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Al_(0.85)Ga_(0.15)As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究 被引量：3
1
作者 陈晓杰 李爱珍 +2 位作者 王嘉宽 胡雨生 汪乐 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期339-341,345,共4页
报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去... 报道了优化的p -n型Al0 .85Ga0 .15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作正面栅线和背面电极 ,并分别在 4 50℃和 3 50℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4 OH :H2 O2 :H3PO4 :H2 O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2 双层复合减反射层。测试结果表明 ,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了明显提高。 展开更多
关键词 太阳能电池 ALGAAS/GAAS 工艺优化 电子器件
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Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
2
作者 周健 夏冠群 +3 位作者 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第2期187-190,共4页
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以... 对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 展开更多
关键词 退火 热扩散 薄膜电阻 SI衬底 Ta-N/Cu薄膜
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弹好音阶的一点窍门
3
作者 王嘉宽 《琴童》 2002年第8期42-43,共2页
关键词 音阶 少年儿童 教学 弹奏窍门 钢琴 钢琴作品
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浅谈肉松的加工工艺
4
作者 王嘉宽 陈士庆 《肉类工业》 1991年第5期24-25,共2页
我厂生产的《黄桥牌肉松》是江苏省和商业部优质产品。其特点是:纤维疏松呈绒丝状,色泽金黄带有光泽,食之油重酥润、咸甜爽口。生产肉松的加工工艺如下: 一、原料选择选用经兽医检验合格的新鲜猪后腿肉、夹心精肉或冷冻分割肉。
关键词 肉松 加工工艺 猪肉松
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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声特性分析 被引量：5
5
作者 盛怀茂 王嘉宽 +2 位作者 高启安 夏冠群 赵建龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期26-29,共4页
分析了第一激发态在势垒以上的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 量子阱红外探测器中存在的几种基本噪声，
关键词 噪声特性 红外探测器 量子阱 超晶格
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