期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Nd3+掺杂PZT薄膜的储能性能研究 被引量:1
1
作者 富永明 +2 位作者 李路成 王宁章 彭彪林 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第2期732-739,共8页
高储能密度的介电电容器可以很好地用于电子束,高功率微波,定向能武器,电磁装甲等脉冲功率系统。高的储能密度、低的损耗以及良好的温度稳定性是储能电容器的未来发展方向。采用sol-gel法在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si衬底上制备出不同Nd^(3+)... 高储能密度的介电电容器可以很好地用于电子束,高功率微波,定向能武器,电磁装甲等脉冲功率系统。高的储能密度、低的损耗以及良好的温度稳定性是储能电容器的未来发展方向。采用sol-gel法在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si衬底上制备出不同Nd^(3+)掺杂含量的富锆Pb1-3x/2NdxZr0.948Ti0.052O3(PNZT,x=0.02,0.04,0.06,0.08)薄膜。研究了不同Nd^(3+)掺杂含量PNZT薄膜微观结构、铁电性能及储能性能的影响。结果表明:所制得的薄膜均为钙钛矿纯相,且晶粒细小均匀。Nd^(3+)掺杂的PNZT薄膜拥有较高的击穿场强EBDS≈3 600 k V/cm,优异的(Pmax-Pr)值和良好的温度稳定性。随着Nd^(3+)掺杂含量的增加,储能密度和效率均呈现出先增加后减少的规律。当x=0.04时,储能密度W=20.66 J/cm3,储能效率η高达89.2%;当x=0.06时,PNZT薄膜具有最佳的温度稳定性;当x=0.08时,PNZT薄膜由驰豫铁电体向正常铁电体转变。 展开更多
关键词 PNZT薄膜 储能性能 铁电性能 溶胶-凝胶
下载PDF
底电极种类对BCZT薄膜储能性能的影响
2
作者 唐嗣麟 +2 位作者 梁国闯 彭彪林 王宁章 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第5期1422-1427,共6页
拥有高的储能密度值和良好的温度稳定性的介电薄膜电容器在现代微电子系统中非常具有吸引力。为研究不同底电极对(Ba(0.904)Ca(0.096))(Zr(0.136)Ti(0.864))O3(BCZT)薄膜储能性能的影响,采用溶胶凝胶法制备了沉积在不同底电极上的BCZT... 拥有高的储能密度值和良好的温度稳定性的介电薄膜电容器在现代微电子系统中非常具有吸引力。为研究不同底电极对(Ba(0.904)Ca(0.096))(Zr(0.136)Ti(0.864))O3(BCZT)薄膜储能性能的影响,采用溶胶凝胶法制备了沉积在不同底电极上的BCZT薄膜。除了Pt(111)/TiOx/SiO2/Si底电极(简写为Pt)外,引入了LaNiO3氧化物导电层构造LaNiO3/Pt复合底电极。微观结构测试结果表明,LaNiO3氧化物导电层的引入有效的改善了BCZT薄膜的表面形貌,薄膜表面气孔尺寸明显变小。电学性能测试结果表明,直接沉积在Pt底电极上的BCZT薄膜储能密度为8.58 J/cm^3,效率很低,仅为64.6%;相反,沉积在LaNiO3/Pt复合底电极上的BCZT薄膜在相同电场下其储能密度为12.53 J/cm^3,效率提升到84.7%。此外,沉积在LaNiO3/Pt复合底电极上的BCZT薄膜显示出良好的温度稳定性:在20~210℃的温度范围内,储能效率保持在80%以上。 展开更多
关键词 BCZT 溶胶凝胶 薄膜 储能 热稳定性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部