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PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文） 被引量：2
1
作者 陈芳 方铉 +7 位作者 王双鹏 牛守柱 方芳 房丹 唐吉龙 王晓华 刘国军 魏志鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第4期212-215,共4页
研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表... 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。 展开更多
关键词 氮化铝 等离子增强原子层沉积 生长速率 结晶化 表面粗糙度 沉积温度
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快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响 被引量：1
2
作者 智民 方铉 +6 位作者 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期335-341,共7页
研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰... 研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。 展开更多
关键词 材料 GAAS/ALGAAS 量子阱 互扩散 快速热退火
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X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用
3
作者 关志强 唐吉龙 +6 位作者 魏志鹏 牛守柱 方铉 房丹 王登魁 贾慧民 王晓华 《材料科学》 2018年第1期37-44,共8页
X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段,广泛应用于半导体薄膜,超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述了X射线双晶衍射在分析薄膜晶体质量,合金组分,超晶格膜厚,应变中的应用,对于半导体激光器而言,这些参数的... X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段,广泛应用于半导体薄膜,超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述了X射线双晶衍射在分析薄膜晶体质量,合金组分,超晶格膜厚,应变中的应用,对于半导体激光器而言,这些参数的精确测定,对指导高质量器件的开发与研制具有重要意义。 展开更多
关键词 X射线双晶衍射 晶体质量 超晶格 应变
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