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化学植筋力学研究的进展评述
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作者 石巧曼 田锦邦 翟会宾 《山西科技》 2012年第4期76-77,共2页
总结了国内外研究人员对化学植筋可靠性进行的大量静力拉拔试验、动载荷试验及计算机模拟的研究成果,指出了对该项技术研究的不足之处,提出利用ANSYS-LSDYNA强大的有限元分析及数值模拟功能开展植筋动力学研究的可行性及进一步研究的方向。
关键词 化学植筋 动载荷 数值模拟
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维护周期对8英寸薄层Si外延片性能的影响 被引量：1
2
作者 米姣 薛宏伟 +4 位作者 袁肇耿 吴晓琳 张佳磊 张双琴 石巧曼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期874-879,904,共7页
研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室... 研究了采用某款单片外延设备批量生长8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层Si外延片时芯片性能参数的变化。研究发现随着设备预防性维护(PM)后使用天数的增加,外延层厚度不均匀性变化很小,电阻率不均匀性逐渐增大,边缘过渡区逐渐加长,注入反应腔室的掺杂量必须不断减少才能保持外延层电阻率稳定。通过研究PM后不同天数外延片制备肖特基势垒二极管(SBD)的击穿电压发现,外延片不同区域制备的SBD击穿电压差随PM后天数的增加而增加。通过增加外延片边缘厚度,提高了PM后期外延片边缘区域制备SBD的击穿电压,击穿电压最大值与最小值之差从4.34 V减小到2.88 V,满足客户使用要求。 展开更多
关键词 薄层硅外延片 电阻率 过渡区 击穿电压 不均匀性 维护周期
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