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高灵敏度穿通型异质结光电晶体管 被引量：4
1
作者 李国辉 韩德俊 +4 位作者 韩卫 姬成周 朱恩均 周均铭 黄绮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期214-221,共8页
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的Ｇ... 报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。 展开更多
关键词 高灵敏度 穿通型 异质结 光电晶体管
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具有N^+-i-P型发射结的AlGaAs/GaAs HBT的漏电特性
2
作者 魏东平 李国辉 +1 位作者 朱恩均 周均铭 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期467-471,共5页
在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N^+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N^+i-p型结构的特点及HBT外基区表面漏电的产生机理.
关键词 HBT 发射结 铝镓砷 砷化镓
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新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管
3
作者 韩德俊 李国辉 +5 位作者 韩卫 魏东平 阎凤章 朱恩均 周均铭 黄绮 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1993年第10期17-19,共3页
关键词 灵敏度 光电晶体管 砷化镓
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穿通型高增益AlGaAs/GaAs光电晶体管
4
作者 魏东平 李国辉 +2 位作者 韩卫 朱恩均 周均铭 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第10期9-11,共3页
关键词 光电晶体管 电流增益 光电探测器
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Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
5
作者 王因生 盛文伟 +3 位作者 汪建元 张晓明 熊承堃 朱恩均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期475-478,共4页
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(... 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管. 展开更多
关键词 Si/a-Si:H 微波 双极晶体管
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改善微波功率管小电流特性的模拟分析
6
作者 林绪伦 朱恩均 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期36-39,共4页
对于新型Ｎ￣＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。
关键词 微波功率管 渡越时间 模拟
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用PECVD法制备非晶态GaP薄膜
7
作者 徐剑虹 盛文伟 +2 位作者 熊承堃 朱恩均 陈坤基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期122-123,共2页
非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合... 非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索. 展开更多
关键词 非晶态 GaP薄膜 制备 PECVD法
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负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析
8
作者 林绪伦 朱恩均 +1 位作者 黄敞 肖硕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期346-351,共6页
本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀... 本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴. 展开更多
关键词 场效应晶体管 负电子 迁移率 数值
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非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布
9
作者 林绪伦 朱恩均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期611-617,共7页
本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布，并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线．这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管... 本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布，并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线．这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管的性能的提高． 展开更多
关键词 非晶硅 发射极晶体管 电流密度 晶体管 横向分布
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氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
10
作者 王因生 熊承堃 +4 位作者 盛文伟 张晓明 汪建元 茅保华 朱恩均 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期109-110,共2页
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时... 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。 展开更多
关键词 微波 晶体管 氢化 非晶硅 发射极
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