日盲型AlGaN PIN紫外探测器的研制 被引量：6

1

作者 黄烈云 吴琼瑶 +4 位作者 赵文伯 叶嗣荣 向勇军 刘小芹 黄绍春 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期342-344,共3页

采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿... 采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。 展开更多

关键词 紫外探测器 ALGAN 日盲 刻蚀 欧姆接触

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Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列 被引量：5

2

作者 赵文伯 赵红 +7 位作者 叶嗣荣 黄烈云 唐遵烈 罗木昌 杨晓波 廖秀英 向勇军 邹泽亚 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期21-24,共4页

报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范... 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。 展开更多

关键词 ALXGA1-XN 日盲探测器 紫外焦平面阵列 PIN光电二极管

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硅基650nm增强型光电探测器 被引量：5

3

作者 黄烈云 向勇军 孙诗 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期483-485,共3页

通过在硅PIN结构的基础上进行改进,采用硅P+PIN结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448A/W(λ=650nm),暗电流达到... 通过在硅PIN结构的基础上进行改进,采用硅P+PIN结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448A/W(λ=650nm),暗电流达到0.1nA(VR=10V),上升时间达到3.2ns。 展开更多

关键词 增强型光电探测器 PIN 响应度

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大面积枕型二维位敏探测器的研制 被引量：2

4

作者 黄烈云 莫彦祎 向勇军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期211-213,共3页

在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上,详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流、位置分辨率,以及位置线性度等性能参数进行了分析。测试结果显示,器件在峰值波长λp=930nm处的响应度... 在简要分析二维位敏探测器工作原理的基础上,详细介绍了一种大面积枕型二维位敏探测器的结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流、位置分辨率,以及位置线性度等性能参数进行了分析。测试结果显示,器件在峰值波长λp=930nm处的响应度达0.63A/W,暗电流小于300nA(VR=10V),位置分辨率小于10μm,位置非线性度小于5%。 展开更多

关键词 二维位敏探测器 大面积 枕型 横向光电响应 Gear定理

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64×64元GaN基紫外图像传感器的设计 被引量：1

5

作者 江永清 李应辉 +3 位作者 黄烈云 肖灿 叶嗣荣 向勇军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第B03期70-72,136,共4页

介绍了64×64元GaN基紫外图像传感器的结构设计和制作过程，以及需要注意的关键技术。

关键词 紫外 图像传感器 GAN ALGAN

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剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用 被引量：1

6

作者 叶嗣荣 肖灿 +1 位作者 黄烈云 向勇军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期115-117,共3页

采用剥离技术,实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接,对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理,实验结果分析及应用。

关键词 ALGAN 剥离技术 紫外探测器

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高阻p型硅大面积四象限探测器的研制 被引量：1

7

作者 向勇军 黄烈云 李作金 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期364-366,共3页

采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),... 采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),象限间串扰低于2.5%。 展开更多

关键词 高阻p型硅 四象限探测器 串扰

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硅PIN光电二极管光谱响应特性的数值模拟计算 被引量：1

8

作者 张卓勋 但伟 +3 位作者 王波 向勇军 赵珊 鲁卿 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期690-693,共4页

对硅PIN光电二极管的光谱响应特性作了详细的分析计算,得到了硅PIN光电二极管光谱响应的计算公式;给出了器件光谱响应曲线的绘制方法。实测数据与公式计算结果吻合较好。讨论了器件工艺参数变化对光谱响应的影响。

关键词 数值计算 光谱响应 硅光电二极管

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一种单片集成的光接收电路的设计 被引量：1

9

作者 邓光平 向勇军 +2 位作者 刘昌举 钟四成 李仁豪 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第6期776-778,共3页

基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。

关键词 光接收电路 跨阻放大器 光电二极管 光通信

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单晶硅表面钝化层在低能电子辐照前后的SIMS和XPS分析 被引量：1

10

作者 杨玉青 雷轶松 +4 位作者 向勇军 李刚 熊晓玲 徐建 董文丽 《核化学与放射化学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期74-80,I0003,共8页

为了研究低能电子辐照对单晶硅器件表面钝化材料中产生的化学微结构的变化,在轻掺杂P型单晶硅基底上制作了三种表面钝化膜,分别是单一SiO2钝化膜、SiO2/Si3N4复合钝化膜、硼硅玻璃/Si3N4复合钝化膜,开展了表面钝化单晶硅在最大能量70 ke... 为了研究低能电子辐照对单晶硅器件表面钝化材料中产生的化学微结构的变化,在轻掺杂P型单晶硅基底上制作了三种表面钝化膜,分别是单一SiO2钝化膜、SiO2/Si3N4复合钝化膜、硼硅玻璃/Si3N4复合钝化膜,开展了表面钝化单晶硅在最大能量70 keV的加速器电子束下的辐照实验。样品在空气气氛下辐照6 h,用二次离子质谱(SIMS)测试了辐照前后三种表面钝化膜中Si、N、B的纵深变化,同时用Ar离子刻蚀X射线表面光电子能谱(XPS)对Si元素的化学结合状态进行测试分析。结果表明:对单一SiO2钝化的轻掺杂P型材料,辐照在SiO2/Si界面产生明显的材料结构变化,界面附近的SiO2不再是完整化学计量比,而是SiOx(x<2);对SiO2/Si3N4复合钝化的轻掺杂P型材料,辐照对SiO2/Si3N4界面结构影响较小,主要的影响仍然在SiO2/Si界面,SiO2辐照分解后产生的游离O元素可扩散到SiO2/Si3N4界面;辐照在硼硅玻璃/Si界面和硼硅玻璃/Si 3N 4界面引起的变化小于在SiO2/Si界面和SiO2/Si3N4界面的变化。研究表明低能电子辐照对单晶硅表面钝化层的化学微结构损伤主要存在于SiO 2/Si界面,该结构损伤并不能通过SiO2/Si3N4复合钝化得到明显改善,而采用硼硅玻璃/Si 3N 4复合钝化有助于增强单晶硅表面及钝化层各界面材料结构的稳定性。 展开更多

