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980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计
被引量：
5
1
作者
张莹
宋爱民
王培
界
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012年第2期212-216,221,共6页
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organ...
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。
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关键词
单量子阱
压应变
AL组分
金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)
转换效率
原文传递
硅基热沉大功率LED封装阵列散热分析
被引量：
4
2
作者
张靖
钟冬梅
+1 位作者
王培
界
王品红
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期495-497,520,共4页
为求解硅基热沉大功率LED封装阵列在典型工作模式下的热传导情况,采用Solidworks建立了2×2封装阵列的三维模型,模拟了其温度场分布,同时结合传热学基本原理分析计算了模型各部分的温度值,并对实际工艺制备出的封装器件的结温进行...
为求解硅基热沉大功率LED封装阵列在典型工作模式下的热传导情况,采用Solidworks建立了2×2封装阵列的三维模型,模拟了其温度场分布,同时结合传热学基本原理分析计算了模型各部分的温度值,并对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
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关键词
大功率LED
热传导
热分析
SOLIDWORKS
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职称材料
1310nm大功率低噪声DFB激光器设计
被引量：
2
3
作者
冯琛
张靖
+2 位作者
田坤
王培
界
黄茂
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期577-580,632,共5页
对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激...
对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。
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关键词
大功率
低RIN
非对称SCH
DFB激光器
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职称材料
980nm半导体激光器高反膜的优化设计
4
作者
张莹
宋爱民
王培
界
《数字通信》
2011年第4期92-94,97,共4页
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分...
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
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关键词
半导体激光器
高反膜
薄膜激光损伤阈值
归一化电场强度
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职称材料
题名
980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计
被引量：
5
1
作者
张莹
宋爱民
王培
界
机构
重庆邮电大学光电工程学院
重庆教育学院图书馆
重庆光电技术研究所
出处
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012年第2期212-216,221,共6页
文摘
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。
关键词
单量子阱
压应变
AL组分
金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)
转换效率
Keywords
single quantum well（SQW）
compressive strained
Al composition
metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）
conversion efficiency
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硅基热沉大功率LED封装阵列散热分析
被引量：
4
2
作者
张靖
钟冬梅
王培
界
王品红
机构
重庆光电技术研究所
重庆邮电大学光电工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期495-497,520,共4页
文摘
为求解硅基热沉大功率LED封装阵列在典型工作模式下的热传导情况,采用Solidworks建立了2×2封装阵列的三维模型,模拟了其温度场分布,同时结合传热学基本原理分析计算了模型各部分的温度值,并对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与热仿真结果基本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。
关键词
大功率LED
热传导
热分析
SOLIDWORKS
Keywords
high-power LED
heat conduction
thermal analysis
Solidworks
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
1310nm大功率低噪声DFB激光器设计
被引量：
2
3
作者
冯琛
张靖
田坤
王培
界
黄茂
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期577-580,632,共5页
文摘
对工作波长为1 310nm的大功率低噪声DFB激光芯片结构进行了优化设计。分别对具有相同非对称分别限制层（SCH）外延层的掩埋异质结构（BH）和脊波导结构（RWG）进行了建模仿真。计算结果表明：非对称SCH结构较对称SCH结构,可明显提高激光输出功率;相比于RWG结构,BH结构对载流子有更好的限制作用,从而降低相对强度噪声（RIN）。优化设计后的DFB激光器输出功率高达207mW@600mA,斜率效率为0.36W/A,边模抑制比为50dB,在1~30GHz范围内,激光器的相对强度噪声小于-160dB/Hz。
关键词
大功率
低RIN
非对称SCH
DFB激光器
Keywords
high power
low RIN
asymmetric SCH
DFB LD
分类号
TN242 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
980nm半导体激光器高反膜的优化设计
4
作者
张莹
宋爱民
王培
界
机构
重庆邮电大学光电工程学院
重庆教育学院
重庆光电技术研究所
出处
《数字通信》
2011年第4期92-94,97,共4页
文摘
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
关键词
半导体激光器
高反膜
薄膜激光损伤阈值
归一化电场强度
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计
张莹
宋爱民
王培
界
《重庆邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2012
5
原文传递
2
硅基热沉大功率LED封装阵列散热分析
张靖
钟冬梅
王培
界
王品红
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
下载PDF
职称材料
3
1310nm大功率低噪声DFB激光器设计
冯琛
张靖
田坤
王培
界
黄茂
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
4
980nm半导体激光器高反膜的优化设计
张莹
宋爱民
王培
界
《数字通信》
2011
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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