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回热器在R1234yf汽车空调系统中的应用与优化
被引量:
6
1
作者
张耘
张科
+4 位作者
官
郭
沁
顾屹
戚东纬
陈江平
李宴辉
《制冷技术》
2018年第5期18-24,共7页
现有的汽车空调系统中R134a制冷剂因其较高的温室效应指数(GWP)面临淘汰,寻找新型环保制冷剂作为汽车空调上R134a的替代制冷剂变得尤为重要。R1234yf的物理性质与R134a相近,可作为车用空调R134a的主要替代制冷剂。将R1234yf直接灌注替...
现有的汽车空调系统中R134a制冷剂因其较高的温室效应指数(GWP)面临淘汰,寻找新型环保制冷剂作为汽车空调上R134a的替代制冷剂变得尤为重要。R1234yf的物理性质与R134a相近,可作为车用空调R134a的主要替代制冷剂。将R1234yf直接灌注替代原有车用空调中的R134a会造成一定程度的系统性能下降,在现有的R1234yf系统中添加回热器是一个重要的研究方向,但不同尺寸型号的回热器对于系统综合性能的影响区别较大。本文通过建立仿真计算模型的方式,对R1234yf系统中的回热器结构参数进行优化。结果显示,经过优化后的R1234yf系统的性能可以得到显著的提高,达到与R134a轿车空调系统相当的水平。相比原有的R1234yf系统,直接替代系统制冷量提升15.7%,系统性能系数(COP)提升10%;相比原R134a系统制冷量提升3.2%,COP提升2.7%。
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关键词
R1234yf
汽车空调
回热器
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职称材料
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
2
作者
官
郭
沁
邹荣
+6 位作者
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
《现代电子技术》
2021年第6期1-5,共5页
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚...
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。
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关键词
氧化钽
阻变存储器
电压调制
初始化电压
阻变单元
置位/复位电压
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职称材料
题名
回热器在R1234yf汽车空调系统中的应用与优化
被引量:
6
1
作者
张耘
张科
官
郭
沁
顾屹
戚东纬
陈江平
李宴辉
机构
上海交通大学制冷与低温工程研究所
上海加冷松芝汽车空调股份有限公司
出处
《制冷技术》
2018年第5期18-24,共7页
文摘
现有的汽车空调系统中R134a制冷剂因其较高的温室效应指数(GWP)面临淘汰,寻找新型环保制冷剂作为汽车空调上R134a的替代制冷剂变得尤为重要。R1234yf的物理性质与R134a相近,可作为车用空调R134a的主要替代制冷剂。将R1234yf直接灌注替代原有车用空调中的R134a会造成一定程度的系统性能下降,在现有的R1234yf系统中添加回热器是一个重要的研究方向,但不同尺寸型号的回热器对于系统综合性能的影响区别较大。本文通过建立仿真计算模型的方式,对R1234yf系统中的回热器结构参数进行优化。结果显示,经过优化后的R1234yf系统的性能可以得到显著的提高,达到与R134a轿车空调系统相当的水平。相比原有的R1234yf系统,直接替代系统制冷量提升15.7%,系统性能系数(COP)提升10%;相比原R134a系统制冷量提升3.2%,COP提升2.7%。
关键词
R1234yf
汽车空调
回热器
Keywords
R1234yf
Automobile air conditioner
Internal heat exchanger
分类号
U463.851 [机械工程—车辆工程]
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职称材料
题名
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
2
作者
官
郭
沁
邹荣
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
机构
上海交通大学
上海华力微电子有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
中国科学院微电子研究所
出处
《现代电子技术》
2021年第6期1-5,共5页
基金
国家重点研发计划(2018YFB0407500)。
文摘
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。
关键词
氧化钽
阻变存储器
电压调制
初始化电压
阻变单元
置位/复位电压
Keywords
tantalum oxide
resistive random access memory
voltage modulation
initialization voltage
resistive cell
setting/resetting voltage
分类号
TN389-34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
回热器在R1234yf汽车空调系统中的应用与优化
张耘
张科
官
郭
沁
顾屹
戚东纬
陈江平
李宴辉
《制冷技术》
2018
6
下载PDF
职称材料
2
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
官
郭
沁
邹荣
左青云
田盼
吕杭炳
田志
王奇伟
曾敏
杨志
《现代电子技术》
2021
0
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