目的研究不同强度静磁场暴露对大鼠纹状体多巴胺神经元D2受体和多巴胺转运体表达的影响。方法二级Wistar雄性大鼠48只随机分为对照组(C)、低剂量组(50 m T)、中剂量组(100 m T)和高剂量组(200 m T),采用中科院电工研究所研制的超导磁体...目的研究不同强度静磁场暴露对大鼠纹状体多巴胺神经元D2受体和多巴胺转运体表达的影响。方法二级Wistar雄性大鼠48只随机分为对照组(C)、低剂量组(50 m T)、中剂量组(100 m T)和高剂量组(200 m T),采用中科院电工研究所研制的超导磁体系统,将大鼠进行全身暴露,1 h/d,连续暴露15 d。分别于暴露第1 d、5 d、10 d和15 d活杀取脑纹状体组织,制作石蜡切片,免疫组织化学SP法检测纹状体中多巴胺D2受体和多巴胺转运体的表达并进行定量分析。结果暴露第10 d,多巴胺D2受体于中、高剂量组神经元细胞膜表达显著降低(P<0.01),暴露第15 d,低、中、高剂量组神经元细胞膜表达均显著降低(P<0.01);多巴胺转运体于磁场暴露第5 d、10 d、15 d,高剂量组神经元细胞膜和胞浆内表达显著升高(P<0.05)。结论中强静磁场暴露可致大鼠纹状体多巴胺D2受体表达降低和多巴胺转运体表达升高。展开更多
