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保持架产生啸声的试验分析 被引量：7
1
作者 彭忠献 《轴承》 北大核心 1989年第2期53-56,64,共4页
本文就装有多孔酚醛层压管保持架的B146104Y轴承在使用中普遍产生啸声的问题进行了试验分析。试验结果表明,该种轴承保持架产生啸声与球兜孔间隙(C)和轴承引导间隙(B)的比值有关;选用球兜孔间隙为5％球径,C/B值为0.52的Y_2方案为较佳方... 本文就装有多孔酚醛层压管保持架的B146104Y轴承在使用中普遍产生啸声的问题进行了试验分析。试验结果表明,该种轴承保持架产生啸声与球兜孔间隙(C)和轴承引导间隙(B)的比值有关;选用球兜孔间隙为5％球径,C/B值为0.52的Y_2方案为较佳方案。文中并对出现啸声时的表现特征进行了描述。附表2个,附图3幅。 展开更多
关键词 轴承保持架 啸声 保持架 轴承
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山区浅水河流的取水工程设计 被引量：2
2
作者 尹小伟 刘海波 彭忠献 《中国给水排水》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期45-47,共3页
在某山区浅水河流的取水工程设计中,根据河流特征和现场地形,在选址、挡水构筑物形式、水泵选型和进水方式等方面进行了方案比较,确定采用水力自动翻板闸坝和合建式岸边固定取水泵房,介绍了取水工程设计尺寸、工况校核和运行情况,并对... 在某山区浅水河流的取水工程设计中,根据河流特征和现场地形,在选址、挡水构筑物形式、水泵选型和进水方式等方面进行了方案比较,确定采用水力自动翻板闸坝和合建式岸边固定取水泵房,介绍了取水工程设计尺寸、工况校核和运行情况,并对出现的问题进行了讨论。 展开更多
关键词 取水工程 山区浅水河流 泵站 工况校核
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应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究 被引量：2
3
作者 徐大林 王方 +2 位作者 李荫波 彭忠献 黄敬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期127-135,共9页
提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LD... 提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。 展开更多
关键词 VLSI PSSWS-LDD MOSFET 优化工艺
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深U型槽的反应离子刻蚀技术 被引量：2
4
作者 彭忠献 王方 +1 位作者 李荫波 黄敝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第2期1-3,共3页
在VLSI 工艺中,U 型槽隔离方法很重要.本文报道了采用CF_4、SF_6、Ar、Cl_2、O_2、BCl_3、CHF_3等气体及其混合物进行的RIE(反应离子刻蚀)实验,发现Cl_2+Ar 最适用于深U 型槽的刻蚀,并成功地刻出了2μm 宽、6μm 深的U 型槽.
关键词 离子刻蚀 VLSI U型槽
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反应离子刻蚀用于实现VLSI的多晶侧壁LDD MOSFET工艺优化研究
5
作者 徐大林 王方 +2 位作者 李荫波 彭忠献 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期288-293,共6页
本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流... 本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流量、压力、射频功率、温度等)的关系.在此基础上,结合LDD MOSFET对侧壁宽度、可控性及重复性的要求,对反应离子刻蚀法实现PSSWS-LDD进行优化,获得了优化工艺条件. 展开更多
关键词 离子刻蚀 VLSI LDD MOSFET 工艺
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株洲航电库区小型排涝泵站群机组选型研究
6
作者 彭忠献 张小军 郑春风 《中国农村水利水电》 北大核心 2005年第7期74-76,共3页
针对株洲航电库区14座排涝泵站的水位变幅大、扬程变化范围宽问题,经过多种方案的分析和论证,决定在部分泵站采用高、低扬程机组,以适应不同外江水位时泵站安全和经济运行的需要。同时为降低工程投资、便于设备的维护和管理,对同一泵站... 针对株洲航电库区14座排涝泵站的水位变幅大、扬程变化范围宽问题,经过多种方案的分析和论证,决定在部分泵站采用高、低扬程机组,以适应不同外江水位时泵站安全和经济运行的需要。同时为降低工程投资、便于设备的维护和管理,对同一泵站不同的机组采用同一安装尺寸和相同的机电设备。经过这种优化,不仅给泵站的设计和施工带来便利,而且避免了泵站在今后的运行、维护和管理中可能出现的种种弊病。 展开更多
关键词 排涝泵站 机组选型 优化设计
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西南某山谷型垃圾填埋场二维渗流场研究 被引量：1
7
作者 刘学 蒋中明 +2 位作者 谭文帅 肖武 彭忠献 《吉林水利》 2015年第5期4-8,共5页
山谷型垃圾填埋场若发生表面防渗层失效或者排水棱体未能有效排水,降雨条件下雨水直接进入填埋场未能有效排除,导致填埋场水位上升,孔压增大情况,过高的渗滤液水位极易引发填埋场失稳破坏。针对西南某垃圾填埋场垃圾组分情况,利用非饱... 山谷型垃圾填埋场若发生表面防渗层失效或者排水棱体未能有效排水,降雨条件下雨水直接进入填埋场未能有效排除,导致填埋场水位上升,孔压增大情况,过高的渗滤液水位极易引发填埋场失稳破坏。针对西南某垃圾填埋场垃圾组分情况,利用非饱和渗透试验装置测定孔隙比为3.0、2.5和2.0的垃圾土土水特征曲线。利用FLAC-3D软件进行饱和非饱和非恒定渗流二维分析了该垃圾填埋场在不同降雨条件下的地下水位分布和变化特性。研究成果表明:垃圾土因成分复杂、孔隙大等特点,其土水特征曲线饱和体积含水量较高,随着吸力增加,曲线存在陡降段,这与垃圾土中含有有机成分有关;山谷型填埋场在遭遇暴雨和久雨工况下,都会引起填埋场内部水位快速上升,排水棱体严重淤堵时,渗滤液水位还将从垃圾坝溢出,在降雨总量一致条件下,连续久雨比短时暴雨对填埋场稳定性更为不利。 展开更多
关键词 垃圾填埋场 非饱和渗流 土水特征曲线
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多晶侧壁LDD CMOS工艺技术
8
作者 彭忠献 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期29-32,共4页
LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试制了栅宽为2μm的CMOS环振和栅宽为2.5μm的CMOS300门阵列,得... LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试制了栅宽为2μm的CMOS环振和栅宽为2.5μm的CMOS300门阵列,得到了比较满意的结果. 展开更多
关键词 LDD CMOS 集成电路 工艺 掺杂
全文增补中
深槽隔离CMOS工艺技术
9
作者 彭忠献 王方 +1 位作者 李荫波 黄敞 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1990年第5期38-41,共4页
本文介绍一种深U型槽隔离CMOS工艺技术,对工艺实施中的若干问题进行了讨论,并对器件特性进行了分析。
关键词 CMOS 集成电路 槽隔离 工艺
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