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ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能
1
作者
傅艳
珏
王春瑞
《东华大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2017年第2期286-292,共7页
采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明...
采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS_2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS_2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS_2在c轴方向上的堆积,使包覆在纳米棒上的MoS_2以少层的形式存在.原位电输运特性表明,与ZnO纳米棒和ZnO/CdS异质结纳米棒相比,ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒则呈现出了更优的电学特性.
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关键词
连续离子层吸附法
少层二硫化钼
ZnO/CdS/MoS2异质结
原位电性能
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职称材料
题名
ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能
1
作者
傅艳
珏
王春瑞
机构
东华大学理学院
出处
《东华大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2017年第2期286-292,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11174049
61376017)
文摘
采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS_2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS_2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS_2在c轴方向上的堆积,使包覆在纳米棒上的MoS_2以少层的形式存在.原位电输运特性表明,与ZnO纳米棒和ZnO/CdS异质结纳米棒相比,ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒则呈现出了更优的电学特性.
关键词
连续离子层吸附法
少层二硫化钼
ZnO/CdS/MoS2异质结
原位电性能
Keywords
successive ionic layer adsorption and reaction method
few-layer MoS2
ZnO/CdS/MoS2 heterostructure
in-situ measurements
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能
傅艳
珏
王春瑞
《东华大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
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