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TiO_2/V_2O_5双层薄膜的TMA气敏特性研究 被引量:14
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作者 童茂松 戴国瑞 +2 位作者 何秀丽 远大 高鼎三 《传感器技术》 CSCD 2000年第4期5-6,10,共3页
报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气... 报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄膜沉积在带有金梳状电极的陶瓷管和硅片上 ,进行了X射线衍射(XRD)分析 ,并且测量其对三甲基胺 (TMA)的气敏特性。结果发现该双层薄膜对TMA具有高灵敏度、良好的选择特性和快速的响应恢复特性。 展开更多
关键词 双层薄膜 PRCVD 溶胶-凝胶 三甲基胺 气敏特性
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基于绝缘硅的微环谐振可调谐滤波器 被引量:17
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作者 李帅 远大 +4 位作者 尹小杰 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1143-1148,共6页
采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽... 采用电子束光刻和感应耦合等离子刻蚀等工艺,研制了一种基于绝缘硅材料的的微环谐振可调谐滤波器.滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350~500nm)×220nm不等.测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比为22.1dB.通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4℃~60℃温度范围内实现了4.8nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm/℃.研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰. 展开更多
关键词 绝缘硅 微环谐振 热光效应 滤波器 串扰
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基于微环谐振腔的可调谐滤波器的研究 被引量:11
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作者 丹宁 远大 +2 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期254-260,共7页
采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000μm×500μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下载功能。其自由频谱宽度约... 采用深紫外光刻及等离子体刻蚀等工艺制备基于绝缘体上硅材料的环形滤波器,且微环半径仅为5μm。制备基于单微环的4通道光分插复用器,器件尺寸仅为3000μm×500μm。测试结果表明,该器件可以很好地实现上下载功能。其自由频谱宽度约为19.6 nm,最大消光比为19.76 d B。同时优化设计制备基于跑道型双微环可调谐光分插复用器。对这两种结构的光分插复用器的相邻信道间串扰进行测试,基于单微环滤波器和跑道型双微环滤波器的信道间最大串扰分别为-11.94 d B和-20.04 d B。所设计的基于双微环光分插复用器上下载通道与主信道间没有交叉波导结构,因此相邻通道串扰明显低于单环型的光分插复用器。同时设计并制备基于双微环PIN结型电光调制器。当偏置电压增加到1.6 V时,谐振峰发生0.78 nm的蓝移,并对测试结果进行分析。 展开更多
关键词 光学器件 脊形波导 可调谐滤波器 电光调制器 光复用技术 谐振腔
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AWG用Si基SiO_2波导材料的制备 被引量:6
4
作者 张乐天 远大 +4 位作者 邢华 李爱武 郑伟 刘国范 张玉书 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期868-871,共4页
平面光波导在光波分复用技术中起着重要的作用 ,尤其是 Si基 Si O2 波导器件在光通信领域中具有许多优点。因此 ,如何在 Si衬底上制备出性能稳定良好的 Si O2 光波导材料至关重要。本文介绍了几种制备 Si O2
关键词 AWG SiO2 波导材料 波分复用 热氧化法 溶胶-凝胶法 阳极氧化法 化学汽相法 火焰水解法 二氧化硅 列阵波导光栅
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SoI基微环谐振可调谐滤波器 被引量:11
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作者 姜宏伟 远大 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期813-815,共3页
采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.... 采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出绝缘体上Si(SoI)基纳米线波导微环谐振(MRR)滤波器,波导截面尺寸为300 nm×320 nm,微环半径为5μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为16.8 nm,1.55μm波长附近的消光比(ER)为18.1 dB。通过对MRR滤波器进行热光调制,在21.4-60.0℃温度范围内实现了4.8 nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12 nm/℃。 展开更多
关键词 绝缘体上Si(SoI) 纳米线波导 微环谐振(MRR) 滤波器 热光效应
