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CdTe—ZnTe超晶格及其改进型结构一级声子喇曼散射分析
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作者 劳浦东 姚文华 +1 位作者 李杰 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期534-539,共6页
本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改... 本文通过对常规结构CdTe-ZnTe超晶格和新型结构[(CdTe)_2-(ZnTe)_1]×9-(CdTe)_(60)复合超晶格一级声子喇曼峰位置和线型实验上和理论上的综合比较分析,证明新型结构因减小了晶格失配而使超过临界厚度的ZnTe层结构完整性得到很大改善。分析中首次强调指出一级纵光学声子峰线型对该类超晶格结构分析的重要性。 展开更多
关键词 CDTE-ZNTE 超晶格 喇曼散射 结构
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滴定法测定硫化镉中的镉 被引量:3
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作者 翟步英 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期60-60,共1页
关键词 光敏材料 硫化镉 滴定法 测定
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CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量 被引量:6
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作者 张鹏 李子军 肖景林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 1999年第5期450-453,共4页
本文研究CdTe半导体中电子与表面光学(SO)声子及体纵光学(LO)声子—弱耦合的表面磁极化子的性质。采用改进的线性组合算符和微扰法计算了半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量;当计及电子在反冲效应中,发射和吸收不同波矢... 本文研究CdTe半导体中电子与表面光学(SO)声子及体纵光学(LO)声子—弱耦合的表面磁极化子的性质。采用改进的线性组合算符和微扰法计算了半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量;当计及电子在反冲效应中,发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时。 展开更多
关键词 碲化镉 磁极化子 弱耦合 微扰法 有效质量
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用改进的液相沉淀法制备ZnS纳米晶 被引量:16
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作者 翟永清 姚子华 +2 位作者 丁士文 安伟 翟建 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第1期97-100,共4页
以ZnSO4、(NH4)2S为原料,通过加入分散剂对传统的液相沉淀法进行改进,制备出ZnS的纳米粉末,并探讨了制备过程中沉淀、洗涤、干燥以及晶化等阶段的反应条件对产物的影响.结果表明:以丙三醇为分散剂、原料配比(n(ZnSO4)/n((NH4)2S)为1∶0 ... 以ZnSO4、(NH4)2S为原料,通过加入分散剂对传统的液相沉淀法进行改进,制备出ZnS的纳米粉末,并探讨了制备过程中沉淀、洗涤、干燥以及晶化等阶段的反应条件对产物的影响.结果表明:以丙三醇为分散剂、原料配比(n(ZnSO4)/n((NH4)2S)为1∶0 9、料液浓度比1∶1,c(ZnSO4)、c((NH4)2S)均为0 2mol/L时为沉淀适宜工艺条件;干燥前对沉淀物用无水乙醇进行脱水处理,可有效地控制硬团聚体的产生;沉淀经400~600℃晶化1h,可得立方晶形β-ZnS纳米晶,产物为均匀球形,分散性较好;400℃晶化的产物晶粒尺寸约为40nm;600℃晶化的产物晶粒尺寸约为50nm. 展开更多
关键词 液相沉淀法 制备 ZnS纳米晶 分散剂 硫化锌 半导体材料
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Dispersion and STM Characterization of Au-CdSe Nanohybrids on Au(111) 被引量:1
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作者 Bo Gao Yan-min Kuang +1 位作者 Yuan Liao Zhen-chao Dong 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2012年第2期231-234,I0004,共5页
We report the dispersion and scanning tunneling microscopy (STM) characterization of iso- lated Au-CdSe nanohybrids on atomically fiat Au(111) through surface modifications. The top terminal groups of spacer molec... We report the dispersion and scanning tunneling microscopy (STM) characterization of iso- lated Au-CdSe nanohybrids on atomically fiat Au(111) through surface modifications. The top terminal groups of spacer molecules self-assembled on the surface are found critical for locking the nanohybrids into a well-separated state. The STM results indicate that both thiol and carboxylic terminals are effective in this aspect by making strong interaction with the Au portions of the nanohybrids. An argon ion sputtering technique is also proposed to clean up organic contaminants on the surface for improved STM imaging of individual Au-CdSe nanohybrids. These observations help to enrich technical approaches to dispersing individual nanostructures on the surface and provide opportunities to explore their local electroluminescent and energy transfer properties at the nanoscale. 展开更多
关键词 Metal-semiconductor nanostructure Nanoparticle dispersion Sputter cleaning Scanning tunneling microscopy Plasmon-exciton coupling
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Ⅱ-Ⅵ族化合物(Hg_(1-x)Cd_xTe)非晶薄膜的半导体性质
