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基于GaAs HEMT的低温低噪声放大器设计
1
作者
张诚
詹超
+6 位作者
刘玲玲
潘
北军
丁晓杰
何川
李娇娇
王自力
吴志华
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024年第5期31-35,43,共6页
本文基于商业级的高电子迁移率GaAs HEMT,使用ADS软件仿真设计了一款C波段低温低噪声放大器。基于极低温测试平台并使用低温衰减器法对低温放大器的噪声进行了高精度测试,结果表明:该放大器能够工作在4 K液氦温区,等效噪声温度低至7 K以...
本文基于商业级的高电子迁移率GaAs HEMT,使用ADS软件仿真设计了一款C波段低温低噪声放大器。基于极低温测试平台并使用低温衰减器法对低温放大器的噪声进行了高精度测试,结果表明:该放大器能够工作在4 K液氦温区,等效噪声温度低至7 K以下,增益大于30 dB,功耗优于30 mW。可以应用于量子计算、射电天文等对噪声、功耗、体积有高要求的领域。
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关键词
GaAs
HEMT
低温低噪声
放大器
C波段
量子计算
原文传递
基于锗硅工艺0.01~2GHz低温低噪声放大器设计
2
作者
潘
北军
张诚
+1 位作者
陆勤龙
宾峰
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024年第8期17-22,共6页
低频超宽带低噪声放大器是低温超导测试系统中核心器件之一。本文采用锗硅异质结双极型晶体管,单电源两级放大电路结构,通过电阻负反馈电路设计,实现了一款频率范围为0.01~2 GHz的低温低噪声放大器,该放大器增益大于33 dB,输入输出回波...
低频超宽带低噪声放大器是低温超导测试系统中核心器件之一。本文采用锗硅异质结双极型晶体管,单电源两级放大电路结构,通过电阻负反馈电路设计,实现了一款频率范围为0.01~2 GHz的低温低噪声放大器,该放大器增益大于33 dB,输入输出回波损耗小于-10 dB,15 K测试环境中,平均噪声温度10 K,功耗15 mW。该放大器目前已应用于超导信号测试系统中,解决了低温超导测试中极微弱信号放大难题,提高了测试系统灵敏度和测试效率。
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关键词
低温
低噪声放大器
超导
锗硅工艺
原文传递
射电天文4-40 GHz超宽带低噪声放大器设计
3
作者
潘
北军
陈卯蒸
+2 位作者
王浩辉
闫浩
宁云炜
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期50-58,共9页
超宽带接收机面临众多技术挑战,而关键技术难点之一是超宽带低噪声放大器.采用以砷化镓材料为基底的70 nm栅长改性高电子迁移率晶体管和双电源偏置4级放大电路结构,设计了一款4–40 GHz超宽带低噪声单片微波集成放大器,完整覆盖C、X、Ku...
超宽带接收机面临众多技术挑战,而关键技术难点之一是超宽带低噪声放大器.采用以砷化镓材料为基底的70 nm栅长改性高电子迁移率晶体管和双电源偏置4级放大电路结构,设计了一款4–40 GHz超宽带低噪声单片微波集成放大器,完整覆盖C、X、Ku、K、Ka共5个波段.设计仿真结果表明,该放大器增益为(40±2.5) dB,常温下噪声温度平均95 K, 4–12.5 GHz噪声温度全频带低于83 K,直流功耗130.5 mW.整个频带内输入反射系数典型值-10 d B,输出反射系数典型值-15 d B,全频带范围内稳定,无自激振荡现象.该器件可做为前置放大器,应用于超宽带接收机和大规模多波束接收机中,可有效提高射电望远镜观测效率.
