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日本半导体产业发展的赶超与创新——兼谈对加快中国芯片技术发展的思考 被引量：39
1
作者 冯昭奎 《日本学刊》 CSSCI 2018年第6期1-29,共29页
20世纪40—50年代晶体管和集成电路先后在美国诞生,日本相继引进相关技术,并研发出晶体管收音机和集成电路计算器等大众化个人化产品,以其巨大销路推动了本国半导体产业的迅速发展。日本半导体产业迅速发展的主要原因有:通商产业省对企... 20世纪40—50年代晶体管和集成电路先后在美国诞生,日本相继引进相关技术,并研发出晶体管收音机和集成电路计算器等大众化个人化产品,以其巨大销路推动了本国半导体产业的迅速发展。日本半导体产业迅速发展的主要原因有:通商产业省对企业引进消化美国先进技术实施了有效的政策引导和扶持,在60年代对尚处于初创阶段的集成电路产业实施严格保护;富于团队精神和工匠精神的半导体科技工作者、技能工人和企业经营者,构成了赶超美国先进技术所需各种人才的"绝佳搭配";在战前及战后的工业化基础上,迅速形成了独立的由集成电路产业、集成电路生产设备产业和集成电路材料产业组成的全产业链。进入21世纪,日本顺势而为,推动产业结构改革,开拓新兴技术领域,大力培育半导体产业发展新优势。 展开更多
关键词 晶体管 集成电路 半导体产业 产业结构改革 创新
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纳米线、纳米管的制备、表征及其应用 被引量：16
2
作者 韩红梅 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期1-10,共10页
在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米... 在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。 展开更多
关键词 纳米线 纳米管 制备 表征 应用 纳米器件 晶体管 大规模集成 功能器件
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科学中的计划和自由 被引量：15
3
作者 樊春良 《科学学研究》 CSSCI 北大核心 2002年第1期5-10,共6页
计划和自由之间的关系是贯穿 2 0世纪科学发展的一个重要政策议题 ,充分反映了科学与社会之间不断变化的互动关系。本文考察了 2 0世纪有关计划和自由之间关系政策争论的内容和意义 ,通过分析科学史上的案例 。
关键词 计划 自由 基础研究 国家目标 激光 晶体管 科学 科学政策
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双极型晶体管高功率微波的损伤机理 被引量：21
4
作者 范菊平 张玲 贾新章 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1319-1322,共4页
在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得... 在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究。对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律。损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得到了损伤结果。对样品进行的失效分析探明了器件的损伤部位和失效机理。结果表明,高功率微波注入主要造成B-E结的退化和损伤;从基极注入微波最易损伤晶体管,而从集电极注入则相反。 展开更多
关键词 高功率微波 晶体管 损伤 失效分析
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分立元件设计的低噪声前置放大器实用电路 被引量：16
5
作者 郭玉 鲁永康 陈波 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期795-797,共3页
根据级联网络及噪声理论,本文采用分立元件设计了一种低噪声前置放大器实用电路.测试结果表明该电路比目前市场上低噪声运放具有更低的噪声电压,是一种适于低内阻信号源较理想的低噪声前置放大器电路。
关键词 晶体管 噪声分析 参数指标 设计
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钙钛矿光电探测器的研究进展 被引量：16
6
作者 刘艳珍 李国辉 +2 位作者 崔艳霞 冀婷 郝玉英 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2019年第1期9-28,共20页
钙钛矿材料因其可调带隙工程、高吸收系数、长程平衡载流子传输距离等光学、电学特性而在光电探测领域表现出光明的应用前景。钙钛矿晶体包含了微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等不同形貌。依次介绍了基于不同形貌钙钛矿晶体制... 钙钛矿材料因其可调带隙工程、高吸收系数、长程平衡载流子传输距离等光学、电学特性而在光电探测领域表现出光明的应用前景。钙钛矿晶体包含了微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等不同形貌。依次介绍了基于不同形貌钙钛矿晶体制成的光电导型、光伏型、晶体管型与光电倍增型光电探测器的发展历史及研究现状,展示了不同类型器件在光谱响应率、探测率及响应速度等性能参数方面所表现出的不同特征。总结了钙钛矿光电探测器在柔性、窄带探测、自驱动及阵列化等特殊性能方面所取得的研究进展,并对钙钛矿光电探测器的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 光学器件 钙钛矿 光电探测器 光电导 光伏 晶体管 光电倍增