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阵列波导光栅解复用器的偏振相关损耗的优化 被引量:8
6
作者 孙健 远大 +1 位作者 卫锋 单崇新 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期227-231,共5页
对硅基二氧化硅阵列波导光栅解复用器(AWG DEMUX)的偏振相关损耗(PDL)进行了优化。理论分析了引起AWG偏振相关性的物理因素以及消除偏振相关性的工艺方法和条件。利用化学气相沉积、光刻和刻蚀等半导体工艺制备了AWG DEMUX芯片,并结合... 对硅基二氧化硅阵列波导光栅解复用器(AWG DEMUX)的偏振相关损耗(PDL)进行了优化。理论分析了引起AWG偏振相关性的物理因素以及消除偏振相关性的工艺方法和条件。利用化学气相沉积、光刻和刻蚀等半导体工艺制备了AWG DEMUX芯片,并结合理论分析对包层材料中的硼(B)、磷(P)含量进行了优化调整,成功地将芯片的PDL降低至0.12 dB,使PDL参数满足芯片的商用化需求。 展开更多
关键词 光通信 阵列波导光栅 解复用器 偏振相关损耗
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火焰水解法制作SiO_2平面波导材料 被引量:4
7
作者 远大 邢华 +4 位作者 张乐天 韦占雄 郑伟 刘国范 张玉书 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期117-120,共4页
采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2 /GeO2 :SiO2 预制材料 ,然后在真空中 /空气气氛中高温处理 ( 1380℃ )后 ,制得玻璃化的SiO2 /GeO2 :SiO2 膜材料。该材料膜厚适中 ( 10~ 30μm)、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波... 采用火焰水解法在Si基上淀积SiO2 /GeO2 :SiO2 预制材料 ,然后在真空中 /空气气氛中高温处理 ( 1380℃ )后 ,制得玻璃化的SiO2 /GeO2 :SiO2 膜材料。该材料膜厚适中 ( 10~ 30μm)、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。利用XRD ,SEM和台阶仪等仪器对SiO2 展开更多
关键词 火焰水解法 光波导 二氧化硅 平面波导材料
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紫外光直写杂化溶胶-凝胶SiO_2光波导器件 被引量:6
8
作者 王玥 远大 +5 位作者 李建光 安俊明 王红杰 尹小杰 张家顺 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1130-1133,共4页
利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技术,制作出1×2,1×4多模干涉(MMI)型分束... 利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技术,制作出1×2,1×4多模干涉(MMI)型分束器,并且观测到了分光效果较好的近场输出图像. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 紫外光直写 杂化 光波导
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高线性波分复用模拟光链路的设计及实现 被引量:3
9
作者 黄宁博 远大 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2023年第5期97-102,共6页
面向多路射频模拟信号的高线性传输需求,基于强度调制-直接探测的原理,提出了基于波分复用技术的模拟射频光传输方案;利用高线性度模拟直调半导体激光器、波分复用器、模拟光电探测器,设计了基于微波光子技术的波分复用射频光传输链路,... 面向多路射频模拟信号的高线性传输需求,基于强度调制-直接探测的原理,提出了基于波分复用技术的模拟射频光传输方案;利用高线性度模拟直调半导体激光器、波分复用器、模拟光电探测器,设计了基于微波光子技术的波分复用射频光传输链路,该链路具有低串扰、低失真、链路增益可调等性能。利用该链路进行了直调激光器、驱动控制电路、射频光发射模块和光接收模块的样机研制。对所研制出的样机进行了实验测试。测试结果表明:通道增益可在-30~10 dB调谐,通道内基波与二次谐波抑制比高于50 dB,相邻及非相邻通道间射频串扰均低于60 dB,相位一致性在±5°以内。针对不同的信号输入功率,在线调整链路增益,改善链路的信噪比或非线性失真效应。设计和研制的样机可用于低频段射频信号的光纤传输。 展开更多
关键词 光纤通信 射频光传输 直调半导体激光器 模拟光链路
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1310nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展 被引量:5
10
作者 刘丽杰 远大 +3 位作者 王玥 安俊明 胡雄伟 王佐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期809-815,共7页
垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、... 垂直腔面发射激光器(VCSELs)在光纤通讯领域有着广泛的应用前景,国际上对VCSELs需求逐年增加,而国内目前VCSELs的产业化尚属空白。本文从两方面着手综述1 310 nm VCSELs制备方法。将可以制备出1 310 nm VCSELs的4种材料,从理论、制备、量产时需要考虑的因素等方面进行较为全面的汇总分析;同时对两种主流的制备方法从工艺步骤分析其在产业化方面的优势与不足。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 1310nm 产业化
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基于悬浮波导的低功耗聚合物热光开关 被引量:5
11
