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基底均匀和梯度掺杂下EBCMOS电荷收集效率的优化模拟
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作者 焦岗 宋德 +3 位作者 闫磊 肖超 李野 陈卫军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期154-161,共8页
为获得高增益的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,根据载流子输运理论,采用蒙特卡罗方法,研究了EBCMOS基底在不同掺杂方式和结构参数下的电荷收集效率。结果表明:当基底均匀掺杂时,减小掺杂浓度、降低基底厚度及缩小近贴距离可以有效提... 为获得高增益的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,根据载流子输运理论,采用蒙特卡罗方法,研究了EBCMOS基底在不同掺杂方式和结构参数下的电荷收集效率。结果表明:当基底均匀掺杂时,减小掺杂浓度、降低基底厚度及缩小近贴距离可以有效提高电荷收集效率;当基底梯度掺杂时,减小重掺杂浓度区域的范围,可以有效提高电荷收集效率。仿真优化后器件的电荷收集效率最高可达到86.28%,为国产EBCMOS器件的研制提供了理论支撑。 展开更多
关键词 光学器件 夜视技术 电子轰击型CMOS 电荷收集效率 梯度掺杂
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532 nm响应增强的AlGaAs光电阴极
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作者 王东智 张益军 +8 位作者 李诗曼 童泽昊 唐嵩 石峰 焦岗 程宏昌 富容国 钱芸生 曾玉刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期368-376,共9页
AlGaAs光电阴极具有响应速度快和光谱响应范围可调的特性,可被应用于水下光通信领域.为了解决AlGaAs发射层较低的光吸收限制其量子效率提高的问题,利用分布式布拉格反射镜(DBR)结构对特定波长光的反射作用,将透过光重新反射回发射层进... AlGaAs光电阴极具有响应速度快和光谱响应范围可调的特性,可被应用于水下光通信领域.为了解决AlGaAs发射层较低的光吸收限制其量子效率提高的问题,利用分布式布拉格反射镜(DBR)结构对特定波长光的反射作用,将透过光重新反射回发射层进一步提高吸收率,从而增强阴极在532 nm波长处的响应能力.通过求解一维连续性方程,建立了具有DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应模型.采用时域有限差分法,分析了DBR结构中子层周期对数、子层材料以及发射层、缓冲层厚度对发射层吸收率的影响,对比了有无DBR结构AlGaAs光电阴极的光吸收分布.结果表明,周期对数为20、子层材料为Al_(0.7)Ga_(0.3)As/AlAs的DBR结构对532 nm光的反射效果最优.基于该DBR结构,发射层和缓冲层厚度分别为495 nm和50 nm时,发射层对532 nm光具有最佳吸收率.通过对外延生长的AlGaAs光电阴极进行激活实验,结果表明具有DBR结构的AlGaAs光电阴极在532 nm波长处的光谱响应率相比无DBR结构的AlGaAs光电阴极光谱响应率提升了约1倍. 展开更多
关键词 AlGaAs光电阴极 分布式布拉格反射镜 光谱响应 光吸收
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电离效应对EBCMOS中电子倍增层增益的影响研究
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作者 陈文娥 陈卫军 +7 位作者 宋德 焦岗 李野 赵鹏 李书涵 王重霄 梁荣轩 岳纪鹏 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期222-227,共6页
采用蒙特卡罗模拟方法研究了电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)成像器件中高能电子轰击半导体时产生的电离效应对电荷收集效率和电子倍增层增益的影响。分析了入射电子能量、p型衬底层掺杂浓度、电子倍增层和钝化层厚度对电荷收集... 采用蒙特卡罗模拟方法研究了电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)成像器件中高能电子轰击半导体时产生的电离效应对电荷收集效率和电子倍增层增益的影响。分析了入射电子能量、p型衬底层掺杂浓度、电子倍增层和钝化层厚度对电荷收集效率和增益的影响。结果表明,增加入射电子能量(小于4keV)、减小电子倍增层和钝化层厚度、降低掺杂浓度等是提高电荷收集效率和电子倍增层增益的有利途径,可为获得高增益的EBCMOS器件提供理论支撑。 展开更多
关键词 电子轰击互补金属氧化物半导体 电离效应 电荷收集效率 增益
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原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用 被引量:4
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作者 王志育 焦岗 樊慧庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F05期220-222,共3页
讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前... 讲述原子层沉积技术原理与特点的同时,进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同;综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展,前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点;最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。 展开更多
关键词 原子层沉积 铁电薄膜 原理与应用