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SiC功率器件的研究和展望 被引量：14
7
作者 张玉明 汤晓燕 张义门 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期60-62,共3页
分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内... 分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内第一个SiC MPS二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1000A/cm2。研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET。所制备的SiC BCMOSFET可得到最高为90cm2/(V.s)的有效迁移率。分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用。 展开更多
关键词 碳化硅 器件 晶体管 迁移率
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K型热电偶冷端补偿方案 被引量：13
8
作者 郭锐 徐玉斌 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期331-333,共3页
回流焊是SMT行业中的关键工序,而印制板焊接的温度曲线却差异很大。国内SMT行业已经认识到这点,相继开发出各种温度曲线记录器,但受到SMT工艺中环境温度的制约,测量精度一直难以提高。本文在理论分析和实践的基础上提出一种简单可靠的... 回流焊是SMT行业中的关键工序,而印制板焊接的温度曲线却差异很大。国内SMT行业已经认识到这点,相继开发出各种温度曲线记录器,但受到SMT工艺中环境温度的制约,测量精度一直难以提高。本文在理论分析和实践的基础上提出一种简单可靠的热电偶冷端温度补偿方案,可以将测量精度由±2℃提高至±0.5℃。 展开更多
关键词 热电偶 冷端补偿 晶体管
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IGBT串联运行时的动态均压 被引量：11
9
作者 熊承义 孙奉娄 《中南民族学院学报（自然科学版）》 2000年第3期1-4,共4页
分析了高电压工作中 IGBT串联运行时导致端电压静态和动态不均衡的种种原因 ,给出了几种改善端电压不均衡的具体控制措施和电路 ,主要给出了对称均压电路和驱动控制均衡电路 .经实际应用表明效果良好 .
关键词 绝缘栅双极 晶体管 串联 动态电压均衡
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电力电子器件发展概况及应用现状 被引量：7
10
作者 赵异波 《半导体杂志》 1999年第3期23-30,共8页
回顾了电力电子器件的发展历程，对各种电力电子器件的原理、特性以及在电力电子装置中的应用进行了比较分析，最后对电力电子器件的发展前景进行了展望。
关键词 电力电子器件 晶闸管 晶体管 发展 应用
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SiC MOSFET开关特性及驱动电路的设计 被引量：12
11
作者 刘仿 肖岚 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2016年第6期101-104,共4页
与硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件的掺杂浓度更高,禁带更宽,在高电压下导通阻抗更小,因此应用于大功率场合可以提高开关频率,减小变换器体积重量。根据SiC MOSFET的开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,采用双脉冲电路对... 与硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件的掺杂浓度更高,禁带更宽,在高电压下导通阻抗更小,因此应用于大功率场合可以提高开关频率,减小变换器体积重量。根据SiC MOSFET的开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,采用双脉冲电路对其开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同阻值驱动电阻对SiC MOSFET模块开关时间和开关损耗的影响。 展开更多
关键词 晶体管 碳化硅 开关特性 驱动电路
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低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真 被引量：8
12
作者 吴郁 陆秀洪 +3 位作者 亢宝位 王哲 程序 高琰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1565-1571,共7页
提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,... 提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 展开更多
关键词 仿真 IGBT 晶体管
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SiGe器件及其研究综述 被引量：8
13
作者 孙自敏 董志伟 《半导体情报》 1999年第1期17-21,共5页
阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。
