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题名碳化硅功率模块焊接工艺研究进展
被引量：5
- 1
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作者
李帅
白欣娇
袁凤坡
崔素杭
李晓波
王静辉
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
同辉电子科技股份有限公司
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第2期163-168,共6页
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基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0400404)
河北省产业创新创业团队资助项目(189A0603H).
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文摘
碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等。分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选。
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关键词
碳化硅(SiC)
功率模块
焊接材料
纳米银烧结
纳米铜焊膏
高温封装
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Keywords
silicon carbide(SiC)
power module
welding material
nano-silver sintering
nano copper solder paste
high temperature packaging
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
TN305
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题名封装工艺对SiC功率模块热电性能的影响
被引量：3
- 2
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作者
袁凤坡
白欣娇
李帅
崔素杭
李晓波
王静辉
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
同辉电子科技股份有限公司
河北省半导体照明产业技术研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第9期712-716,734,共6页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400404)
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文摘
SiC功率模块随着输出功率增加,结温会随之明显上升,热阻增大,电学性能退化。因此,研究SiC模块热电性能,降低模块热阻和寄生电感对发挥SiC模块优良的电学特性非常关键。针对1 200 V/200 A SiC模块,利用仿真软件建立了有限元分析模型,研究了模块封装工艺与模块热电特性的关系,包括焊层厚度、空洞率及键合参数对模块热特性和寄生参数的影响。结合仿真结果和实测数据得出焊层厚度0.18 mm、键合线直径15 mil(1 mil=25.4μm)、线间距0.3 mm时模块热阻和电特性较理想。其热阻为0.266℃/W,寄生电感为18.159 nH,模块阈值电压小于1.9 V,导通电阻约为6.5 mΩ。
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关键词
SIC
功率模块
热电特性
有限元分析
空洞率
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Keywords
SiC
power module
thermoelectric property
finite element analysis
voidage
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名双面机械抛光对SiC衬底TTV及材料去除率的影响
被引量：3
- 3
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作者
贾军朋
白欣娇
李晓波
崔素杭
李帅
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机构
同辉电子科技股份有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2021年第9期840-844,共5页
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基金
河北省重点研发计划新一代电子信息技术创新专项资助项目(20311001D)。
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文摘
通过开展双面机械抛光分组实验,探讨工艺参数对碳化硅(SiC)衬底总厚度变化(TTV)和材料去除率的影响。研究结果表明,设备转速越高、载荷压力越大,材料去除率越高;SiC衬底TTV随载荷压力与转速的增加先降后升。根据分组实验得到的结果进行工艺参数优化。SiC衬底双面机械抛光后获得了材料去除率平均值为4.86μm/h、TTV平均值为2.35μm、弯曲度平均值为6.03μm、翘曲度平均值为7.6μm、粗糙度平均值为0.8 nm的SiC衬底。该研究为优化SiC衬底双面抛光工艺、提高SiC衬底抛光精度和加工效率提供了参考。
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关键词
碳化硅(SiC)衬底
双面机械抛光
总厚度变化(TTV)
去除率
翘曲度
粗糙度
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Keywords
silicon carbide(SiC)substrate
double-sided mechanical polishing
total thickness variation(TTV)
removal rate
warpage
roughness
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TN304.24
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