半导体基片上薄膜应力的测试装置 被引量：4

1

作者 杨银堂 付俊兴 +1 位作者 周端 孙青 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期298-301,共4页

半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响［１］，随着器件集成度的提... 半导体基片上薄膜应力的测试装置＊杨银堂付俊兴周端孙青（西安电子科技大学西安７１００７１）０引言应力是表征薄膜特性的一个重要参数。半导体器件中薄膜材料的应力对于器件的性能和可靠性有着重要的影响［１］，随着器件集成度的提高和新结构、新工艺的开发，这种影响... 展开更多

关键词 半导体器件 薄膜 应力测试

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6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究 被引量：3

2

作者 王平 周津慧 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 杨燕 付俊兴 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期322-325,共4页

采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方... 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。 展开更多

关键词 6H-SIC 多粒子蒙特卡罗研究 各向异性 漂移速度 平均能量 电子碰撞电离率

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基于准浮栅技术的超低压运算放大器 被引量：2

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作者 杨银堂 任乐宁 付俊兴 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期501-503,527,共4页

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大... 分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW. 展开更多

关键词 准浮栅 超低压 运算放大器 CMOS

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芯片级电磁兼容性的设计 被引量：2

4

作者 殷和国 杨银堂 +1 位作者 付俊兴 李雯 《现代电子技术》 2004年第3期52-55,共4页

介绍了电磁兼容性的基本概念、原理及其在集成电路设计中的重要性 ,对电磁兼容性设计的基本方法作了介绍 ,其中着重论述了芯片级电磁兼容性的设计方法。

关键词 集成电路 电磁兼容 设计方法 芯片

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紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究 被引量：2

5

作者 景俊海 孙青 +1 位作者 孙建诚 付俊兴 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第4期15-18,共4页

本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。

关键词 紫外汞灯 PVD 二氧化硅薄膜 汞气灯

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低气压高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究 被引量：1

6

作者 杨银堂 王平 +4 位作者 柴常春 付俊兴 徐新艳 杨桂杰 刘宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期359-365,共7页

低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入... 低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。文中提出了一个二维低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的理论模型 ,并利用“线”算法进行了数值模拟。与以往不同之处在于 ,模型中引入了掩模对入射粒子流的遮蔽效应和中性粒子在不同刻蚀表面的粘附系数的影响 ,使得模拟结果的准确性大大提高。论文最终还给出了要获得各向异性刻蚀的 e VS/k Ti 和 Γn0 /Γi0 展开更多

关键词 高密度等离子体刻蚀工艺 低气压 刻蚀轮廓 数值模拟 离子流通量 物理模型 刻蚀速率

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低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜

7

作者 景俊海 孙青 +1 位作者 付俊兴 孙建成 《材料科学进展》 CSCD 1991年第3期247-251,共5页

用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。

关键词 光化学 气相淀积 Hg敏化 Si3N4薄膜

原文传递

反应室结构与工艺参数对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响 被引量：1

8

作者 景俊海 孙青 +1 位作者 孙建诚 付俊兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期25-28,共4页

本文从反应室的几何结构出发初步讨论了气体流型对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响并初步讨论了反应室压力、气体流量对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响.

关键词 CVDSiO2 薄膜 均匀性 反应室 工艺

全文增补中

掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

9

作者 王平 杨燕 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1512-1515,共4页

在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致. 展开更多

关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度

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2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究

10

作者 王平 杨银堂 +2 位作者 崔占东 杨燕 付俊兴 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期541-544,548,共5页

目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都... 目的　对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法　在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果　计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论　可以被用来设计SiC器件和电路。 展开更多

关键词 2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 迁移率 漂移速度 平均能量

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电子回旋共振CF_4+O_2等离子体中Si_3N_4刻蚀工艺研究

11

作者 徐新艳 汪家友 +3 位作者 杨银堂 付俊兴 柴常春 王平 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期425-428,共4页

