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白光干涉的谱分析及其数据处理 被引量：5
1
作者 常久伟 徐菌 史庆军 《应用光学》 CAS CSCD 2001年第6期28-30,共3页
通过分析白光干涉谱 ,计算出生长在 Ga As衬底上的氮化镓薄膜厚度。
关键词 干涉谱 薄膜 数据分析 氮化镓 GAN 白光干涉 厚度
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GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用 被引量：2
2
作者 顾彪 王三胜 +5 位作者 徐茵 秦福文 窦宝锋 常久伟 邓祥 杨大智 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第3期104-110,共7页
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材... GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点 ,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用 。 展开更多
关键词 GAN 材料性质 外延生长 半导体器件 半导体材料 短波光电器件 氮化镓
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