作者 孙健 远大 +2 位作者 安俊明 卫锋 单崇新 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期61-65,共5页
设计制备了一种低功耗的马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型聚合物热光开关器件,为降低开关的功耗,将器件加热区的调制臂波导设计成悬浮波导,从而抑制波导芯区处热量向硅衬底的扩散。模拟结果显示,相比于传统波导结构的热光开关,悬浮波导结构可... 设计制备了一种低功耗的马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型聚合物热光开关器件,为降低开关的功耗,将器件加热区的调制臂波导设计成悬浮波导,从而抑制波导芯区处热量向硅衬底的扩散。模拟结果显示,相比于传统波导结构的热光开关,悬浮波导结构可以明显减少热扩散。利用半导体工艺成功制备了具有悬浮波导结构的热光开关器件,在1550 nm工作波长下,热光开关的功耗为9.3 mW,消光比为21 dB,开关的上升和下降时间分别为392μs和697μs。 展开更多
关键词 集成光学 集成光学器件 热光开关 聚合物波导 功耗 消光比
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二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理 被引量:3
12
作者 远大 邢华 +4 位作者 卓仲畅 余永森 郑伟 刘国范 张玉书 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期53-56,共4页
采用火焰水解法 ( FHD)在 Si片上快速淀积出 Si O2 厚膜材料 ,材料膜厚 40 μm以上 ,生长速率 8μm/ min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理 ,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料 .利用 XRD,SEM,电子显微镜等仪器对 Si O2
关键词 火焰水解法 高温致密化 玻璃态 二氧化硅厚膜材料 半导体
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硅纳米槽微环谐振器温度特性研究 被引量:4
13
作者 宋世娇 安俊明 +2 位作者 赵雷 远大 胡雄伟 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2010年第12期75-79,共5页
理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/... 理论上模拟分析了硅基绝缘(SOI)槽波导微环谐振腔加盖SiO2包覆层情况下的温度稳定特性。对比了槽微环和纳米线微环,以及不同结构的槽微环谐振腔的温度稳定性。得到在室温下,5μm半径槽微环在1.55μm附近的谐振波长随温度变化为0.049nm/℃,而相同温度、半径以及折射率情况下纳米线微环谐振波长随温度变化为0.092nm/℃,是槽微环的1.88倍。而且改变槽微环的槽宽和两侧Si条的宽度也会对微环的温度特性有影响,增加槽宽或者减小Si条宽度都会使谐振波长随温度的变化进一步减小。通过采用负温度系数聚合物材料WIR30-490和优化槽波导的结构参数,使得温度对微环谐振波长的影响降低到0.0023nm/℃。 展开更多
关键词 集成光学 槽波导 微环 温度稳定性
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光敏杂化溶胶-凝胶法研制多模干涉波导分束器 被引量:4
14
作者 远大 安俊明 +5 位作者 王玥 尹小杰 张家顺 李建光 王红杰 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1452-1454,共3页
采用有机/无机杂化溶胶-凝胶方法制备高质量的SiO2薄膜和光敏性薄膜材料;利用三维FD-BPM(finitedifference beam propagation method)研究了掩埋式和暴露式矩形波导结构多模干涉(MMI)型光功率分束器的主要性能,理论模拟发现,掩埋式矩形... 采用有机/无机杂化溶胶-凝胶方法制备高质量的SiO2薄膜和光敏性薄膜材料;利用三维FD-BPM(finitedifference beam propagation method)研究了掩埋式和暴露式矩形波导结构多模干涉(MMI)型光功率分束器的主要性能,理论模拟发现,掩埋式矩形波导结构分束器的长度、宽度和厚度容差性都优于暴露式矩形波导结构的MMI型分束器,并且具有更宽的带宽特性。通过简单的紫外曝光、显影工艺制备了1×4 MMI型波导分束器,分束器在1 550 nm波长附近的插入损耗为8.1~8.8 dB,功率分束不均匀性小于1 dB。 展开更多
关键词 杂化溶胶-凝胶 光敏 多模干涉(MMI) 分束器
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紫外写入法制作阵列波导光栅 被引量:1
15
作者 远大 张乐天 +4 位作者 邢华 李爱武 郑伟 刘国范 张玉书 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-40,共4页
 提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法(RIE)来制作阵列波导光栅(AWG)的新方法———紫外写入法。对紫外写入法制作AWG的可行性和优缺点进行了分析,设计了AWG的基本参数,并对整个工艺流程进行了设计和优化。最后,报道了本实验...  提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法(RIE)来制作阵列波导光栅(AWG)的新方法———紫外写入法。对紫外写入法制作AWG的可行性和优缺点进行了分析,设计了AWG的基本参数,并对整个工艺流程进行了设计和优化。最后,报道了本实验组获得的紫外诱导折射率变化值以及用紫外写入法制作的条形波导阵列。 展开更多
关键词 紫外写入 阵列波导光栅 火焰水解法 AWG 波分复用
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硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长 被引量:4
16
