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退火过程中晶粒生长的二维计算机模拟 被引量：12
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作者 叶日晴 赵建华 何陵辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期122-128,共7页
由于多晶体材料中晶粒取向不同，对晶粒的生长产生影响．本文以蒙特卡罗（ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ）方法为基础，通过对Ｐｏｔｔｓ算法的改进，建立快速的Ｐｏｔｔｓ算法，实现了对多晶材料在退火中晶粒生长过程的结构演化的计算机模拟和... 由于多晶体材料中晶粒取向不同，对晶粒的生长产生影响．本文以蒙特卡罗（ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ）方法为基础，通过对Ｐｏｔｔｓ算法的改进，建立快速的Ｐｏｔｔｓ算法，实现了对多晶材料在退火中晶粒生长过程的结构演化的计算机模拟和统计分析．与以前的模拟过程相比，计算量减少，逼真度较高．生长指数的模拟值约为１／３，与正常晶粒拓朴演化和理论分析的生长动力学相符合． 展开更多
关键词 退火过程 晶粒生长 显微结构 计算机模拟 蒙特卡罗方法
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