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改进“yo-yo”Cs/O交替激活方法对GaAs光阴极稳定性影响 被引量:3
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作者 焦岗 张锴珉 +5 位作者 张益军 郭欣 石峰 程宏昌 闫磊 詹晶晶 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期293-300,共8页
为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进“yo-yo”... 为提高激活后GaAs光阴极的稳定性,延长微光夜视器件的工作寿命,围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异,发现采用改进“yo-yo”激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好。利用四极质谱仪监测真空腔内残气成分和分压强变化,基于衰减模型拟合光电流实验曲线,求得不同残气成分对GaAs光阴极性能衰减影响的权重因子。结果表明水蒸气和二氧化碳的影响最大,甲烷和一氧化碳次之,氢气几乎不产生影响,而其它碳氢有机分子也会产生负面影响。总体看来,改进的“yo-yo”激活法对GaAs光阴极表面吸附含氧气体分子造成的性能衰减具有明显的改善效果,这将有助于提高微光夜视器件中GaAs光阴极的稳定性。 展开更多
关键词 GaAs光阴极 Cs/O激活 残余气体 稳定性 光谱响应
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基于扫描聚焦XPS技术的InGaAs表面清洁研究 被引量:3
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作者 荣敏敏 张益军 +5 位作者 李诗曼 焦岗 刘伟鑫 王自衡 舒昭鑫 钱芸生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期125-133,共9页
为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线... 为了获得清洁度更高的InGaAs材料表面,利用氢氟酸溶液、盐酸与水的混合溶液、盐酸与异丙醇的混合溶液,研究了化学清洗方法对材料表面碳污染物和氧化物的去除效果,并在此基础上提出了一种与紫外臭氧清洗相结合的方法。利用扫描聚焦X射线光电子能谱技术,对不同方法清洗后的InGaAs样品表面进行分析,基于样品表面产生的二次电子图像,对表面进行了微区特征分析,精准检测了表面化学成分和表面被腐蚀程度。分析发现,基于氢氟酸溶液的刻蚀会严重腐蚀样品表面,破坏表面结构和成分,而结合了紫外臭氧清洗的基于盐酸和异丙醇混合溶液的刻蚀对样品表面具有更好的清洁效果,能够更好地去除表面的碳污染物和氧化物。 展开更多
关键词 材料 InGaAs材料 扫描聚焦X射线 表面污染 化学清洗
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InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱 被引量:2
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作者 李姗 张益军 +5 位作者 荣敏敏 李诗曼 石峰 焦岗 王自衡 钱芸生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期199-206,共8页
为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验。通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后... 为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验。通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后的InGaAs样品表面进行原位分析,检测不同温度点下表面杂质的脱附程度和化学元素组成变化。结果表明,样品表面的碳污染物和氧化物在625℃时都被完全去除,获得原子级清洁表面,但此时In元素会出现挥发现象,导致材料表面In含量降低,会使InGaAs材料的红外响应特性不明显,因此600℃被认为是最佳加热温度。结合原位紫外光电子能谱发现二次电子截止边随着温度的升高不断向高结合能的位置偏移,这表明高温净化能有效降低表面功函数值,而Cs/O激活能进一步降低表面功函数值,获得负电子亲和势,提高InGaAs光电阴极的近红外光电发射性能。 展开更多
关键词 材料 InGaAs光电阴极 光电子能谱 高温净化 铯/氧激活
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铌酸锶钡陶瓷的固相烧结行为与结构演化研究
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作者 王炜 张洁 +1 位作者 焦岗 樊慧庆 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第3期333-334,共2页
采用不同前驱体:Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,Nb2O5(NSBN70)和SrCO3,BaCO3,Nb2O5(CSBN70)用传统烧结方法制备Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷。通过XRD、SEM实验手段,研究了硝酸盐前驱体制备过程中烧结温度和烧结时间对结构演化的影响。对比了不同前驱体制备... 采用不同前驱体:Sr(NO3)2,Ba(NO3)2,Nb2O5(NSBN70)和SrCO3,BaCO3,Nb2O5(CSBN70)用传统烧结方法制备Sr0.7Ba0.3Nb2O6陶瓷。通过XRD、SEM实验手段,研究了硝酸盐前驱体制备过程中烧结温度和烧结时间对结构演化的影响。对比了不同前驱体制备SBN70陶瓷的显微结构。实验结果显示:采用硝酸盐前驱体,1400℃下烧结4h可得到纯SBN70相;1375℃烧结6h得到纯SBN70相。与碳酸盐前驱体相比,NSBN70呈现出双结构,比CSBN70易于出现异常晶粒长大。 展开更多
关键词 铌酸锶钡陶瓷 前驱体 烧结行为 显微结构.
