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高ε_(r)微波介质陶瓷的结构、介电性质及其研究进展 被引量：55
1
作者 吕文中 张道礼 +3 位作者 黎步银 姜胜林 周东祥 王红玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期572-576,共5页
讨论了BaO-Ln2O3-TiO2(Ln为镧系稀土元素,下同)、CaO-Li2O-Ln2O2-TiO2、铅基钙钛矿等系列高εr微波介质陶瓷的结构、介电性质,分析了其介电性质随不同A位、B位离子的变化规律。指出A位、B位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料相组成... 讨论了BaO-Ln2O3-TiO2(Ln为镧系稀土元素,下同)、CaO-Li2O-Ln2O2-TiO2、铅基钙钛矿等系列高εr微波介质陶瓷的结构、介电性质,分析了其介电性质随不同A位、B位离子的变化规律。指出A位、B位离子的性质、晶体结构、晶胞大小、材料相组成等对材料的介电系数εr、品质因数Q、谐振频率温度系数τf有决定性影响,钛氧八面体的存在是材料产生高εr的主要原因。随A位离子半径的增大、B位离子半径的减小,材料的εr升高,Q值降低。传统的极化损耗机制不能完全解释该类材料的介电特性。今后的发展趋势是利用复合效应来得到εr更高、Q值更高、同时温度稳定性良好的高性能材料。 展开更多
关键词 高ε_(r)微波介质陶瓷 介电特性 结构 极化 损耗
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热释电红外传感器及其在人员计数系统中的应用 被引量：32
2
作者 易金桥 黄勇 +2 位作者 廖红华 谭建军 姜胜林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第4期1186-1192,共7页
针对图像采集人员计数系统复杂、价格昂贵等缺点,在分析热释电效应以及红外传感的基础上,采用BISS0001型信号处理专用集成芯片设计了基于RE200B热释电红外传感器的放大电路,研究其在不同人体运动状态下的输出波形;设计了以双热释电红外... 针对图像采集人员计数系统复杂、价格昂贵等缺点,在分析热释电效应以及红外传感的基础上,采用BISS0001型信号处理专用集成芯片设计了基于RE200B热释电红外传感器的放大电路,研究其在不同人体运动状态下的输出波形;设计了以双热释电红外传感器为信号采集单元,以CortexM3单片机为控制核心的人员计数系统,并研究其主要算法。实验结果表明,RE200B型热释电红外传感器的输出波形能够准确表征人体的不同运动状态,基于双热释电红外传感器的人员计数系统能准确分辨人体的运动方向,并实时计数,可广泛应用于人体探测和人员计数等领域。 展开更多
关键词 热释电效应 红外传感 人员计数 RE200B CORTEX-M3
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C理论、C原则与中国管理哲学 被引量：28
3
作者 成中英 晁罡 +1 位作者 姜胜林 岳磊 《管理学报》 CSSCI 北大核心 2014年第1期22-36,共15页
理性化管理和人性化管理是管理哲学的2个极端。从这2个极端的区别来看,必须要认识这样一个创造性原则(即"C原则"):把着眼整体、把握全局的理念应用到管理领域的方方面面,正如我们必须利用自己的全部知识和价值储备——这些知... 理性化管理和人性化管理是管理哲学的2个极端。从这2个极端的区别来看,必须要认识这样一个创造性原则(即"C原则"):把着眼整体、把握全局的理念应用到管理领域的方方面面,正如我们必须利用自己的全部知识和价值储备——这些知识和价值观在复杂文化背景下是相互作用的——来作出每一个抉择一样。"C原则"强调管理是人类改造不可分割的一部分。此外,它集合了科学知识和技术的使用以及人类在这样一个产生、平衡和不断发展的开放系统中的各种功能和目的,其外部聚焦于世界性的变化,内部聚焦于人类的需要和它们的统一。字母C代表着创造性、权变、文化、中国传统和儒家精髓以及其对管理实务的具有创新意识的最佳吸取。 展开更多
关键词 C理论 中国哲学 决策 领导 管理 系统观点
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喷雾造粒因素对粉体颗粒形成的影响 被引量：16
4
作者 章登宏 龚树萍 +4 位作者 周东祥 姜胜林 汪小红 谭险峰 奚玉敏 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期7-9,19,共4页
通过研究BaTiO3浆料的造粒干燥过程 ,雾化条件、固含量、粘结剂的比例对PTC粉体是形成致密颗粒还是空心颗粒或絮状颗粒起决定性作用 ,实验证实 ,高固体物含量、适量的粘结剂和较高泵压是形成实心颗粒、松装密度大的粉体的重要条件 。
关键词 喷雾造粒因素 干燥 致密颗粒 钛酸钡浆料
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压电能量收集器的研究现状 被引量：18
5
作者 王青萍 王骐 姜胜林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期72-76,共5页
压电能量收集器是能量转换的核心器件之一,其性能的好坏直接决定输出能量的大小及能量转换效率的高低。综述了压电能量收集器的组成部分和各个方面:压电材料、器件结构及振动模式的特性、应用状况和存在的问题,分析了各部分的优缺点,并... 压电能量收集器是能量转换的核心器件之一,其性能的好坏直接决定输出能量的大小及能量转换效率的高低。综述了压电能量收集器的组成部分和各个方面:压电材料、器件结构及振动模式的特性、应用状况和存在的问题,分析了各部分的优缺点,并对压电能量收集器的研究方向作了展望。 展开更多
关键词 压电陶瓷 压电效应 综述 压电能量收集器
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热释电非制冷红外焦平面现状及发展趋势 被引量：9
6
作者 陈实 张海波 +2 位作者 姜胜林 曾亦可 刘梅冬 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期419-423,436,共6页
一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像。混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大。分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵... 一维和二维阵列的热释电非制冷红外焦平面非常适合应用于热成像。混合式的BST铁电探测器降低了成本,市场潜力巨大。分析了热释电非制冷红外焦平面阵列探测技术的优势,介绍了热释电非制冷红外探测器工作原理及热释电非制冷红外焦平面阵列对探测材料的要求,指出了混合式及单片式热释电非制冷红外焦平面阵列发展趋势。制备高一致性和高性能的大阵列的探测元是发展非制冷红外焦平面的关键,针对我国在热释电非制冷红外焦平面阵列研究方面存在的问题,提出了下一步研究的方向及重点。 展开更多
