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T形电极晶体管 被引量：2
1
作者 张树丹 王因生 +2 位作者 陈统华 谭卫东 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期129-134,共6页
叙述了一种制作双极型晶体管的T形电极结构自对准工艺。利用该工艺已研制成微波T形电极晶体管(TSET)。最高振荡频率为10GHz,截止频率为6GHz;在3.2GHz下,输出功率1.1W,功率增益6dB。
关键词 双极型晶体管 T形电极 工艺
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氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
2
作者 王因生 熊承堃 +4 位作者 盛文伟 张晓明 汪建元 茅保华 朱恩均 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期109-110,共2页
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时... 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。 展开更多
关键词 微波 晶体管 氢化 非晶硅 发射极
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Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
3
作者 王因生 盛文伟 +3 位作者 汪建元 张晓明 熊承堃 朱恩均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期475-478,共4页
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(... 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管. 展开更多
关键词 Si/a-Si:H 微波 双极晶体管
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用PECVD法制备非晶态GaP薄膜
4
作者 徐剑虹 盛文伟 +2 位作者 熊承堃 朱恩均 陈坤基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期122-123,共2页
非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合... 非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索. 展开更多
关键词 非晶态 GaP薄膜 制备 PECVD法
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物理常数q、ε_0、本质之研究
5
作者 熊承堃 刘良俊 《发明与革新》 2001年第12期36-38,共3页
关键词 近代物理学 ε0 H 物理常数 Q
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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量：1
6
作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质结 研制 锗硅区
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L波段100W硅脉冲功率晶体管
7
作者 谭卫东 张纪生 +6 位作者 熊承堃 王因生 张树丹 刘六亭 郑承志 陈统华 陈正东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期184-184,共1页
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
关键词 功率晶体管 P波段 脉冲输出
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