凸轮轴廓面磨削振纹分析 被引量：6

1

作者 崔玉德 《柴油机设计与制造》 1996年第1期29-32,53,共5页

对135柴油机763Ca凸轮廓面磨削振纹形成机理进行了试验及分析研究,得出了与现有文献不同的结论,指出磨削振纹的形成不在于磨削力的大小,而在于磨削力变化率的大小。对称凸轮的振纹并不对称,振纹的位置并非一定发生在敏感点和曲线分段处... 对135柴油机763Ca凸轮廓面磨削振纹形成机理进行了试验及分析研究,得出了与现有文献不同的结论,指出磨削振纹的形成不在于磨削力的大小,而在于磨削力变化率的大小。对称凸轮的振纹并不对称,振纹的位置并非一定发生在敏感点和曲线分段处现象都可用磨削振纹是由于磨削力变化率过大引起的观点加以解释。还提出了削除和减少磨削振纹的途径。 展开更多

关键词 凸轮轴 磨削 加工精度 柴油机 廓面

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Ti/Al_2O_3界面的光电子能谱研究 被引量：5

2

作者 陆华 张小军 崔玉德 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第1期1-6,共6页

用X射线光电子谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了Ti／Al_2O_3界面形成的过程。研究表明，活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3（1102）形成约20nm强结合的界面区。从Al，O，Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合... 用X射线光电子谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了Ti／Al_2O_3界面形成的过程。研究表明，活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3（1102）形成约20nm强结合的界面区。从Al，O，Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合能位移表明，在界面处形成的反应层中，最初几个单层的Ti很容易被Al2O3表面的活性氧所氧化，从而使Ti／Al2O3界面逐步由具有更强相互作用的TiOx／Al2O3界面所代替，并形成由多相混合体［Ti-O相，（Ti，Al）2O3相以及金属Al相］所组成的界面区。就是说，Ti通过Al—O键的O2-离子转移其电子给Al3+并使它还原成金属Al，从而形成Ti－O键所致。本文用AES强度剖面分析观察到了这种被还原的Al。 展开更多

关键词 TI/AL2O3 光电子能谱 XPS AES 界面

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Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应 被引量：3

3

作者 陈维德 崔玉德 +1 位作者 许振嘉 陶江 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期859-865,共7页

利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化... 利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。 展开更多

关键词 钴 硅 快速退火 俄歇电子谱 SIO2

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利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触 被引量：1

4

作者 陈维德 谢小龙 +3 位作者 陈春华 崔玉德 段俐宏 许振嘉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第1期51-55,共5页

采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs／Pd／AuGe／Ag／An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻率与退火温度和时间关系，400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻车约为10（－6）Ωem2。接... 采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs／Pd／AuGe／Ag／An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻率与退火温度和时间关系，400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻车约为10（－6）Ωem2。接触层表面光滑、界面平整。利用俄歇电子谱（AES）、二次离子质谱（SIMS）、X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了欧姆接触的微观结构和形成机理。 展开更多

关键词 欧姆接触 砷化镓 热退火 俄歇电子谱

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利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触 被引量：1

5

作者 陈维德 谢小龙 +2 位作者 崔玉德 段俐宏 许振嘉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期784-788,共5页

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、... 利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理． 展开更多

关键词 n-砷化镓 热退火 Ge/PdGe 欧姆接触 半导体器件

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In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析 被引量：1

6

作者 陈维德 陈宗圭 崔玉德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期410-415,共6页

采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

关键词 INGAAS 定量分析 俄歇电子谱

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CaAs(100)的(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_x表面钝化 被引量：1

7

作者 陈维德 金高龙 +2 位作者 崔玉德 段俐宏 高志强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期1328-1334,共7页

利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高... 利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用. 展开更多

关键词 砷化镓 半导体 表面钝化

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Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究

8

作者 邢益荣 崔玉德 +4 位作者 殷士端 张敬平 李侠 朱沛然 徐田冰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期491-495,共5页

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ... 利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３ｄ芯能级的化学位移比在单晶Ｓｉ和Ｇｅ上生长的ＳｉＯｘ和ＧｅＯ２中相应的值明显增大。 展开更多

关键词 半导体材料 硅锗合金 热氧化物

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迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析

9

作者 钟战天 崔玉德 +6 位作者 曹作萍 张广泽 孙学浩 张立宝 肖君 朱勤生 邢益荣 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第2期114-118,共5页

在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后... 在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。 展开更多

关键词 迁移增强外延 俄歇分析 砷化镓

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Al_xGa_(1-x)As俄歇灵敏度因子的测定

10

作者 陈维德 崔玉德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期673-677,共5页

利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册... 利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。 展开更多

关键词 砷铝镓 灵敏度 俄歇电子谱法

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稀土氧化物高T_c超导薄膜的AES分析

11

作者 崔玉德 王佑祥 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第5期323-326,共4页

一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度T_R=0】85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变... 一、前言世界很多国家都在研究制备超导材料,而且发展很快。国内有十多个单位用电子束蒸发、磁控溅射等方法获得零电阻转变温度T_R=0】85K的超导薄膜,也有用分子束外延、化学气相沉积法制备的。一般超导临界转变温度T_C【85K,我国制Bi-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的T_R=0】111K,T_C=125K。 展开更多

