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电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)
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作者 张炬 尼尔森本 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第S1期107-112,共6页
栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管... 栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。 展开更多
关键词 场效应晶体管/金属半导体场效应晶体管 亚微米栅长
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