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基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法 被引量:1
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作者 王霞 张鑫 +3 位作者 焦岗 杨晔 程宏昌 延波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期362-371,共10页
针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的... 针对微光夜视条件下增强型CMOS(ICMOS)图像信噪比低、随机噪声明显的问题,提出了一种基于双残差注意力网络的ICMOS图像去噪算法。为了制作ICMOS噪声图像数据集,采用ICMOS相机在特定照度环境下拍摄静态噪声图像序列,然后采用多帧平均的方法获得每个序列对应的无噪声真值图像;其次,为了直接从噪声图像中提取噪声分量,设计了一种结合噪声残差学习和残差网络模块的双残差网络模型,并引入通道注意力机制给模型的特征图维度赋予权重,在提升模型学习能力的同时降低了模型复杂度;最后,采用网络训练所得模型对测试图像进行去噪实验。对比实验结果表明,本文提出的算法得到的峰值信噪比较经典的BM3D算法提升了9.56 dB,结构相似度提升了0.0503。从主观效果可以看出,本文算法可以更好地去除ICMOS图像噪声,保留图像细节,同时,具有较高的运行效率。 展开更多
关键词 微光夜视 ICMOS图像 图像去噪 残差学习 注意力机制
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等离子辅助电子束蒸发La_2O_3薄膜的制备
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作者 杨陈 樊慧庆 +1 位作者 焦岗 惠迎雪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期928-930,共3页
采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜... 采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向。对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右。 展开更多
关键词 La2O3薄膜 等离子辅助电子束蒸发 薄膜结构 Ⅰ-Ⅴ矿特性 透过率
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Temporal response of laminated graded-bandgap GaAs-based photocathode with distributed Bragg reflection structure:Model and simulation
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作者 Zi-Heng Wang Yi-Jun Zhang +7 位作者 Shi-Man Li Shan Li Jing-Jing Zhan Yun-Sheng Qian Feng Shi Hong-Chang Cheng Gang-Cheng Jiao Yu-Gang Zeng 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第9期628-635,共8页
To describe the dynamic response characteristics of the laminated graded-bandgap GaAs-based photocathode with distributed Bragg reflection structure,a general theoretical temporal response model is deduced by combinin... To describe the dynamic response characteristics of the laminated graded-bandgap GaAs-based photocathode with distributed Bragg reflection structure,a general theoretical temporal response model is deduced by combining the unsteady continuity equation and numerical calculation method.Through the model,the contribution of the distribution Bragg reflec-tion structure and graded-bandgap emission layer to the temporal response are investigated.Meanwhile,the relationships between the temporal response characteristics of the laminated GaAs-based photocathode and different structural parame-ters are also analyzed,including average electron decay time,emission layer thickness,and incident light wavelength.It is found that the introduction of distribution Bragg reflection(DBR)layer solves the discrepancy between the absorption capability of the emission layer and the temporal response.Moreover,the distributed Bragg reflection layer can improve the time response by optimizing the initial photoelectron distribution.The improvement effect of the DBR layer on the temporal response is enhanced with the emission layer thickness decreasing or the incident light wavelength increasing.These results explain the effect of the DBR layer of the photocathode on the dynamic characteristics,which can offer a new insight into the dynamic research of GaAs-based photocathode. 展开更多
