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温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响
被引量:
4
1
作者
靳锐敏
卢景霄
+4 位作者
扬
仕
娥
王海燕
李瑞
冯团辉
段启亮
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期41-42,共2页
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积...
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
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关键词
无机非金属材料
PECVD法
非晶硅薄膜
多晶硅薄膜
二次晶化
下载PDF
职称材料
非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
2
作者
靳锐敏
卢景霄
+3 位作者
扬
仕
娥
王海燕
张丽伟
冯团辉
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S3期561-563,572,共12页
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 ...
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶.
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关键词
PECVD法
非晶硅薄膜
自然衰减
中温晶化
原文传递
多晶硅薄膜制备的量子态模型
3
作者
靳锐敏
卢景霄
+2 位作者
扬
仕
娥
张丽伟
李瑞
《中国材料科技与设备》
2006年第4期42-46,共5页
本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小,以及二次晶化过程符合量子态模型。
关键词
量子态模型
PECVD法
非晶硅薄膜
二次晶化
RAMAN光谱
下载PDF
职称材料
光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型
4
作者
靳锐敏
卢景霄
+2 位作者
扬
仕
娥
张丽伟
冯团辉
《中国材料科技与设备》
2007年第1期98-99,109,共3页
本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。
关键词
量子态模型
光退火
RAMAN光谱
下载PDF
职称材料
题名
温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响
被引量:
4
1
作者
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
王海燕
李瑞
冯团辉
段启亮
机构
郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期41-42,共2页
文摘
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
关键词
无机非金属材料
PECVD法
非晶硅薄膜
多晶硅薄膜
二次晶化
Keywords
inorganic non-metallic materials
PECVD
a-Si:H film
poly crystal Si film
recrystallization
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
2
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职称材料
题名
非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
2
作者
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
王海燕
张丽伟
冯团辉
机构
郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室
出处
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第S3期561-563,572,共12页
文摘
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶.
关键词
PECVD法
非晶硅薄膜
自然衰减
中温晶化
Keywords
PECVD
a-Si:H film
degeneration
middle crystallization[S
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
多晶硅薄膜制备的量子态模型
3
作者
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
张丽伟
李瑞
机构
郑州大学材料物理教育部重点实验室
出处
《中国材料科技与设备》
2006年第4期42-46,共5页
文摘
本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小,以及二次晶化过程符合量子态模型。
关键词
量子态模型
PECVD法
非晶硅薄膜
二次晶化
RAMAN光谱
Keywords
The quantum states mode
PECVD
a - Si : H film
Annealing
Raman scattering
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN304.12 [理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型
4
作者
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
张丽伟
冯团辉
机构
郑州大学材料物理教育部重点实验室
出处
《中国材料科技与设备》
2007年第1期98-99,109,共3页
文摘
本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。
关键词
量子态模型
光退火
RAMAN光谱
Keywords
The quantum states model
Rapid thermal annealing
Raman scattering
分类号
TK511.4 [动力工程及工程热物理—热能工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
王海燕
李瑞
冯团辉
段启亮
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
下载PDF
职称材料
2
非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
王海燕
张丽伟
冯团辉
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
原文传递
3
多晶硅薄膜制备的量子态模型
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
张丽伟
李瑞
《中国材料科技与设备》
2006
0
下载PDF
职称材料
4
光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型
靳锐敏
卢景霄
扬
仕
娥
张丽伟
冯团辉
《中国材料科技与设备》
2007
0
下载PDF
职称材料
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