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纳米金刚石涂层上化学气相沉积金刚石薄膜的场电子发射 被引量：6
1
作者 蔡让岐 陈光华 +3 位作者 宋雪梅 邢光建 冯贞健 贺德衍 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1282-1285,共4页
在爆炸法合成的纳米金刚石粉涂层上,用微波等离子体化学气相沉积法制备了含有大量纳米晶的金刚石薄膜。应用XRD,Raman和SEM对其结构进行了分析。应用平面薄膜二极式结构研究了它的场电子发射特性,结果表明:这种含有纳米金刚石的薄膜具... 在爆炸法合成的纳米金刚石粉涂层上,用微波等离子体化学气相沉积法制备了含有大量纳米晶的金刚石薄膜。应用XRD,Raman和SEM对其结构进行了分析。应用平面薄膜二极式结构研究了它的场电子发射特性,结果表明:这种含有纳米金刚石的薄膜具有更低的开启电压(1.8V/μm)和更高的场发射电流密度(50mA/cm^2)。应用纳米金刚石晶粒的量子尺寸效应对这种实验结果给予了理论说明。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 微波化学气相沉积 场电子发射 量子尺寸效应 平面薄膜二极式结构
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有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响 被引量：6
2
作者 曲崇 徐征 +2 位作者 张世玉 冯贞健 田丽杰 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期46-50,共5页
利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒... 利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒,空穴是多数载流子,发光强度主要取决于电子的注入。单层器件电子的注入能力与PPV/Al界面的势垒有关;双层器件由于引进SiO2层,提高了电子的注入能力,其发光强度和发光效率较单层器件都有改善。对于3层有机-无机复合器件ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al,在两个方向上电子注入的势垒不同,电子的注入能力有所差别,交流激发时,当Al电极为负(ITO为正)时,器件的最大瞬时发光强度是当ITO电极为负(Al为正)时最大瞬时发光强度的1.3倍。 展开更多
关键词 有机-无机复合 势垒 发光强度 发光效率
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粉煤灰中植物营养元素赋存状态及应用 被引量：4
3
作者 李广慧 孙岱生 冯贞健 《环境科学与技术》 CAS CSCD 2002年第4期34-35,39,共3页
土壤化学分析表明 ,粉煤灰中一般含有丰富的矿质营养元素。这些营养元素的赋存状态决定了粉煤灰的供养能力和供养特点。通过对粉煤灰的粉晶X 射线衍射分析、扫描电镜观察以及透射电镜分析、电子探针分析 ,揭示了粉煤灰中元素的赋存状态... 土壤化学分析表明 ,粉煤灰中一般含有丰富的矿质营养元素。这些营养元素的赋存状态决定了粉煤灰的供养能力和供养特点。通过对粉煤灰的粉晶X 射线衍射分析、扫描电镜观察以及透射电镜分析、电子探针分析 ,揭示了粉煤灰中元素的赋存状态。粉煤灰中的营养元素主要赋存于玻璃相中。由于粉煤灰的玻璃质颗粒和矿物析晶体粒径细小、结构不稳定、活性很大 ,其中的营养元素易溶出。 展开更多
关键词 植物营养元素 粉煤灰 元素赋存状态 透射电镜分析 土壤化学
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cBN/SiN-p异质结的电学性质研究
4
作者 陈光华 邓金祥 +3 位作者 宋雪梅 李茂登 于春娜 冯贞健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期483-486,共4页
用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和... 用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。 展开更多
关键词 立方氮化硼/硅N-p异质结 伏-安特性 电容-电压特性
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射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜 被引量：1
5
作者 冯贞健 邢光建 +2 位作者 陈光华 于春娜 荣延栋 《科技通讯（上海）》 CSCD 2004年第1期14-18,共5页
关键词 立方氮化硼薄膜 射频溅射 制备 粘附性 两步法
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立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙 被引量：1
6
作者 冯贞健 于春娜 陈光华 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期381-384,共4页
用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台... 用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数a,进而采用有效的中间形式,确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明:随着c-BN体积分数的增加,光学带隙随之增大。确定出的光学带隙和经验公式的计算结果相吻合。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 射频溅射 光学带隙
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MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
7
作者 宋雪梅 宋道颖 +5 位作者 陈蔚忠 芦奇力 冯贞健 鲍旭红 邓金祥 陈光华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期321-324,共4页
应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分... 应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。 展开更多
关键词 MWECR-CVD法 α-Si:H薄膜 IR分析 高斯函数拟合
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