关键词 temporal response GaAs-based photocathode distribution Bragg reflection graded-bandgap
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低照度下六基色微光融合的彩色成像方法研究 被引量:1
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作者 焦祉衡 李野 +1 位作者 陶冶 焦岗 《图像与信号处理》 2021年第2期49-60,共12页
为突破低照度条件下传统三基色成像器件光谱利用率低的限制,本文提出了一种低照度下六基色微光融合的彩色成像方法,借鉴虾蛄复眼结构的十二原色色谱感光模型,优化并确定适用于彩色微光成像的六基色虾蛄眼仿生色谱体系;完成六基色滤光片... 为突破低照度条件下传统三基色成像器件光谱利用率低的限制,本文提出了一种低照度下六基色微光融合的彩色成像方法,借鉴虾蛄复眼结构的十二原色色谱感光模型,优化并确定适用于彩色微光成像的六基色虾蛄眼仿生色谱体系;完成六基色滤光片参数设计,且加入可见光波段全透滤光片以提高成像灵敏度;建立色彩传递模型,实现由六基色色域向RGB颜色空间的色谱映射;在微光实验室中完成多波段微光图像的采集,设计相应算法并实现,完成多波段微光图像融合与图像质量及色彩还原度评价。评价结果表明,本文提出的低照度下六基色微光融合的彩色成像方法能够提高可见光光谱利用率,进而得到清晰、高信噪比、颜色信息准确且丰富的真彩色夜视图像。 展开更多
关键词 真彩色夜视 多波段 图像融合 高信噪比 图像质量评价
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向短波红外延伸的微光夜视技术及其应用 被引量:6
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作者 郭晖 彭岔霞 +1 位作者 焦岗 黄建民 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期478-483,共6页
对传统的微光像增强器与向短波红外延伸的InGaAs光阴极像增强器进行了比较,分析了通过调节组分而使响应波段覆盖夜天光辐射主要波段的InGaAs材料特性,揭示了以InGaAs半导体材料为光阴极的像增强器将在夜间具有更高的量子效率和响应度。... 对传统的微光像增强器与向短波红外延伸的InGaAs光阴极像增强器进行了比较,分析了通过调节组分而使响应波段覆盖夜天光辐射主要波段的InGaAs材料特性,揭示了以InGaAs半导体材料为光阴极的像增强器将在夜间具有更高的量子效率和响应度。介绍了InGaAs器件技术的国内外研究现状,InGaAs光阴极微光器件在短波红外波段的辐射响应是传统像增强器的100~1 000倍,InGaAs全固态探测器可在0.4μm^1.7μm宽光谱成像,在0.9μm^1.7μm范围的量子效率大于80%,表明该器件在激光探测、远距离定位与跟踪、情报侦察、夜间辅助驾驶等方面可以获得广泛应用。 展开更多
关键词 夜视 短波红外 INGAAS 光阴极 微光像增强器
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低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究
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作者 闫磊 石峰 +7 位作者 程宏昌 焦岗 杨晔 肖超 樊海波 郑舟 董海晨 何惠洋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第3期342-346,共5页
针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化... 针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e-/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。 展开更多
关键词 暗电流 电子轰击 背减薄CMOS 氧化铝钝化层
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热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究 被引量:5
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作者 王生凯 靳川 +4 位作者 乔凯 焦岗 程宏昌 刘晖 苗壮 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第6期585-590,共6页
基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分... 基于真空光电阴极和背照式CMOS图像传感器研制了电子轰击CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对BSI-CMOS图像传感器在EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导,对BSI-CMOS图像传感器进行了100℃~325℃的变温热处理实验,着重分析了热处理后的BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise,FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration,SNR)随热处理温度的变化规律。实验结果表明:随着热处理温度的升高,样品器件的光响应输出信号值基本保持不变,当温度升高至325℃时,样品器件的固定模式噪声由32e.升高至246e.,随机噪声由51e.升高至70e.,信噪比由17.76dB降低至4.81dB,其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大,热处理温度达到325℃会导致BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低。 展开更多
