电化学沉积生长GaAs薄膜的工艺研究 被引量：3

1

作者 苏红兵 陈庭金 施兆顺 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期28-29,共2页

研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1.2;浓度比c(Ga) / c(As)=14;电流密度J=0.00～0.008 A/cm2;阴极材料用SnO2导电玻璃,其SnO2厚度＞1μm.并... 研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1.2;浓度比c(Ga) / c(As)=14;电流密度J=0.00～0.008 A/cm2;阴极材料用SnO2导电玻璃,其SnO2厚度＞1μm.并给出改善GaAs薄膜质量的途径,为生产高效、低成本的GaAs太阳能电池奠定基础. 展开更多

关键词 电化学沉积 GaAs薄膜 沉积参数 太阳能电池

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电化学沉积GaAs薄膜的实验和理论分析 被引量：3

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作者 施兆顺 陈庭金 +3 位作者 苏红兵 涂洁磊 张跃 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期138-144,共7页

通过物理和化学的理论分析及实验研究 ,阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2 导电玻璃等衬底材料上沉积原子化学计量比接近 1∶1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素 ,从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法... 通过物理和化学的理论分析及实验研究 ,阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2 导电玻璃等衬底材料上沉积原子化学计量比接近 1∶1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素 ,从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善 。 展开更多

关键词 电化学沉积 GaAs薄膜 电极电位 电阳能电池 材料 半导体 沉积工艺 实验 理论分析 衬底材料 砷化镓

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TiO_2纳米光电化学太阳电池研究

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作者 廖华 施兆顺 +3 位作者 刘祖明 胡志华 王书荣 许开芳 《昆明冶金高等专科学校学报》 CAS 2001年第2期1-2,20,共3页

介绍了TiO_2纳米光电化学电池原理。

关键词 纳米光电化学太阳电池 研究现状 发展前景 二氧化钛

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电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

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作者 施兆顺 陈庭金 +3 位作者 苏红兵 涂洁磊 张跃 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期257-263,共7页

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上 ,以SnO2 导电玻璃作为阴极衬底材料 ,从简单盐水溶液中 ,按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了... 在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上 ,以SnO2 导电玻璃作为阴极衬底材料 ,从简单盐水溶液中 ,按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于 1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。 展开更多

关键词 GaAs薄膜 电极电位 电化学沉积

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电化学沉积多晶GaAs薄膜研究 被引量：1

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作者 苏红兵 陈庭金 +2 位作者 施兆顺 涂洁磊 张跃 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期365-368,共4页

研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响 ,并通过正交实验调节这些化学沉积参数 ,得到了化学计量比接近 1∶1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数范围 ,为获得实用的GaAs薄膜材料打下了基础。

关键词 电化学沉积 砷化镓 薄膜

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电化学沉积砷化镓薄膜时自动控制电解液pH值的研究

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作者 苏红兵 施兆顺 《新能源》 2000年第7期8-11,共4页

描述了电化学沉积砷化镓薄膜太阳能电池时电解液ｐＨ值的自动控制。设计了一种以单片机为核心的自动控制系统，以实现电解液ｐＨ值的自动检测和自动控制。描述了该系统的原理与构成。指出：这种控制系统具有结构合理、使用方便等特点。

关键词 电化学沉积 薄膜太阳能电池 砷化镓 PH值 电解液

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交叉波形吸热板—底板太阳能空气集热器热力学分析

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作者 高文峰 施兆顺 等 《中国建设信息》 2002年第5期9-12,共4页

本文在与相似结构的平板型空气集热器作对比模型的基础上，给出了交叉波形吸热板－底板太阳能空气集热器系统的热物理模型并进行了分析，对交叉波形流道的几何特性及换热经验公式进行了讨论。

关键词 交叉波形板 空气集热器 热力学 水力学 努谢尔特数

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多片一次外延AlxGa_(1-x)As/GaAs太阳电池

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作者 鞠定德 陈庭金 +7 位作者 施兆顺 张跃 刘宗光 钱美珍 吕丽华 王琨 罗恩银 马继红 《云南师范大学学报（自然科学版）》 1993年第4期40-42,共3页

本文用LPE方法,多片一次外延P^+-AlxGa_(1-x)As/p-nGaAs结构制造GaAs太阳电池获得了好的转换效率。在AMO,25℃,100mw/cm^2的光照条件下,一般电池的效率η_(有效)=18.6％,最高的(η_(有效))_(max)=20.0％。本方法的优点是工艺简单、成本... 本文用LPE方法,多片一次外延P^+-AlxGa_(1-x)As/p-nGaAs结构制造GaAs太阳电池获得了好的转换效率。在AMO,25℃,100mw/cm^2的光照条件下,一般电池的效率η_(有效)=18.6％,最高的(η_(有效))_(max)=20.0％。本方法的优点是工艺简单、成本低、成品率高,便于工业化生产。 展开更多

关键词 太阳能电池 一次外延 砷化镓

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单源蒸发生长CuInSe_2薄膜

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作者 廖华 施兆顺 王东城 《云南师范大学学报（自然科学版）》 1989年第2期57-59,共3页

本文用单源共蒸发生长获得了CuInSe_2薄膜,具有黄铜矿结构和(112)取向。膜衬底为玻璃,衬底温度Ts=200℃。研究了膜的结构、组分和导电类型等。

关键词 单源共蒸发生长 CuInSe₂薄膜

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在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜

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作者 涂洁磊 陈庭金 +2 位作者 章晨静 吴长树 施兆顺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期82-85,共4页

该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、... 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃. 展开更多

关键词 GaAs/导电玻璃 热壁外延 太阳电池 薄膜材料

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生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响

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作者 涂洁磊 陈庭金 +2 位作者 章晨静 吴长树 施兆顺 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期86-89,共4页

该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结... 该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h. 展开更多

关键词 太阳电池 GsAs/Si薄膜 绒面 柱状结构

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