些侧墙工艺在集成电路中的应用。

关键词 集成电路 侧墙工艺

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高速BiCMOS工艺研究

13

作者 许忠义 章定康 沈文正 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第3期1-5,共5页

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此... 研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门． 展开更多

关键词 BICMOS 工艺 双极晶体管

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反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用

14

作者 余山 章定康 黄敞 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期74-78,共5页

本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。

关键词 多晶硅 集成电路 工艺 离子刻蚀

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集成电路中的MOSFET栅控电阻

15

作者 张屏英 雷俊钊 章定康 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第4期36-38,共3页

工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采... 工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采用等沟道长度单元MOSFET串联和交叉布局的平衡结构,保证工艺一致.由此制得了线性好、动态范围宽、可调范围大的兆欧级有源电阻. 展开更多

关键词 模拟集成电路 栅控 电阻

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0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析

16

作者 余山 章定康 黄敞 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第4期402-406,共5页

针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。

关键词 模拟 可靠性 LDD结构 电子器件

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采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压

17

作者 章定康 余山 +1 位作者 孙有民 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第5期46-48,共3页

采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路... 采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps. 展开更多

关键词 CMOS 亚微米 离子注入 阈值电压

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中间退火氩气稀释HCI氧化制备超薄SiO_2介质

18

作者 湾福祥 章定康 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期44-46,共3页

本文详细分析了影响制备高质量超薄SiO_2介质的主要因素,找到了制备超薄SiO_2介质的较佳工艺,即中间退火氩气稀释氯化氢氧化法,用该方法制备的100～120(?)超薄SiO_2介质平均击穿强度达12MV/cm.

关键词 超薄二氧化硅介质 中间退火氩气稀释氯化氢氧化法 半导体器件 掺杂

全文增补中

用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺

19

作者 章定康 余山 +1 位作者 孙有民 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第7期40-42,47,共4页

本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功... 本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。 展开更多

关键词 自对准 硅化钛 溅射 亚微米 CMOS

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浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用

20

作者 余山 章定康 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期317-320,共4页

采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N^+/P结和0.17μm P^+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。

关键词 离子注入 浅结 MOS集成电路 应用

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