随着通信、对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加,对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽,而基于第三代半导体材料的GaN HEMT具备宽工作频带的特性,有满足新需求的潜力。运用传输线变压器(Transmission Line Transformer,TLT)加载铁氧体磁...随着通信、对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加,对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽,而基于第三代半导体材料的GaN HEMT具备宽工作频带的特性,有满足新需求的潜力。运用传输线变压器(Transmission Line Transformer,TLT)加载铁氧体磁芯的技术对GaN HEMT进行宽带匹配,研制了工作于20~1 000 MHz的功率放大器。通过建立和优化TLT模型,拓展频率低端,最终测试结果表明,在整个带宽内,输出功率≥107 W,增益≥11.3 d B,功率附加效率≥34.5%,成功将此功率量级的宽带功率放大器工作倍频层由3拓展到5以上。此功率放大器适用于同时要求宽带宽和高功率的系统中,如EMC测试、电子对抗和宽带通讯等。展开更多
基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100...基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100~1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 d B,PAE≥40.3%,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器。适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中。展开更多
文摘随着通信、对抗和测试设备的工作带宽逐渐增加,对相应功率放大器的带宽要求也越来越宽,而基于第三代半导体材料的GaN HEMT具备宽工作频带的特性,有满足新需求的潜力。运用传输线变压器(Transmission Line Transformer,TLT)加载铁氧体磁芯的技术对GaN HEMT进行宽带匹配,研制了工作于20~1 000 MHz的功率放大器。通过建立和优化TLT模型,拓展频率低端,最终测试结果表明,在整个带宽内,输出功率≥107 W,增益≥11.3 d B,功率附加效率≥34.5%,成功将此功率量级的宽带功率放大器工作倍频层由3拓展到5以上。此功率放大器适用于同时要求宽带宽和高功率的系统中,如EMC测试、电子对抗和宽带通讯等。
文摘基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TLT,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器。采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100~1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 d B,PAE≥40.3%,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器。适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中。
