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场效应管设计
1
作者
郭晓丽
张宝才
马瑞芬
《山东电子》
1998年第4期28-29,共2页
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
关键词
场效应管
阈电压
输入阻抗
击穿电压
设计
下载PDF
职称材料
一类形如⊿u=(f)ug(u)的迭代解法
2
作者
吴克田
《计算机应用与软件》
CSCD
1991年第6期45-48,28,共5页
本文提出形如⊿u=f(u)g(u)的迭代解法,方法是有效的。其中f(u)对u 二阶可导且易求得形式简单的一阶导数。g(u)对u 只一阶可导,其一阶导数不易求得,或其一阶导数形式极其复杂。本文还给出了一个具体应用实例。
关键词
迭代解法
场效应晶体管
电势
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职称材料
PFWM120的设计与可靠性研究
3
作者
王世明
吴又生
邓柱兵
《光通信研究》
北大核心
1999年第5期50-54,共5页
本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－ １４０ 系统设计的一种高性能、高可靠性的１４０ Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。
关键词
PIN-FET组件
可靠性
PFWM120
设计
场效应器件
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职称材料
Ka波段功率PHEMT的设计与研制
被引量：
1
4
作者
郑雪帆
陈效建
+1 位作者
高建峰
王军贤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期266-273,共8页
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ...
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。
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关键词
场效应晶体管
PHEMT
异质结
毫米波
设计
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职称材料
大功率GaAs FET封装管壳的设计
5
作者
袁国强
《电子机械工程》
1994年第3期28-36,共9页
本文建立了GaAsFET封装管亮的微波模型。介绍了管壳等效电路模型参数的提取技术和管壳设计中的关键技术。
关键词
大功率
砷化镓
FET
封装
管壳
设计
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职称材料
题名
场效应管设计
1
作者
郭晓丽
张宝才
马瑞芬
机构
济南市半导体实验所
出处
《山东电子》
1998年第4期28-29,共2页
文摘
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
关键词
场效应管
阈电压
输入阻抗
击穿电压
设计
Keywords
FET Trans conductance Input impedance Breakdown voltage
分类号
TN386.02 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一类形如⊿u=(f)ug(u)的迭代解法
2
作者
吴克田
机构
上海市计算技术研究所
出处
《计算机应用与软件》
CSCD
1991年第6期45-48,28,共5页
文摘
本文提出形如⊿u=f(u)g(u)的迭代解法,方法是有效的。其中f(u)对u 二阶可导且易求得形式简单的一阶导数。g(u)对u 只一阶可导,其一阶导数不易求得,或其一阶导数形式极其复杂。本文还给出了一个具体应用实例。
关键词
迭代解法
场效应晶体管
电势
分类号
TN386.02 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PFWM120的设计与可靠性研究
3
作者
王世明
吴又生
邓柱兵
机构
武汉电信器件公司
出处
《光通信研究》
北大核心
1999年第5期50-54,共5页
文摘
本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－ １４０ 系统设计的一种高性能、高可靠性的１４０ Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。
关键词
PIN-FET组件
可靠性
PFWM120
设计
场效应器件
Keywords
PIN-FET module
design of reliable module
reliability test
分类号
TN386.02 [电子电信—物理电子学]
TN386.06
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职称材料
题名
Ka波段功率PHEMT的设计与研制
被引量：
1
4
作者
郑雪帆
陈效建
高建峰
王军贤
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期266-273,共8页
文摘
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输出功率大于２８０ ｍ Ｗ，功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ，增益大于６ ｄＢ。
关键词
场效应晶体管
PHEMT
异质结
毫米波
设计
Keywords
PHEMT Power Millimeter Wave Heterojunction Double δ Doping
分类号
TN386.02 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大功率GaAs FET封装管壳的设计
5
作者
袁国强
机构
上海航天局八○四所
出处
《电子机械工程》
1994年第3期28-36,共9页
文摘
本文建立了GaAsFET封装管亮的微波模型。介绍了管壳等效电路模型参数的提取技术和管壳设计中的关键技术。
关键词
大功率
砷化镓
FET
封装
管壳
设计
分类号
TN386.02 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
场效应管设计
郭晓丽
张宝才
马瑞芬
《山东电子》
1998
0
下载PDF
职称材料
2
一类形如⊿u=(f)ug(u)的迭代解法
吴克田
《计算机应用与软件》
CSCD
1991
0
下载PDF
职称材料
3
PFWM120的设计与可靠性研究
王世明
吴又生
邓柱兵
《光通信研究》
北大核心
1999
0
下载PDF
职称材料
4
Ka波段功率PHEMT的设计与研制
郑雪帆
陈效建
高建峰
王军贤
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
5
大功率GaAs FET封装管壳的设计
袁国强
《电子机械工程》
1994
0
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职称材料
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