关键词 表面钝化 低能电子辐照 SIMS XPS β辐伏同位素电池

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刍议国产工业机器人面临的机遇与挑战 被引量：1

11

作者 向勇军 《经济视野》 2019年第10期101-102,共2页

根据我国近几年来工业机器人市场的迅速发展,在销量这一块拥有了不断攀升的良好迹象。从2017年开始,中国的工业机器人销售量的最低估算已经是远远超于12万台,到2020年的估算,仅在国内的规模将大于以往经济收入十六亿美元左右。国产工业... 根据我国近几年来工业机器人市场的迅速发展,在销量这一块拥有了不断攀升的良好迹象。从2017年开始,中国的工业机器人销售量的最低估算已经是远远超于12万台,到2020年的估算,仅在国内的规模将大于以往经济收入十六亿美元左右。国产工业机器人的出现,对内,带动了我国的相关企业的收入水平,对外,是国外的厂商蜂拥而至的加入工厂的建设。然而,这些好的成就并不是一朝一夕的,面临的困难与挑战则是我国需要不断进行探讨研究的,更需要的是一次次难得的机遇。 展开更多

关键词 国产工业机器人 挑战 面临机遇

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氚/单晶硅器件辐伏电池模型及样机的长期稳定性研究

12

作者 杨玉青 雷轶松 +6 位作者 钟正坤 向勇军 刘业兵 李刚 秦传洲 徐建 罗顺忠 《同位素》 CAS 2021年第1期10-15,I0001,共7页

采用氚化钛源原位辐照和加速器低能电子束加速辐照实验,研究基于氚化钛/单晶硅PN结器件的氚辐伏电池模型和实验室组阵型电池原型样机的长期稳定性。测试电池模型和电池样机的氚辐伏输出随辐照时间的变化,分析辐照对单晶硅PN结型器件的... 采用氚化钛源原位辐照和加速器低能电子束加速辐照实验,研究基于氚化钛/单晶硅PN结器件的氚辐伏电池模型和实验室组阵型电池原型样机的长期稳定性。测试电池模型和电池样机的氚辐伏输出随辐照时间的变化,分析辐照对单晶硅PN结型器件的本征暗特性和器件表面层材料缺陷的影响。结果表明,氚化钛源原位辐照电池模型在115 d的辐照中辐伏输出没有明显的衰减,辐照后单晶硅器件的本征暗特性曲线变化微小。电池模型的加速器低能电子束加速辐照实验表明,加速辐照在相同电子注量下对电池造成远大于氚源原位辐照的性能损伤,但损伤仅在辐照最初期快速产生,随后基本保持稳定,电子顺磁能谱(ESR)测试加速辐照60 min单晶硅器件材料的缺陷没有明显增加。组阵型实验室电池原型样机在64个月的室温储存中,基本单元的辐伏输出性能衰减比氚的自发衰变衰减有小幅增大,增大幅度小于11.4%;另外,组阵中单元之间串并联电连接有部分失效,这是后续应重点关注的问题。 展开更多

关键词 氚辐伏电池 单晶硅换能器件 原位辐照 加速辐照 电子顺磁能谱缺陷分析

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W802型硫化氢(总硫)分析仪故障分析与排除

13

作者 王明泉 陈智勇 +2 位作者 雷华涛 冉丰华 向勇军 《石油与天然气化工》 CAS CSCD 2011年第B12期35-36,53,共3页

介绍了W802型硫化氢(总硫)在线分析仪的工作原理,分析了阿姆河右岸天然气处理厂商品气外输站的硫化氢、总硫数据异常原因,总结了故障处理方法,并提出了有关下一步工作的建议。

关键词 硫化氢检测 总硫检测 在线分析仪 分析仪故障

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怎样观察事物,写好作文

14

作者 向勇军 《聪明泉（小学1-3年级）》 2011年第2期27-27,共1页

观察事物,进行作文是小学阶段作文训练的重点之一,写好观察作文应掌握哪些方法呢?一、要确定好观察顺序。或由上而下,或从远到近……按一定顺序观察下来的事物,

关键词 作文训练 伏尔加河 观察事物 桂林山水 作者 小学阶段 重点突出 顺序 文章 确定

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岳阳楼区捣毁一处烟花爆竹非法储存仓库

15

作者 向勇军 《湖南安全与防灾》 2010年第11期62-62,共1页

幼儿园院内竟然有烟花爆竹仓库!近日，岳阳楼区安监局接市民举报：位于该区太子庙附近的一处幼儿园院内有人私存大量的烟花爆竹成品，存在严重的安全隐患，给园区和家属楼居民生命财产造成很大的安全威胁。

关键词 烟花爆竹 岳阳楼 仓库 储存 安全隐患 安全威胁 生命财产 幼儿园

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