关键词 非制冷红外焦平面阵列 热释电性 发展趋势
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基于C语言的串口通讯程序设计 被引量：8
7
作者 黎步银 姜胜林 +1 位作者 吕文中 周东祥 《传感技术学报》 CAS CSCD 2002年第1期64-66,共3页
本文着重介绍三线多环回型结构电缆结构的构成 ,设计了新的发送 /接收收程序来防止信息丢失 ,用 Turbo
关键词 RS-232-C标准 C语言 智能仪表
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双施主掺杂BaTiO_3半导体陶瓷材料的研究 被引量：7
8
作者 姜胜林 龚树萍 +1 位作者 周莉 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期392-393,397,共3页
以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4... 以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3+ Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。 展开更多
关键词 双施主 掺杂方式 半导体陶瓷 钛酸钡 热敏电阻
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退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响 被引量：7
9
作者 姜胜林 林汝湛 +1 位作者 曾亦可 刘梅冬 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期102-106,共5页
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度... 应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550-950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA /mm2. 展开更多
关键词 无机非金属材料 新型溶胶-凝胶法 退火温度 ZnO陶瓷薄膜 低压压敏特性
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退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究 被引量：9
10
作者 仝金雨 姜胜林 +1 位作者 刘栋 金学淼 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1569-1571,共3页
通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响。实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2。在25℃时,... 通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响。实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2。在25℃时,薄膜的热释电系数p为0.3×10-8C/cm2.K。 展开更多
关键词 PVDF 热释电性 铁电性
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金属氧化物气敏传感器的研究现状及其发展趋势 被引量：7
11
作者 章天金 周东祥 +2 位作者 付明 龚树萍 姜胜林 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期38-40,44,共4页
综述了国内外金属氧化物气敏传感器的生产和应用概况,分析了国内外目前的生产技术水平与现状,展望了金属氧化物气敏传感器的发展前景。
关键词 金属氧化物 气敏 传感器 气敏器件 现状 发展
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MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响 被引量：10
12
作者 姜胜林 王筱珍 张绪礼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第1期34-36,共3页
ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明，添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０，机电耦合系数是ｋｔ... ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明，添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０，机电耦合系数是ｋｔ＝２４８．５％，机械品质因数Ｑｍ＝１５００，居里温度Ｔｃ＝４３５℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。 展开更多
关键词 改性 钛酸铅陶瓷 压电陶瓷 压电性能
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热释电红外测温系统 被引量：9
13
作者 曾亦可 刘梅冬 +2 位作者 姜胜林 李军 周东祥 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2004年第2期273-276,共4页
介绍了利用热释电红外传感器(探测器)进行非接触式红外测温的原理、红外测温系统结构和信号处理电路的组成,目的是实现对移动物体的非接触式温度测量。以此为基础,组装了一套微机红外测温实验装置,用该装置测定了目标表面温度变化规律... 介绍了利用热释电红外传感器(探测器)进行非接触式红外测温的原理、红外测温系统结构和信号处理电路的组成,目的是实现对移动物体的非接触式温度测量。以此为基础,组装了一套微机红外测温实验装置,用该装置测定了目标表面温度变化规律。在大约190℃测量精度达到最高,其残差为9 5。测试结果表明,热释电红外测温系统有望实现实用化。 展开更多
关键词 热释电红外传感器 热释电红外测温系统 非接触式温度测量 系统结构 信号处理电路
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高温高频用改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究 被引量：9
14
作者 晏伯武 林汝湛 +2 位作者 张海波 姜胜林 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期418-420,共3页
