对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superlum inescent d iode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布。计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区...对由8个量子阱所组成的条形超辐射发光二极管(Superlum inescent d iode,SLD)进行了热分析,计算了不同器件结构下的热阻和温度分布。计算结果表明,热阻变化受芯片宽度和长度的影响较大,可以达到两个数量级;当注入功率达到1 W时,有源区的温度将接近50 K。该分析对有效地设计芯片的结构,减少温度升高对SLD稳定性的影响具有指导意义。展开更多
文摘本文重点讨论显示器件用的几种铝酸盐体系发光材料的能量传递过程.在Eu2+掺杂的SrA l2O4体系中,辐射发光是通过基质与激活剂离子之间的能量传递进行的;应用Jahn-Teller效应原理,解释了在BaCdA l10O17中所出现的Eu2+的双重发射带,以及在共掺杂Ce3+之后所发生的能量传递过程;分析引入助融剂后,BaMg A l10O17:Eu2+体系中Eu2+的浓度对能量传递过程的影响以及助融剂对发光性能的影响.