关键词 EBCMOS 背照式CMOS图像传感器 热处理温度 信噪比
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数字微光器件研究进展 被引量:1
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作者 韩剑 焦岗 +5 位作者 闫磊 程宏昌 杨晔 雷石伟 樊海波 李桐桐 《应用光学》 CAS 北大核心 2023年第4期874-886,共13页
数字微光器件作为新一代微光夜视装备的核心器件,相比于传统真空微光器件因具有数字化输出的优势而备受各国重视。本文综述了低照度CCD(charge-coupled devices)/CMOS(complementary metal oxide semiconductor)、科学级CMOS、像增强型C... 数字微光器件作为新一代微光夜视装备的核心器件,相比于传统真空微光器件因具有数字化输出的优势而备受各国重视。本文综述了低照度CCD(charge-coupled devices)/CMOS(complementary metal oxide semiconductor)、科学级CMOS、像增强型CCD/CMOS、电子倍增CCD及电子轰击APS(active pixel sensor)/CCD等数字微光器件的研究现状,分析了数字微光器件的应用情况。最后,提出了微光技术和数字微光器件的发展趋势。 展开更多
关键词 微光夜视技术 数字微光器件 研究进展 研究方向
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基于夜天光光谱匹配的微光像增强器信噪比研究 被引量:4
17
作者 张琴 拜晓锋 +4 位作者 程宏昌 焦岗 李周奎 韩坤 李琦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期165-173,共9页
针对现有微光像增强器的信噪比实验室测试结果无法准确描述其在实际夜天辐射条件下工作时信噪比的问题,依据光阴极与夜天光光谱匹配关系和光量子噪声起伏理论推导了微光像增强器的输出信噪比理论计算模型。在基于典型微光像增强器参数... 针对现有微光像增强器的信噪比实验室测试结果无法准确描述其在实际夜天辐射条件下工作时信噪比的问题,依据光阴极与夜天光光谱匹配关系和光量子噪声起伏理论推导了微光像增强器的输出信噪比理论计算模型。在基于典型微光像增强器参数对模型验证的基础上,计算了典型超二代和三代像增强器在实际夜天辐射条件下工作时的信噪比。结果表明,实际夜天辐射条件下的信噪比与实验室A光源测试条件下的信噪比存在较大差异,且超二代和三代像增强器的信噪比在实际夜天辐射条件下显示出相较实验室测量时更大的差异性。本研究可为实际夜天辐射工作条件下的微光像增强器信噪比评价提供一种可用途径。 展开更多
关键词 微光像增强器 夜天辐射 光谱匹配 信噪比 A光源
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短波红外阈场助式光电阴极p-InGaAs/p-InP异质结设计与仿真 被引量:3
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作者 刘峰 石峰 +3 位作者 焦岗 师宏立 苗壮 任彬 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第9期778-782,共5页
针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光... 针对一种短波红外阈透射式光阴极,简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后,结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模,详细研究了场助电压对p-p型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示:Schottky势垒偏压至少要达到8 V才能较好消除p-In Ga As/p-In P异质结的势垒影响。此时,为达到较小的漏电流,In0.53Ga0.47As光吸收层厚度2μm,In P发射层厚度1μm,掺杂浓度均为1×1016 cm-3。 展开更多
关键词 场助式光阴极 短波红外阈 INGAAS 异质结
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电极表面状态对像增强器耐压性能的影响 被引量:1
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作者 杨晓军 焦岗 +5 位作者 李世龙 师宏立 侯志鹏 李丹 邱洪金 黄武军 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期549-554,共6页
像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测... 像增强器(简称像管)的耐压性能是影响其增益,背景噪声和分辨力的一个重要因素。引起像管电击穿的原因很多,其中,电极的表面形态在其击穿的起始阶段发挥着重要的作用。本文针对像管特有的高场强微间隙电场结构,通过对不同电极进行耐压测试实验,研究其对像管耐压性能的影响。运用表面形貌测试仪对电极表面进行3D形貌测试,结果表明电极表面微凸起形状和尺寸的不同对像管耐压性能的影响差异显著,提高材料表面光洁度对于提高像管耐压性能有着重要的促进作用,最终为突破高场强微间隙像管工艺制作技术提供理论依据。 展开更多
关键词 像管 场致发射 表面状态 耐压性能
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电子倍增型GaAs光阴极实验研究
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作者 胡仓陆 郭晖 +6 位作者 焦岗 彭岔霞 冯驰 徐晓兵 周玉鉴 王书菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1549-1554,共6页
电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对... 电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2. 展开更多
关键词 砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势
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