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优化安全工作区(SOA)性能的下一代IGCT
被引量：
1
1
作者
Th. Stiasny
P. Streit
+3 位作者
M. Rahimo
E. Carroll
李永
建
（
译
）
古玉书（校）
《电力电子》
2007年第1期44-46,共3页
为了改进电力电子系统的性能、减小其尺寸以及降低成本,大功率半导体器件将继续朝着高电压和大电流容量的方向发展。IGCT也不例外。本文描述具有电压额定值为4.5kV～6.5kV的一个新的IGCT系列的高安全工作区(SOA)能力。
关键词
安全工作区
IGCT
性能
功率半导体器件
优化
电力电子系统
电流容量
高电压
下载PDF
职称材料
题名
优化安全工作区(SOA)性能的下一代IGCT
被引量：
1
1
作者
Th. Stiasny
P. Streit
M. Rahimo
E. Carroll
李永
建
（
译
）
古玉书（校）
机构
不详
北京金自天正公司
出处
《电力电子》
2007年第1期44-46,共3页
文摘
为了改进电力电子系统的性能、减小其尺寸以及降低成本,大功率半导体器件将继续朝着高电压和大电流容量的方向发展。IGCT也不例外。本文描述具有电压额定值为4.5kV～6.5kV的一个新的IGCT系列的高安全工作区(SOA)能力。
关键词
安全工作区
IGCT
性能
功率半导体器件
优化
电力电子系统
电流容量
高电压
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
优化安全工作区(SOA)性能的下一代IGCT
Th. Stiasny
P. Streit
M. Rahimo
E. Carroll
李永
建
（
译
）
古玉书（校）
《电力电子》
2007
1
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