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GaAs/AlGaAs异质结的界面束缚二维激子效应 被引量：1
1
作者 袁祐荣 周济 +1 位作者 曹望和 冯禹臣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期130-139,共10页
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成... 本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势阱的二维电子(或空穴)与分布于GaAs边的三维空穴(或电子)组成的二维激子效应,解释了H线的实验结果。并讨论了不同外延生长的异质结与界面有关的发光行为。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 异质结 界面 激子
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半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法
2
作者 葛中久 李梅 +1 位作者 张志舜 冯禹臣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期257-260,共4页
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控．此法还可用于各种超晶格结... 本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控．此法还可用于各种超晶格结构参数的测量． 展开更多
关键词 X射线检测 外延 薄膜 半导体薄膜
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用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性
3
作者 冯禹臣 高大超 袁佑荣 《半导体光电》 CAS 1987年第2期-,共9页
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这... 本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 衬底 基片 MBE 激光材料 量子阱材料 外延层 均匀性 双晶衍射 低温光致发光
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