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关键词
望远镜
技术:射电天文
技术:其他诸多方面
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职称材料
题名
基于GaAs HEMT的低温低噪声放大器设计
1
作者
张诚
詹超
刘玲玲
潘
北军
丁晓杰
何川
李娇娇
王自力
吴志华
机构
中国电子科技集团公司第十六研究所
出处
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024年第5期31-35,43,共6页
基金
合肥市关键核心技术攻关项目(2023-0811160010120230090)
中国电子科技集团公司国际科技合作专项项目(51160020210012KDD)。
文摘
本文基于商业级的高电子迁移率GaAs HEMT,使用ADS软件仿真设计了一款C波段低温低噪声放大器。基于极低温测试平台并使用低温衰减器法对低温放大器的噪声进行了高精度测试,结果表明:该放大器能够工作在4 K液氦温区,等效噪声温度低至7 K以下,增益大于30 dB,功耗优于30 mW。可以应用于量子计算、射电天文等对噪声、功耗、体积有高要求的领域。
关键词
GaAs
HEMT
低温低噪声
放大器
C波段
量子计算
Keywords
GaAs HEMT
Low temperature and low noise
Amplifier
C-Band
Quantum computing
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
基于锗硅工艺0.01~2GHz低温低噪声放大器设计
2
作者
潘
北军
张诚
陆勤龙
宾峰
机构
中国电子科技集团公司第十六研究所
中国电子科技集团公司低温电子研发中心
出处
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024年第8期17-22,共6页
基金
合肥国家实验室量子科技仪器专项项目(11160020230335KDD)资助。
文摘
低频超宽带低噪声放大器是低温超导测试系统中核心器件之一。本文采用锗硅异质结双极型晶体管,单电源两级放大电路结构,通过电阻负反馈电路设计,实现了一款频率范围为0.01~2 GHz的低温低噪声放大器,该放大器增益大于33 dB,输入输出回波损耗小于-10 dB,15 K测试环境中,平均噪声温度10 K,功耗15 mW。该放大器目前已应用于超导信号测试系统中,解决了低温超导测试中极微弱信号放大难题,提高了测试系统灵敏度和测试效率。
关键词
低温
低噪声放大器
超导
锗硅工艺
Keywords
Low temperature
LNA
Superconductivity
SiGe process
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
射电天文4-40 GHz超宽带低噪声放大器设计
3
作者
潘
北军
陈卯蒸
王浩辉
闫浩
宁云炜
机构
中国科学院新疆天文台
新疆微波技术重点实验室
中国科学院大学天文与空间科学学院
出处
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期50-58,共9页
基金
国家重点研发计划(2018YFA0404703)资助。
文摘
超宽带接收机面临众多技术挑战,而关键技术难点之一是超宽带低噪声放大器.采用以砷化镓材料为基底的70 nm栅长改性高电子迁移率晶体管和双电源偏置4级放大电路结构,设计了一款4–40 GHz超宽带低噪声单片微波集成放大器,完整覆盖C、X、Ku、K、Ka共5个波段.设计仿真结果表明,该放大器增益为(40±2.5) dB,常温下噪声温度平均95 K, 4–12.5 GHz噪声温度全频带低于83 K,直流功耗130.5 mW.整个频带内输入反射系数典型值-10 d B,输出反射系数典型值-15 d B,全频带范围内稳定,无自激振荡现象.该器件可做为前置放大器,应用于超宽带接收机和大规模多波束接收机中,可有效提高射电望远镜观测效率.
关键词
望远镜
技术:射电天文
技术:其他诸多方面
Keywords
telescopes
techniques:radio astronomy
techniques:miscellaneous
分类号
P111 [天文地球—天文学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GaAs HEMT的低温低噪声放大器设计
张诚
詹超
刘玲玲
潘
北军
丁晓杰
何川
李娇娇
王自力
吴志华
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024
0
原文传递
2
基于锗硅工艺0.01~2GHz低温低噪声放大器设计
潘
北军
张诚
陆勤龙
宾峰
《低温与超导》
CAS
北大核心
2024
0
原文传递
3
射电天文4-40 GHz超宽带低噪声放大器设计
潘
北军
陈卯蒸
王浩辉
闫浩
宁云炜
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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