关键词 超导薄膜 AES分析 T_c 零电阻 稀土氧化物 化学气相沉积 磁控溅射 电子束蒸发 超导性能 转变温度

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半导体多层膜组分的AES和SIMS深度剖面分析

12

作者 崔玉德 王佑祥 《薄膜科学与技术》 1993年第4期347-352,共6页

关键词 AES SIMS 半导体多层膜 结构

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SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

13

作者 陈岩 陈启谨 +2 位作者 崔玉德 孙碧武 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第6期396-400,共5页

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓... 用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。 展开更多

关键词 表面结构 单晶硅衬底 生长速率 氧化硅

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液体静压轴承在无心研磨机上的应用

14

作者 崔玉德 《柴油机设计与制造》 1992年第4期60-65,共6页

关键词 液体静压轴承 研磨机 轴承

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俄歇凹坑边缘组分分析测定多层膜结构

15

作者 王佑祥 崔玉德 《薄膜科学与技术》 1990年第2期39-44,共6页

关键词 多层膜 半导体 超晶格 俄歇线分析

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液体静压轴承在无心研磨机上的应用

16

作者 崔玉德 《油泵油嘴技术》 1993年第1期44-47,共4页

关键词 液承 轴承 研磨机 柴油机 燃油系统

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Ti和蓝宝石的界面反应 被引量：2

17

作者 顾诠 王佑祥 +2 位作者 崔玉德 陈新 陶琨 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期832-843,共12页

在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上蒸镀500nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES(俄歇电子谱,包括深度剖面分布和通过界面的谱形分析)和SIMS(二次离子质谱)等表... 在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上蒸镀500nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES(俄歇电子谱,包括深度剖面分布和通过界面的谱形分析)和SIMS(二次离子质谱)等表面分析技术详细研究了从室温至850℃,Ti与α-Al_2O_3的固相界面反应.结果表明室温及300℃,30min退火已有反应,Al_2O_3被Ti还原而在界面析出Al.600℃,30 min退火生成了Ti_3Al和TiO_2。850℃,30 min退火时Ti_3Al的生成量即随温度而增加,并产生多种氧化钛(Ti_xO_y)和Al_2TiO_5(Al_2O_3·TiO_2)等新相.850℃,4h退火除上述各相外又生成了Ti_2Al和TiAl_3。本文首次系统地提出了不同反应温区相应的化学反应式,讨论了采用体材料数据作热力学计算来预言Ti/α-Al_2O_3界面反应的局限性。 展开更多

关键词 钛 蓝宝石 界面反应

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Ti/Al_2O_3界面反应的俄歇电子能谱研究 被引量：2

18

作者 王佑祥 顾诠 +1 位作者 崔玉德 陈新 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期323-328,共6页

用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行A... 用俄歇电子能谱详细研究了Ti／Al2O3的界面反应。通过观察Ti的L23M23M45，L23M23M23及Al的LVV俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究Ti－O，Al－O，Ti－Al等价键结合状态，同时考虑Al不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Auger深度分析。实验表明室温下Ti／Al2O3的界面已发生反应，Al—O键被还原，元素Al在界面析出。仅在600℃以上退火样品中存在Ti—A1价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。850℃时曲线上已形成平台。平台区的成分（原子百分浓度）为53％Ti，32％Al，约12％O。界面反应产物由Ti3Al，Al与固溶O组成，同时XRD分析在850℃样品上观察到了Ti3Al相的衍射线。 展开更多

关键词 界面反应 俄歇电子能谱 氧化铝 陶瓷

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电子束、离子束与蓝宝石相互作用的研究 被引量：1

19

作者 崔玉德 王佑祥 顾诠 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期162-166,共5页

研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后... 研究了电子束、离子束作用于Al2O3表面时成分的变化，表明无论电子束或离子束都能使Al2O3发生分解，产生导电的元素Al。实验在PHI610·SAM上进行，电子束轰击下（3keV，O．5μA，入射角60°）10s就有元素Al分解出来，2min以后就达到饱和，分解析出量随时间成a（1－e－bt）的关系。离子束轰击下同样发生元素Al的分解，但当Ei＞3keV时，由于剥离速率加大，溅射5min时表面Al峰反而比1min时要弱。这时表面Al含量处于分解析出与溅射剥离的动态平衡中。实验还发现了Al2O3的解析与表面成分有关（如碳的含量）。最后讨论电子束与离子束的解析机理。 展开更多

关键词 电子束 离子束 蓝宝石 分解 俄歇电子能谱

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多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

20

作者 陈维德 金高龙 +1 位作者 崔玉德 许振嘉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第11期700-704,共5页

本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.... 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构. 展开更多

关键词 多晶硅 掺杂 多层结构 热处理 真空

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