关键词 SIGE器件 HBT 异质结 晶体管 锗化硅
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论数字出版产业的运作与发展 被引量：8
14
作者 熊玉涛 《编辑之友》 CSSCI 北大核心 2010年第7期72-74,共3页
经过近20年的发展，数字出版已经成为出版产业发展的潮流和方向。但是，与工业革命史上晶体管与集成电路完全取代电子管与普通电路不同，数字出版因其固有局限而不能完全取代传统的纸质出版。事实上，目前有不少先期试水数字出版的企业... 经过近20年的发展，数字出版已经成为出版产业发展的潮流和方向。但是，与工业革命史上晶体管与集成电路完全取代电子管与普通电路不同，数字出版因其固有局限而不能完全取代传统的纸质出版。事实上，目前有不少先期试水数字出版的企业处于亏损或勉强维持运营的状态。 展开更多
关键词 数字出版产业 运作 集成电路 产业发展 纸质出版 电子管 晶体管 革命史
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IGBT的过流保护 被引量：6
15
作者 王正仕 吴益良 +1 位作者 向群 陈辉明 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第3期70-73,102,共5页
根据器件及其应用情况．介绍了ＩＧＢＴ过流保护的特点；提出了综合保护方法；进行了过流保护试验，并给出了实验波形．结果表明，ＩＧＢＴ在其额定容量的３倍过流情况下得到了可靠保护．文中还叙述了过流保护的抗干扰措施。
关键词 电力半导体器件 过电流保护 晶体管
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EXB841 驱动模块的扩展用法 被引量：6
16
作者 张国安 朱忠尼 郑峰 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期97-98,共2页
ＥＸＢ８４１驱动模块的扩展用法ＥｘｐａｎｄｅｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＤｒｉｖｅＭｏｄｕｌｅＥＸＢ８４１武汉空军雷达学院张国安朱忠尼郑峰（武汉４３００１０）１前言ＩＧＢＴ的常用驱动模块有许多种，其中ＥＸＢ系列... ＥＸＢ８４１驱动模块的扩展用法ＥｘｐａｎｄｅｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＤｒｉｖｅＭｏｄｕｌｅＥＸＢ８４１武汉空军雷达学院张国安朱忠尼郑峰（武汉４３００１０）１前言ＩＧＢＴ的常用驱动模块有许多种，其中ＥＸＢ系列应用最广。ＥＸＢ系列的优点是电路参... 展开更多
关键词 晶体管 双极性晶体管 驱动模块 EXB841模块
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RESURF原理应用于SOI　LDMOS晶体管 被引量：7
17
作者 富力文 阎力大 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期283-288,共6页
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型曲线；当埋层ＳｉＯ２和Ｓｉ层厚度一定时，Ｓｉ层的... 本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型曲线；当埋层ＳｉＯ２和Ｓｉ层厚度一定时，Ｓｉ层的杂质浓度存在一个临界值，在此浓度之下，可获得高的击穿电压．这个结论也适用于介质隔离的各种横向器件的击穿特性分析． 展开更多
关键词 晶体管 SOI LDMOS RESURF原理
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解读摩尔定律 被引量：8
18
作者 孙泉 《集成电路应用》 2004年第8期3-3,31,共2页
从上世纪60年代至今，IC业的发展让人始料未及，一块小小的硅片上的晶体管数量以惊人的速度增长着——从刚开始的几十个到现在的上亿个只用了40年的时间。然而，一条毫无理论依据的经验定律却神奇地预言了整个行业的发展速度。
关键词 IC业 发展速度 摩尔定律 行业 理论依据 数量 经验 硅片 晶体管
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基于碳纳米管的晶体管及其集成的研究进展 被引量：7
19
作者 王晓峰 黄如 +1 位作者 傅云义 张兴 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期273-278,共6页
基于碳纳米管的场效应晶体管是目前研究的热点,是所有分子电子学器件中最有可能取代MOSFET,并维持摩尔定律的器件。本文对其基本原理、发展状况和重要性进行了简述,着重介绍了目前常用的撒落法和催化剂定位方法制备碳纳米管场效应管的... 基于碳纳米管的场效应晶体管是目前研究的热点,是所有分子电子学器件中最有可能取代MOSFET,并维持摩尔定律的器件。本文对其基本原理、发展状况和重要性进行了简述,着重介绍了目前常用的撒落法和催化剂定位方法制备碳纳米管场效应管的工艺流程以及结果,并介绍了碳纳米管的掺杂以及相关集成的研究进展。 展开更多
关键词 碳纳米管 场效应 晶体管 集成 掺杂
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高电子迁移率晶体管十年 被引量：2
20
作者 张汉三 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期1-7,共7页
本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。
关键词 HEMT 晶体管
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