基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料,对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的(1-x)PbT iO3+x Pb(Cd4/9N b2/9W3/9)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.2时,掺入适量的改性添加物M nO2,经适当的工艺过程,可得压电性能优... 基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料,对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的(1-x)PbT iO3+x Pb(Cd4/9N b2/9W3/9)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.2时,掺入适量的改性添加物M nO2,经适当的工艺过程,可得压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中,材料的居里温度TC≥480°C,机械品质因数Qm>2 000,机电耦合系数kt可达0.45,介电常数ε约为200,是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。 展开更多
关键词 高温高频应用 改性PbTiO3陶瓷 压电陶瓷材料
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铁电薄膜热释电非致冷红外传感器研究 被引量：5
15
作者 刘梅冬 陈实 +4 位作者 李元昕 曾亦可 姜胜林 邓传益 刘少波 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2004年第2期3-4,28,共3页
阐述了铁电薄膜热释电非致冷红外传感器的工作原理,对铁电薄膜材料的要求及sol gel铁电薄膜电性能。研究了BST铁电薄膜红外传感器的制备工艺与测试方法。研制出单元和8元、9元、10元线列铁电薄膜热释电非致冷红外传感器。
关键词 铁电薄膜 热释电效应 铁电材料 非致冷红外传感器
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BST溶胶-凝胶的化学与热反应过程研究 被引量：7
16
作者 曾亦可 刘梅冬 +1 位作者 姜胜林 刘少波 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期38-40,共3页
以国产Ba和Sr醋酸盐为主要原材料 ,采用Sol Gel技术制备了稳定性极好的 (Ba0 .73 Sr0 .2 7)TiO3(BST2 7)溶胶 凝胶 .研究了BST2 7溶胶 凝胶的化学和热反应过程 .用透射电子显微镜 (TEM)分析BST2 7溶胶可知 ,其接触达到分子级水平且混合... 以国产Ba和Sr醋酸盐为主要原材料 ,采用Sol Gel技术制备了稳定性极好的 (Ba0 .73 Sr0 .2 7)TiO3(BST2 7)溶胶 凝胶 .研究了BST2 7溶胶 凝胶的化学和热反应过程 .用透射电子显微镜 (TEM)分析BST2 7溶胶可知 ,其接触达到分子级水平且混合相当均匀 .研究结果证明以乙二醇单乙醚为主要溶剂配制BST2 7溶胶制备BST2 7铁电薄膜可降低其合成温度 ,同时也避免了中间相的产生 . 展开更多
关键词 非致冷红外焦平面阵列 溶胶-凝胶 钛酸锶钡 溶胶-凝胶 BST 化学反应 热反应
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籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器 被引量：5
17
作者 章天金 周东祥 +1 位作者 龚树萍 姜胜林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第4期10-11,共2页
研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。
关键词 籽晶 压敏电阻器 氧化锌
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Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响 被引量：9
18
作者 黄国贤 姜胜林 +2 位作者 郭立 张光祖 翁俊梅 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期24-26,35,共4页
采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能... 采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。 展开更多
关键词 氧化锌压敏电阻 Zn2SiO4掺杂 晶粒 电学性能
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Al_2O_3掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究 被引量：7
19
作者 章天金 周东祥 姜胜林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期519-521,共3页
研究了Al2 O3 掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响 ,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明 :对于Al2 O3 掺杂ZnO压敏陶瓷 ,其晶粒生长的动力学指数n等于 4,激活能Q等于 ( 40 0± 2 6 )kJ/mol... 研究了Al2 O3 掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响 ,应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明 :对于Al2 O3 掺杂ZnO压敏陶瓷 ,其晶粒生长的动力学指数n等于 4,激活能Q等于 ( 40 0± 2 6 )kJ/mol。Al2 O3 掺杂ZnO压敏瓷的晶粒生长机理是ZnAl2 O4尖晶石颗粒在ZnO压敏瓷晶粒边界钉扎过程中Al3 +和O2 -通过ZnAl2 O4尖晶石的扩散。 展开更多
关键词 ZNO压敏陶瓷 钉扎 掺杂 晶粒边界 尖晶石 AL^3+ 激活能 晶粒生长 指数和 Al2O3
全文增补中
铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量：8
20
作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 PZT 相结构 低损耗 体电阻率
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