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FPGA器件设计技术发展综述 被引量：220
1
作者 杨海钢 孙嘉斌 王慰 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第3期714-727,共14页
现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)作为一种可编程逻辑器件,在短短二十多年里从电子设计的外围器件逐渐演变为数字系统的核心,在计算机硬件、通信、航空航天和汽车电子等诸多领域有着广泛的应用。伴随着半导体工艺... 现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)作为一种可编程逻辑器件,在短短二十多年里从电子设计的外围器件逐渐演变为数字系统的核心,在计算机硬件、通信、航空航天和汽车电子等诸多领域有着广泛的应用。伴随着半导体工艺技术的进步,FPGA器件的设计技术取得了飞跃性突破。该文在回顾FPGA发展历史的同时,对目前主流FPGA器件的前沿技术进行总结,并对新一代FPGA的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列(FPGA) VLSI 可编程器件 cmos
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CCD与CMOS图像传感器特点比较 被引量：55
2
作者 熊平 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-4,42,共5页
　简要介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较,指出二者在未来的发展中不会出现谁消灭谁的结局。
关键词 CCD cmos 图像传感器
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从Cygnal C8051F看8位单片机发展之路 被引量：70
3
作者 何立民 《单片机与嵌入式系统应用》 2002年第5期5-8,共4页
80C51是一个独特的8位单片机系列。80C51从早期Intel公司的MCS-51到PHILIPS、ATMEL等公司发展的80C51系列MCU,再到Cygnal公司最新推出的C8051F,表明了单片机的典型发展过程。Cygnal的C8051带SoC色彩,集成了嵌入式系统的许多先进技术。... 80C51是一个独特的8位单片机系列。80C51从早期Intel公司的MCS-51到PHILIPS、ATMEL等公司发展的80C51系列MCU,再到Cygnal公司最新推出的C8051F,表明了单片机的典型发展过程。Cygnal的C8051带SoC色彩,集成了嵌入式系统的许多先进技术。这些先进技术对8位MCU的发展会有推进作用。 展开更多
关键词 Cyganal C8051F 8位单片机 体系结构 cmos
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基于CCD与CMOS的图像传感技术 被引量：35
4
作者 王忠立 刘佳音 贾云得 《光学技术》 CAS CSCD 2003年第3期361-364,共4页
概述了CCD图像传感器的原理、特点及发展趋势。对CMOS图像传感器的结构和工作原理,尤其是CMOS与CCD两类图像传感之间的不同进行综述。重点介绍了CMOS图像传感器的研究现状和发展趋势。
关键词 图像传感器 cmos CCD 研究现状 发展趋势 结构 工作原理
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星敏感器技术研究现状及发展趋势 被引量：54
5
作者 刘垒 张路 +2 位作者 郑辛 余凯 葛升民 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z2期529-533,共5页
对国外星敏感器的研究现状和发展过程进行了综合分析,汇总比较了多种星敏感器的性能参数,特别介绍了CMOS APS器件的应用优势和APS星敏感器的发展现状。最后对星敏感器的发展趋势进行了简要阐述,认为星敏感器作为一种精确姿态测量装置,... 对国外星敏感器的研究现状和发展过程进行了综合分析,汇总比较了多种星敏感器的性能参数,特别介绍了CMOS APS器件的应用优势和APS星敏感器的发展现状。最后对星敏感器的发展趋势进行了简要阐述,认为星敏感器作为一种精确姿态测量装置,将在更多领域得到广泛应用。 展开更多
关键词 星敏感器 CCD cmos APS
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CMOS与CCD图像传感器的比较研究和发展趋势 被引量：50
6
作者 王旭东 叶玉堂 《电子设计工程》 2010年第11期178-181,共4页
对目前的两类图像传感器CCD和CMOS做了系统的分析和研究。对CMOS与CCD的结构特点,相关的性能参数进行了深入比较研究。针对CMOS图像传感器的低灵敏度、高噪声,暗电流,低填充度和成像质量差等技术问题,提出了DRSCAN噪声消除技术,CMOS C3... 对目前的两类图像传感器CCD和CMOS做了系统的分析和研究。对CMOS与CCD的结构特点,相关的性能参数进行了深入比较研究。针对CMOS图像传感器的低灵敏度、高噪声,暗电流,低填充度和成像质量差等技术问题,提出了DRSCAN噪声消除技术,CMOS C3D技术,片上模拟处理技术和彩色插值算法等解决途径。通过进一步对图像传感器的应用发展情况和发展趋势的分析与研究,得出:在未来发展中,由于CMOS图像传感器已经克服了已有的技术瓶颈,在视频监控,航空探测设备,医疗设备,眼膜识别,可视通信等诸多领域的应用前景将会优于CCD图像传感器。 展开更多
关键词 CCD cmos DRSCAN cmos C3D
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CMOS图像传感器发展现状 被引量：22
7
作者 赵文伯 刘俊刚 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期11-14,18,共5页
文章主要介绍了ＣＭＯＳ图像传感器的结构、单元电路、发展背景及其发展现状。
关键词 cmos 图像传感器 有源像素传感器
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CCD与CMOS图像传感器探测性能比较 被引量：25
8
作者 宋敏 郐新凯 郑亚茹 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期5-9,共5页
