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离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究
1
作者
况
园
珠
尤大伟
+1 位作者
白新德
尤引娟
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第3期185-189,共5页
用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及...
用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出：（1）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（2）离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。
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关键词
离子束增强沉积
二硼化钛薄膜
晶化
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职称材料
离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
2
作者
况
园
珠
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期36-38,共3页
介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。
关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
离子轰击
制备
薄膜
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职称材料
光学镀膜用大束密均匀区离子源
3
作者
况
园
珠
郑保民
李安杰
《光学仪器》
2001年第5期53-57,共5页
介绍一个适用于光学镀膜用的直径为1 2 0 mm的大束密均匀区离子源的结构设计及性能参数 。
关键词
离子源
束流密度
均匀性
光学薄膜
离子束辅助镀膜
下载PDF
职称材料
双离子束动态共混法制备TaN薄膜及其性能研究
4
作者
况
园
珠
闫军
《薄膜科学与技术》
1993年第2期146-150,共5页
关键词
离子束
动态共混
TaN薄膜
性能
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职称材料
镀膜参数对离子束增强沉积氮化硼薄膜中立方相含量的影响
被引量：
1
5
作者
况
园
珠
黄小刚
+2 位作者
尢大纬
王兴民
林文廉
《真空》
CAS
北大核心
1997年第6期5-9,共5页
本文介绍用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）法在硅片上制备氮化硼（ＢＮ）薄膜及镀膜参数对膜中立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）含量的影响的试验研究，主要研究轰击离子束密、镀膜速率、轰击束中氩气的含量及衬底温度的影响。用红外（ＩＲ）谱对膜...
本文介绍用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）法在硅片上制备氮化硼（ＢＮ）薄膜及镀膜参数对膜中立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）含量的影响的试验研究，主要研究轰击离子束密、镀膜速率、轰击束中氩气的含量及衬底温度的影响。用红外（ＩＲ）谱对膜进行了分析，结果指出：（１）在给定的轰击束能量与束密下氮化硼薄膜中立方相的含量是随镀膜速率而变化的，且存在一个最佳镀膜速率值；（２）提高离子轰击束密，则此最佳镀膜速率值也相应增大；（３）镀膜速率又是随轰击束密及轰击束中氩气含量的增大而减小的；（４）衬底温度在４００℃以下时，膜中ｃ－ＢＮ相的含量随温度提高而增加。
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关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
轰击离子束密
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职称材料
题名
离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究
1
作者
况
园
珠
尤大伟
白新德
尤引娟
机构
中科院空间科学与应用研究中心
清华大学材料科学与工程系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第3期185-189,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出：（1）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（2）离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。
关键词
离子束增强沉积
二硼化钛薄膜
晶化
Keywords
IBED, TiB_2 films, Crystallization
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
2
作者
况
园
珠
机构
中国科学院空间中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第1期36-38,共3页
基金
国家自然科学基金
批号59472027
文摘
介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。
关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
离子轰击
制备
薄膜
Keywords
Cubic boron nitride(c-BN), Ion beam enhanced deposition (IBED), Ion bombardment, Ion to atom arrival ratio
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
光学镀膜用大束密均匀区离子源
3
作者
况
园
珠
郑保民
李安杰
机构
中国科学院空间科学与应用研究中心
出处
《光学仪器》
2001年第5期53-57,共5页
文摘
介绍一个适用于光学镀膜用的直径为1 2 0 mm的大束密均匀区离子源的结构设计及性能参数 。
关键词
离子源
束流密度
均匀性
光学薄膜
离子束辅助镀膜
Keywords
ion source
beam current density
uniformity
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
TB43 [理学—物理]
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职称材料
题名
双离子束动态共混法制备TaN薄膜及其性能研究
4
作者
况
园
珠
闫军
出处
《薄膜科学与技术》
1993年第2期146-150,共5页
关键词
离子束
动态共混
TaN薄膜
性能
分类号
TN304.220 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
镀膜参数对离子束增强沉积氮化硼薄膜中立方相含量的影响
被引量：
1
5
作者
况
园
珠
黄小刚
尢大纬
王兴民
林文廉
机构
中国科学院空间科学与应用研究中心
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《真空》
CAS
北大核心
1997年第6期5-9,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）法在硅片上制备氮化硼（ＢＮ）薄膜及镀膜参数对膜中立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）含量的影响的试验研究，主要研究轰击离子束密、镀膜速率、轰击束中氩气的含量及衬底温度的影响。用红外（ＩＲ）谱对膜进行了分析，结果指出：（１）在给定的轰击束能量与束密下氮化硼薄膜中立方相的含量是随镀膜速率而变化的，且存在一个最佳镀膜速率值；（２）提高离子轰击束密，则此最佳镀膜速率值也相应增大；（３）镀膜速率又是随轰击束密及轰击束中氩气含量的增大而减小的；（４）衬底温度在４００℃以下时，膜中ｃ－ＢＮ相的含量随温度提高而增加。
关键词
立方氮化硼
离子束增强沉积
轰击离子束密
分类号
O613.81 [理学—无机化学]
TB75 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究
况
园
珠
尤大伟
白新德
尤引娟
《真空科学与技术》
CSCD
1995
0
下载PDF
职称材料
2
离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展
况
园
珠
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
3
光学镀膜用大束密均匀区离子源
况
园
珠
郑保民
李安杰
《光学仪器》
2001
0
下载PDF
职称材料
4
双离子束动态共混法制备TaN薄膜及其性能研究
况
园
珠
闫军
《薄膜科学与技术》
1993
0
下载PDF
职称材料
5
镀膜参数对离子束增强沉积氮化硼薄膜中立方相含量的影响
况
园
珠
黄小刚
尢大纬
王兴民
林文廉
《真空》
CAS
北大核心
1997
1
下载PDF
职称材料
已选择
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