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温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响 被引量:4
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作者 靳锐敏 卢景霄 +4 位作者 王海燕 李瑞 冯团辉 段启亮 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期41-42,共2页
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积... 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。 展开更多
关键词 无机非金属材料 PECVD法 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 二次晶化
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非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
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作者 靳锐敏 卢景霄 +3 位作者 王海燕 张丽伟 冯团辉 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S3期561-563,572,共12页
通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 ... 通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶. 展开更多
关键词 PECVD法 非晶硅薄膜 自然衰减 中温晶化
原文传递
多晶硅薄膜制备的量子态模型
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作者 靳锐敏 卢景霄 +2 位作者 张丽伟 李瑞 《中国材料科技与设备》 2006年第4期42-46,共5页
本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小,以及二次晶化过程符合量子态模型。
关键词 量子态模型 PECVD法 非晶硅薄膜 二次晶化 RAMAN光谱
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光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型
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作者 靳锐敏 卢景霄 +2 位作者 张丽伟 冯团辉 《中国材料科技与设备》 2007年第1期98-99,109,共3页
本文发现在用光退火制备多晶硅薄膜过程中退火温度、时间等与多晶硅薄膜晶粒大小等晶化性质符合量子态模型。并对其物理思想进行了分析。
关键词 量子态模型 光退火 RAMAN光谱
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