CCD与CMOS图像传感器由于结构和制造过程的不同而存在各自的优势与劣势。文章从结构与技术差异的角度,对二者的探测性能进行了比较,并展望了发展前景。
关键词 CCD cmos 图像传感器
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融合RFID的无线湿度传感器节点设计研究 被引量：48
9
作者 刘茂旭 何怡刚 +3 位作者 邓芳明 李兵 张利华 吴翔 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2015年第8期1171-1178,共8页
针对融合RFID的无线湿度传感器节点设计的需求,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种集成湿度传感器节点。该传感器节点采用湿度传感器与其它标签电路集成设计,制造成本低。湿度传感器单元采用聚酰亚胺作为感湿材料,利用顶层... 针对融合RFID的无线湿度传感器节点设计的需求,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计并制造了一种集成湿度传感器节点。该传感器节点采用湿度传感器与其它标签电路集成设计,制造成本低。湿度传感器单元采用聚酰亚胺作为感湿材料,利用顶层金属层制作叉指结构电极,无需任何后处理工艺。整流电路采用自偏置结构降低了MOS开关管的有效导通电压,避免了高成本肖特基工艺的使用。接口电路基于锁相环原理,采用全数字电容-数字直接转换结构,能够工作在超低电源电压下。后期测试结果显示,该无源湿度传感器标签在常温下灵敏度为18.75 f F/%RH,最大回滞偏差7%,整体功耗约为4μW,在阅读器发射功率为2 W条件下,最大工作距离达到14 m。 展开更多
关键词 RFID 湿度传感器 cmos 整流器 接口电路
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微光视频器件及其技术的进展 被引量：41
10
作者 金伟其 陶禹 +1 位作者 石峰 李本强 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3167-3176,共10页
微光夜视技术作为当今拓展人眼夜间视觉感知的主要技术之一,在军事和民用领域都有广泛的应用。随着数字图像处理技术的发展,微光视频器件为通过图像处理进一步提升夜视图像质量,为与红外热成像的图像信息融合,为提高夜间对目标探测/识... 微光夜视技术作为当今拓展人眼夜间视觉感知的主要技术之一,在军事和民用领域都有广泛的应用。随着数字图像处理技术的发展,微光视频器件为通过图像处理进一步提升夜视图像质量,为与红外热成像的图像信息融合,为提高夜间对目标探测/识别和场景理解能力等方面提供了广泛空间,成为当前国内外夜视技术发展的重要方向之一。论文综述了微光视频器件发展,分析了电真空+固体微光视频成像器件(如像增强CCD/CMOS(ICCD/ICMOS)器件、电子轰击EBCCD/EBCMOS器件等)、全固体微光视频成像器件(如电子倍增CCD器件、超低照度CMOS器件等)的特点和发展趋势,并结合法国PHOTONIS公司的LYNX计划,对微光夜视技术的发展进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 微光 视频器件 进展 EBCCD/EBcmos EMCCD cmos
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CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统 被引量：38
11
作者 李豫东 汪波 +2 位作者 郭旗 玛丽娅 任建伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2778-2784,共7页
研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性.该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性... 研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性.该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统,可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析.系统的光谱分辨率为1 nm,工作波段为0.38～1.1 μm.目前,该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合,构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台,已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验.应用情况表明,该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能,为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件. 展开更多
关键词 CCD cmos APS 辐射效应 抗辐射性能
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CMOS集成电路的功耗优化和低功耗设计技术 被引量：22
12
作者 钟涛 王豪才 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期106-112,共7页
总结了当前已发展出的各个层次的 CMOS低功耗设计技术和低功耗设计方法学的研究进展。重点介绍了时序电路的优化、异步设计、高层次电路设计和优化技术。
关键词 cmos 功耗优化 集成电路 低功耗设计
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一种高性能CMOS带隙电压基准源设计 被引量：25
13
作者 朱樟明 杨银堂 +1 位作者 刘帘曦 朱磊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期542-546,共5页
采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运... 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm. 展开更多
关键词 cmos 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿
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低照度CMOS图像传感器技术 被引量：36