作者 远大 张乐天 +4 位作者 邢华 李爱武 郑伟 刘国范 张玉书 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期195-198,共4页
采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜... 采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料 .并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析 . 展开更多
关键词 火焰水解法(FHD) 厚膜 玻璃态 致密化
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Si纳米线阵列波导光栅制备 被引量:4
17
作者 张家顺 安俊明 +3 位作者 赵雷 宋世娇 远大 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1431-1434,共4页
采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm。利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为1... 采用绝缘层上Si(SOI)材料设计制备了3×5纳米线阵列波导光栅(AWG),器件大小为110μm×100μm。利用简单传输法模拟了器件的传输谱,并采用二维时域有限差分(FDTD)模拟中心通道输出光场的稳态分布,模拟结果表明,器件的通道间隔为11 nm,通道间的串扰为18 dB。通过电子束曝光(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀制备了所设计的器件,光输出谱测试分析表明,器件中心通道的片上损耗为9 dB,通道间隔为8.36~10.40 nm,中心输出通道的串扰为6 dB。在误差允许范围内,设计和测试的结果一致。 展开更多
关键词 阵列波导光栅(AWG) 绝缘层上硅(SOI)纳米线波导 时域有限差分(FDTD) 电子束曝光(EBL)
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基于silica波导光栅的单纤三向器的混合集成研究 被引量:4
18
作者 李俊一 安俊明 +3 位作者 远大 李建光 王红杰 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1422-1425,共4页
通过有源实时监控系统,采用手动和自动相结合的方法,将光纤、silica基阵列波导光栅(AWG)、1310nm激光器(LD)平台和1490nm、1550nm探测器(PD)平台用紫外固化胶混合集成为一新型单纤三向器。在耦合集成过程中,LD在15mA偏置电流下,三向器... 通过有源实时监控系统,采用手动和自动相结合的方法,将光纤、silica基阵列波导光栅(AWG)、1310nm激光器(LD)平台和1490nm、1550nm探测器(PD)平台用紫外固化胶混合集成为一新型单纤三向器。在耦合集成过程中,LD在15mA偏置电流下,三向器的上行出纤功率大约为-4dBm,LD和波导的耦合效率大约40%;当三向器输入1550nm光功率为1mW,PD在2.6V反向偏压下,下行输出光电流大约为76μA,波导和PD的耦合效率大约为42%。三向器中采用了对管PD集成方法。 展开更多
关键词 平面光波回路(PLC) 单纤三向器 silica阵列波导光栅(AWG) 带模斑尺寸变换的LD(SSC-LD) 探测器(PD) 紫外固化胶 有源对准技术 跨阻放大器(TIA) 微带线(MSL) 微晶玻璃
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波导材料SiO_2的火焰水解生长及表征 被引量:2
19
作者 张乐天 谢文法 +4 位作者 远大 邢华 李爱武 郑伟 张玉书 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期271-273,共3页
采用火焰法水解法在Si衬底上制备了厚度约20μm的波导下包层材料SiO2膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)及可变入射角椭圆偏振仪(VASE)对其进行了测试分析,得到了空气中1400℃退火后SiO2的均方根粗糙度为0.184nm,原子比为... 采用火焰法水解法在Si衬底上制备了厚度约20μm的波导下包层材料SiO2膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)及可变入射角椭圆偏振仪(VASE)对其进行了测试分析,得到了空气中1400℃退火后SiO2的均方根粗糙度为0.184nm,原子比为1∶2.183,在1.55μm处的折射率为1.4564。 展开更多
关键词 二氧化硅 火焰水解法 表面特性 光学常数 波导材料
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马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析 被引量:3
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作者 夏君磊 郜定山 +3 位作者 安俊明 李健 远大 胡雄伟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期645-648,共4页
通过耦合模理论分析了马赫 曾德干涉(MZI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性。结果表明,如果串扰要求在-30dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;... 通过耦合模理论分析了马赫 曾德干涉(MZI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性。结果表明,如果串扰要求在-30dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;容差达到0.6μm时,串扰仍然在-58dB;波导间距对工艺精度要求最高,要求误差小于0.03μm。 展开更多
关键词 马赫-曾德干涉仪 波分复用器 工艺容差性 串扰 容差分析
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