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HgCdTe注入工艺研究 被引量：1
1
作者 刘心田 包昌珍 +3 位作者 刘志衡 褚君浩 李韶先 周茂树 《红外与激光工程》 EI CSCD 1998年第5期36-38,共3页
HgCdTe是制造焦平面阵列最受关注的材料,注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但HgCdTe特性"娇嫩",如Hg易分凝,因此研究这种材料的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响,研究了不同注入能量... HgCdTe是制造焦平面阵列最受关注的材料,注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但HgCdTe特性"娇嫩",如Hg易分凝,因此研究这种材料的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响,研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入HgCdTe的热学分析,实验研究了HgCdTe注入的工艺条件,束流与注入能量是Hg分凝的主要因素。 展开更多
关键词 碲镉汞 离子注入 红外探测器
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长波Ge_xSi_(1-x)/Si异质结红外探测器和400×400元成象阵列
2
作者 周茂树 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第4期50-52,61,共4页
已制成截止波长16/μm具有接近理想热离子发射的暗电流特性的Ge_xSi_(1-x)/Si异质结內光发射红外探测器。由截止波长9.3μm的Ge_(0.44)、Si_(0.56)/Si探测器和单片CCD读出电路组成的400×400元焦平面阵列,在长波红外波段进行了成象... 已制成截止波长16/μm具有接近理想热离子发射的暗电流特性的Ge_xSi_(1-x)/Si异质结內光发射红外探测器。由截止波长9.3μm的Ge_(0.44)、Si_(0.56)/Si探测器和单片CCD读出电路组成的400×400元焦平面阵列,在长波红外波段进行了成象演示,不经均匀性校正取得了高质量图象。 展开更多
关键词 红外探测器 异质结探测器 成象阵列
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四种半导体超晶格材料制作长波红外探测器竞相发展
3
作者 周茂树 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第3期1-4,11,共5页
本文综述四种半导体超晶格量子阱材料的长波红外探测器的现状、发展前景、存在的问题及优缺点比较。
关键词 分子束外延 量子阱 红外探测器
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碲镉汞薄膜的进展与趋势
4
作者 周茂树 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第6期1-4,共4页
本文针对响应波长8～12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,... 本文针对响应波长8～12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,MBE工艺的进展与理论上预示的优点在实验中得到了证实。两者相比较,它们相互易位,过去10多年把LPE作为生长MCT薄膜的主要方法,现在已转向以MBE(也包括MOCVD)作为今后生长MCT薄膜的主攻方向。 展开更多
关键词 碲镉汞薄膜 液相外延 分子束外延
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制作红外探测器的新三元合金材料的进展
5
作者 周茂树 陈洪钧 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-4,共4页
本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应... 本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8～14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。 展开更多
关键词 红外探测器 材料 合金 HgMnTe
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外延生长碲镉汞薄膜的现状和前景
6
作者 周茂树 《红外与激光技术》 CSCD 1990年第1期1-6,共6页
本文简要综述了液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物汽相外延(MOVPE)生长碲镉汞(MCT)单晶薄膜的工艺特点,存在的问题和发展趋势.
关键词 碲镉汞 薄膜 外延生长
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HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性 被引量：3
7
作者 刘心田 包昌珍 +2 位作者 褚君浩 周茂树 李韶先 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第6期22-24,共3页
运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。
关键词 碲镉汞 离子注入 表面损伤 红外探测器
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