在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增... 在一台自行研制的电子回旋共振 (ECR)刻蚀系统中用CF4、O2 气体实现了Si3 N4材料的微细图形刻蚀。获得了气体流量、气体混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响。结果表明刻蚀速率在O2 含量为 0 %时最慢 ,然后随着气体混合比的增加而增大 ,当气体中O2 含量为 2 0 %时达到最大 ,然后随着气体混合比的增加而缓慢降低。保持气体混合比为 2 0 % ,刻蚀速率随气体流量增加而增大 ;同时 ,微波功率越大 ,刻蚀速率也越高。 展开更多

关键词 电子回旋共振 刻蚀工艺 等离子体 SI3N4 ECR 可靠性 微电子技术

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基于变精度模型的变外形飞行器弹道优化 被引量：1

12

作者 王健磊 陈晓宇 +3 位作者 洪厚全 李春娜 龚春林 付俊兴 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期618-627,共10页

变外形飞行器在飞行过程中可以根据需要灵活改变自身的气动外形以适应飞行条件的变化,与传统的固定外形飞行器相比,具有非常明显的优势。针对一种机翼后掠角和轴向位置可改变的变外形飞行器,提出了基于变精度模型的求解流程,并对其最优... 变外形飞行器在飞行过程中可以根据需要灵活改变自身的气动外形以适应飞行条件的变化,与传统的固定外形飞行器相比,具有非常明显的优势。针对一种机翼后掠角和轴向位置可改变的变外形飞行器,提出了基于变精度模型的求解流程,并对其最优弹道和变形规律进行了研究。将攻角、马赫数、后掠角和机翼轴向位置定义为生成训练数据的变量,建立了满足精度条件的变精度Kriging模型来预测飞行器的气动性能。将该模型作为hp自适应伪谱法的气动输入,建立了变形规律优化求解流程,并分别对固定翼飞行器和变外形飞行器以最少燃料消耗为目标进行弹道优化。在满足飞行任务要求的同时,实现了变形参数、攻角和发动机控制参数等控制量的同时优化,结果表明变外形飞行器的爬升、下降效率较高,最优弹道具有明显的优势。同时,所提出的研究流程具有通用性,可以有效降低变外形飞行器的CFD计算成本,提高变外形飞行器弹道优化效率。 展开更多

关键词 变外形飞行器 变精度模型 弹道优化 hp自适应伪谱法 变形规律

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反应室结构与工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响

13

作者 景俊海 孙青 +1 位作者 孙建诚 付俊兴 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第4期13-17,共5页

本文根据气流模型研究了反应室结构与光激发汽相淀积(PVD)SiO_2薄膜均匀性的关系,并且讨论了工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响。

关键词 PVD SIO2薄膜 均匀性 反应室

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类金刚石薄膜水润滑摩擦学特性研究进展 被引量：3

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作者 付俊兴 王谦之 周飞 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期88-93,共6页

综述类金刚石薄膜水润滑摩擦学特性的研究进展,评述薄膜在水环境中的摩擦磨损特性,分析薄膜种类、元素掺杂、对摩材料以及微结构对DLC薄膜水润滑摩擦学特性的影响,并阐述DLC薄膜在水中的摩擦磨损机制。指出:DLC薄膜水润滑摩擦学特性受... 综述类金刚石薄膜水润滑摩擦学特性的研究进展,评述薄膜在水环境中的摩擦磨损特性,分析薄膜种类、元素掺杂、对摩材料以及微结构对DLC薄膜水润滑摩擦学特性的影响,并阐述DLC薄膜在水中的摩擦磨损机制。指出:DLC薄膜水润滑摩擦学特性受薄膜制备参数和摩擦试验环境影响,通过与微结构的耦合可以进一步改善类金刚石薄膜的摩擦学特性。同时还展望了类金刚石薄膜水润滑摩擦学未来研究方向。 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 微结构 水润滑 摩擦 磨损

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