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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制 被引量：9
1
作者 莫春兰 方文卿 +2 位作者 刘和初 周毛兴 江风益 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期58-61,共4页
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED... 利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd. 展开更多
关键词 INGAN 多量子阱 LED 材料生长 SI(111)衬底 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 SI衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 IED 热失配 AIN 管芯
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Si衬底GaN基LED理想因子的研究 被引量：5
2
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 周毛兴 刘和初 莫春兰 王立 江风益 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期45-48,共4页
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,... 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。 展开更多
关键词 SI衬底 GAN LED 理想因子
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硅衬底GaN基LED的研究进展 被引量：5
3
作者 莫春兰 方文卿 +3 位作者 王立 刘和初 周毛兴 江风益 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期422-429,共8页
与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在S... 与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED。 展开更多
关键词 发光二极管 GAN SI衬底
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Si衬底GaN基LED的结温特性 被引量：5
4
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 莫春兰 周毛兴 刘和初 熊传兵 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期211-214,共4页
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发... 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。 展开更多
关键词 SI衬底 GAN 发光二极管 结温
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新型紫外光源研制成功 被引量：6
5
作者 江风益 熊传兵 +9 位作者 彭学新 王立 李述体 姚冬敏 莫春兰 李鹏 周毛兴 周力 吴蔚登 刘和初 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期30-30,共1页
以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 ... 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。 展开更多
关键词 发光二极管 紫外光源 氮化镓半导体材料
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