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LPE-GaAs掺Er的研究
1
作者
施
益
和
李韻仪
+3 位作者
李双喜
丁墨元
周济
袁佑荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期101-102,共2页
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。
关键词
液相处延生长
稀土掺杂
LPE-GaAs
下载PDF
职称材料
题名
LPE-GaAs掺Er的研究
1
作者
施
益
和
李韻仪
李双喜
丁墨元
周济
袁佑荣
机构
北京有色金属研究总院
北京大学
深圳激光光学系统有限公司
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期101-102,共2页
基金
国家自然科学基本资助课题
文摘
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。
关键词
液相处延生长
稀土掺杂
LPE-GaAs
Keywords
Liquid-phase epitaxial, Rare earth doped, Photoluminescence (PL)
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LPE-GaAs掺Er的研究
施
益
和
李韻仪
李双喜
丁墨元
周济
袁佑荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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