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WCDMA小区搜索辅同步码序号识别算法的FPGA实现 被引量:3
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作者 闵捷 李诗 +1 位作者 周剑扬 陈辉煌 《无线通信技术》 2004年第2期16-20,共5页
小区搜索是 WCDMA物理层关键技术之一。辅助同步码序号识别过程是小区搜索第二阶段的核心。本文详细分析辅助同步码序号识别算法 ,在此基础上提出了一种基于快速哈达玛变换的 FPGA实现方案。软硬件仿真结果表明 ,方案满足设计要求。
关键词 WCDMA 同步码序号识别算法 FPGA 小区搜索 哈达玛变换 宽带码分多址
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元规制视阈下我国期货交易所自律管理研究
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作者 李诗 《东莞理工学院学报》 2023年第2期88-93,共6页
近来《期货和衍生品法》的施行为期货交易所的自律管理提供上位法依据。在我国期货市场上,期货交易所的自律管理与中国证监会的统一监督管理架构起元规制的规范框架。期货交易所作为自我规制机构,通过设定并实施自律规则规范期货市场参... 近来《期货和衍生品法》的施行为期货交易所的自律管理提供上位法依据。在我国期货市场上,期货交易所的自律管理与中国证监会的统一监督管理架构起元规制的规范框架。期货交易所作为自我规制机构,通过设定并实施自律规则规范期货市场参与者,发挥专业、高效、灵活、缓和以及兼具公共性的优势,履行市场服务、市场监管以及配合市场改革发展职能。而中国证监会扮演规制者的角色,强调对期货交易所的监督管理。然而,期货市场上的元规制仍然在期货交易所实施的自律管理措施性质以及与行政监管的衔接方面存在一些不足。 展开更多
关键词 元规制 合作规制 自我规制 期货交易所 《期货和衍生品法》
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基于SystemC的RISC CPU行为描述
3
作者 周剑扬 李诗 +2 位作者 蒋小刚 吕文蔚 陈辉煌 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期40-45,共6页
探讨了一种基于SystemC的RISCCPU建模方法,建立了一个SPARC精简指令集CPU的整数单元(IU)行为级模型.该模型作为指令集仿真器(ISS),基本达到了RISCCPU的功能要求,为程序提供了一个CPU模拟平台,减少了软硬件协同设计的周期,这对片上系统SO... 探讨了一种基于SystemC的RISCCPU建模方法,建立了一个SPARC精简指令集CPU的整数单元(IU)行为级模型.该模型作为指令集仿真器(ISS),基本达到了RISCCPU的功能要求,为程序提供了一个CPU模拟平台,减少了软硬件协同设计的周期,这对片上系统SOC的实现具有重要的意义. 展开更多
关键词 SYSTEMC SPARC 精简指令集 软件硬件协同设计 专用集成电路 RISC CPU建模
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蓝牙系统中跳频算法的FPGA实现 被引量:1
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作者 陈国伙 石江宏 +2 位作者 卢贵主 李诗 陈辉煌 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期458-462,共5页
跳频是蓝牙使用的抑制干扰的关键技术。在简要介绍扩频技术的基础上,对蓝牙系统基带部分的跳频算法进行了详细分析,并用VHDL完成该算法的硬件描述。在Xilinx ISE开发环境下完成综合及后仿真,通过蓝牙标准提供的样本数据的测试验证,最后... 跳频是蓝牙使用的抑制干扰的关键技术。在简要介绍扩频技术的基础上,对蓝牙系统基带部分的跳频算法进行了详细分析,并用VHDL完成该算法的硬件描述。在Xilinx ISE开发环境下完成综合及后仿真,通过蓝牙标准提供的样本数据的测试验证,最后下载到Xilinx Virtex-Ⅱ器件上实现。该设计的实现可应用于蓝牙基带芯片的研发。 展开更多
关键词 蓝牙系统 跳频算法 FPGA 扩频技术 无线通信 VHDL 抑制干扰
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基于椭圆曲线的数字签名核心算法的SystemC建模研究
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作者 李诗 周剑扬 +1 位作者 闵捷 陈辉煌 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期183-187,共5页
在简要介绍椭圆曲线密码学基本原理的基础上,对ECC数字签名进行算法分析以及性能评估,引出核心模块点乘运算,并用SystemC语言实现点乘的行为级描述.在CocentricStudioSystem平台上进行建模仿真,取得正确的结果.该设计可应用于椭圆曲线... 在简要介绍椭圆曲线密码学基本原理的基础上,对ECC数字签名进行算法分析以及性能评估,引出核心模块点乘运算,并用SystemC语言实现点乘的行为级描述.在CocentricStudioSystem平台上进行建模仿真,取得正确的结果.该设计可应用于椭圆曲线加密处理器的SOC实现中. 展开更多
关键词 椭圆曲线 数字签名 核心算法 SystemC建模 点乘 数据安全 ECC
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超深亚微米数字电路的低功耗设计 被引量:1
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作者 李诗 《中国集成电路》 2011年第5期25-30,52,共7页
随着集成电路逻辑复杂度日益提高,而工艺尺寸进入了超深亚微米数量级,低功耗设计已经成为整个SOC设计中关键的问题之一。电源电压是影响功耗的最重要因素,而阈值电压、体偏压和时钟频率也对功耗有影响。目前,对于数字电路,已经研发出一... 随着集成电路逻辑复杂度日益提高,而工艺尺寸进入了超深亚微米数量级,低功耗设计已经成为整个SOC设计中关键的问题之一。电源电压是影响功耗的最重要因素,而阈值电压、体偏压和时钟频率也对功耗有影响。目前,对于数字电路,已经研发出一些有效地进行功耗管理,降低功耗的技术,并已应用于具体项目中。本文首先综述性地介绍几种低功耗设计方法,包括:多阈值电压CMOS技术;多电源电压;门控时钟;动态电压频率调制;动态体偏压调制;加入电源门控、以及状态可保持的电源门控技术,并逐一讨论了它们对降低功耗的具体作用。最后,针对最新的基于通用功耗格式的状态保持电源门控技术,本文概述其实现步骤。 展开更多
关键词 超深亚微米 动态功耗 静态功耗 多阈值电压CMOS 多电源电压 动态电压频率调制 状态可保持的电源门控 通用功耗格式
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极坐标法计算一类载流曲线的磁场
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作者 陈庆朋 张令军 李诗 《枣庄师专学报》 2000年第2期44-45,共2页
通过实例介绍了用极坐标法计算一类载流曲线的磁场的方法及需注意的问题
关键词 磁场 积分 极坐标法 载流曲线 磁感反应强度 计算 极坐标方程
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杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
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作者 韦素芬 陈红霞 +2 位作者 李诗 黄长斌 刘璟 《集美大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第5期472-480,共9页
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器... 采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。 展开更多
关键词 UTBB-SOI MOSFET 高斯分布 虚拟阴极 阈值电压
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