14
作者 姚立斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第3期125-132,共8页
与其他固体微光器件相比,低照度CMOS图像传感器具有成本、功耗及体积优势,是固体微光器件发展的重要方向。但目前低照度CMOS图像传感器的微光性能还不能满足夜视应用要求。本文介绍了低照度CMOS图像传感器及提高其灵敏度的几种技术途径... 与其他固体微光器件相比,低照度CMOS图像传感器具有成本、功耗及体积优势,是固体微光器件发展的重要方向。但目前低照度CMOS图像传感器的微光性能还不能满足夜视应用要求。本文介绍了低照度CMOS图像传感器及提高其灵敏度的几种技术途径,采用低照度技术后CMOS图像传感器性能已接近实用要求。随着CMOS工艺技术的不断发展及低照度CMOS图像传感器研究的不断深入,在不远的将来,低照度CMOS图像传感器将成为固体微光器件的重要一员。 展开更多
关键词 图像传感器 低照度技术 cmos CCD
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基于数码相机的图像采集系统 被引量：18
15
作者 王永刚 卫保国 《测控技术》 CSCD 2000年第5期17-19,共3页
传统的以CCD摄像头和采集卡为核心的图像采集系统在视频采集的应用中 ,一直占有主导地位。但近年来 ,数码相机以其高分辨率、方便、快捷、处理软件丰富和高的性能价格比受到广泛关注。本文介绍了一种基于数码相机的图像采集系统及其相... 传统的以CCD摄像头和采集卡为核心的图像采集系统在视频采集的应用中 ,一直占有主导地位。但近年来 ,数码相机以其高分辨率、方便、快捷、处理软件丰富和高的性能价格比受到广泛关注。本文介绍了一种基于数码相机的图像采集系统及其相关技术 ,最后给出一个应用实例。 展开更多
关键词 图像采集系统 数码相机 图像输入设备 计算机
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一种10-ppm/~oC低压CMOS带隙电压基准源设计 被引量：21
16
作者 朱樟明 杨银堂 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第4期118-120,128,共4页
在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身... 在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身的电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC 0.35mm CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。 展开更多
关键词 cmos 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
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CMOS锁相环PLL的设计研究 被引量：20
17
作者 李桂华 孙仲林 吉利久 《半导体杂志》 2000年第3期30-37,共8页
在阅读大量锁相环近十年发表的英文文献的基础上 ,对锁相环的设计及特性做了深入的分析 ,并对锁相环的主要部件相频检测器和压控振荡器的结构和特性做了比较和总结。
关键词 锁相环 相频检测器 压控振荡器 cmos PLL 设计
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红外焦平面CMOS单元读出电路 被引量：23
18
作者 袁祥辉 吕果林 +1 位作者 黄友恕 李兵 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期123-126,共4页
研制出一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 差分放大器组成的电容反馈互导放大器（ Ｃ Ｔ Ｉ Ａ） 型红外焦平面读出电路，其输出端带有相关双取样（ Ｃ Ｄ Ｓ） 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表... 研制出一种 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 差分放大器组成的电容反馈互导放大器（ Ｃ Ｔ Ｉ Ａ） 型红外焦平面读出电路，其输出端带有相关双取样（ Ｃ Ｄ Ｓ） 电路。对读出电路的注入效率进行了计算机模拟。介绍了器件的设计与工艺分析。实验结果表明，在７７ Ｋ 下，读出电路的动态范围为６６ ｄ Ｂ，功耗典型值为０ ．５３ 毫瓦／ 展开更多
关键词 光电器件 红外焦平面阵列 cmos CTIA 读出电路 计算机模拟
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CMOS射频集成电路的研究进展 被引量：9
19
作者 张国艳 黄如 +1 位作者 张兴 王阳元 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期377-383,389,共8页
　近年来,射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解... 　近年来,射频集成电路(RFIC)的应用和研究得到了飞速的发展,CMOS射频IC的研究更是成为该领域的研究重点和热点。文章对CMOS技术在射频和微波领域的应用进行了详细的探讨,着重介绍了当前射频通讯中常用的收发机结构及其存在的问题和解决方案;分析了射频收发机前端关键电路模块低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)和射频关键无源元件的最新研究进展;展望了CMOS技术在射频领域的发展前景。 展开更多
关键词 cmos 射频集成电路 低噪声放大器 混频器 压控振荡器 功率放大器
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CMOS集成电路低功耗设计方法 被引量：14
20
作者 徐芝兰 杨莲兴 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期223-226,共4页
　近年来,功耗问题已成为VLSI设计,尤其是在电池供电的应用中必须考虑的重要问题之一。文章通过对CMOS集成电路功耗起因的分析,对CMOS集成电路低功耗设计方法[1]和设计工具进行了深入的讨论。
关键词 cmos 集成电路 低功耗设计
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