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作者 曹宝成 刘明 戴国才 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期527-532,共6页
本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火... 本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。 展开更多
关键词 HGCDTE 非晶薄膜 光电性质
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ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱
7
作者 崔捷 陈云良 +1 位作者 王海龙 干福熹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期798-802,共5页
本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频... 本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数. 展开更多
关键词 ZnSe-ZnFe 应变层 超晶格
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合成CdS纳米材料的新方法 被引量:10
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作者 李文戈 戴洁 +2 位作者 卞国庆 杨巍 王昕 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期13-15,共3页
以硫代碳酸钠为原料 ,用室温液相反应合成出前驱物 Cd CS3 和 [Cd(en) 3 ]CS3 分别置于高压釜中 ,在适当温度和压力下分解 ,即得纳米 Cd S。用 X-射线粉末衍射 ,透射电镜对产物的组成、大小、形貌进行表征。结果表明 ,产物纳米 Cd S为... 以硫代碳酸钠为原料 ,用室温液相反应合成出前驱物 Cd CS3 和 [Cd(en) 3 ]CS3 分别置于高压釜中 ,在适当温度和压力下分解 ,即得纳米 Cd S。用 X-射线粉末衍射 ,透射电镜对产物的组成、大小、形貌进行表征。结果表明 ,产物纳米 Cd S为粒度分布均匀的六方晶形 ,晶粒大小约为 2 0 nm。其光催化活性翠蓝 KNL实验表明具有良好的光催化活性。 展开更多
关键词 CdCS3 [Cd(en)3]CS3 纳米粒子 硫化镉 室温液相合成 CDS 半导体材料
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ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光
9
作者 江风益 潘传康 +1 位作者 范广涵 范希武 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期640-648,共9页
本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,... 本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。 展开更多
关键词 半导体 超晶格 光致发光 单昌 薄膜
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海克斯康测量技术(青岛)有限公司PMM-C700P型三坐标测量机
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《现代制造》 2005年第15期140-140,共1页
来自著名的德国LEITZ品牌的PMM-C系列超高精度三坐标测量机将计量室的精度和高速度融为一体.从而提高了检测速度,降低了检测时间和成本,可快速采集数据和进行先进的高速扫描,为高效率的过程控制提供了最优化的检测报告。
关键词 三坐标测量机 有限公司 测量技术 P型 青岛 检测速度 超高精度 检测时间 高速扫描 采集数据 检测报告 过程控制 高速度 计量室 C系列 最优化 高效率
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沉积参数对ZnS体材料红外透过率的影响
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作者 憨勇 刘正堂 郑修麟 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期335-338,共4页
采用低压化学气相沉积法系统研究了H2S/Zn流量比、沉积温度、沉积速率及衬底材料对ZnS体材料红外透过率的影响规律,在本实验研究的条件下认为采用低的H2S/Zn流量比及低的沉积速率,适宜的沉积温度可以提高ZnS的透过... 采用低压化学气相沉积法系统研究了H2S/Zn流量比、沉积温度、沉积速率及衬底材料对ZnS体材料红外透过率的影响规律,在本实验研究的条件下认为采用低的H2S/Zn流量比及低的沉积速率,适宜的沉积温度可以提高ZnS的透过率。同时高沉积温度及高H2S/Zn流量比可减少ZnS对波长6.2μm光的吸收。在优化的工艺下获得了高红外透过率的ZnS体材料。 展开更多
关键词 化学气相沉积 体材料 透过率 硫化锌 沉积参数
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Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究 被引量:2
12
作者 彭浩 马莉 +2 位作者 林兆军 刘舒曼 王少阶 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 2000年第3期327-330,共4页
采用离子交换方法 ,在 Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为 5 %和 15 %的 Cd Se纳米团簇 ;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实 ,该制备过程是成功可行的 ,并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料 .采用正电子湮没寿... 采用离子交换方法 ,在 Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为 5 %和 15 %的 Cd Se纳米团簇 ;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实 ,该制备过程是成功可行的 ,并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料 .采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的 Cd Se粉末样品进行测量 。 展开更多
关键词 Y型沸石 纳米团簇 正电子湮没 组装 硒化镉
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Tuning zinc doping content to optimize optical and structural properties of Cd1-xZnxS buffer layers 被引量:1
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作者 XIE Xin XUE Yuming +3 位作者 Lü Chaoqun WANG Yifan WEN Binbin WANG Jiangchao 《Optoelectronics Letters》 EI 2023年第1期25-30,共6页
In this paper,Cd1-xZnxS thin films were prepared by chemical bath deposition(CBD),and the effects of different zinc doping content on the morphological structure and optical properties of Cd1-xZnxS buffer layers are s... In this paper,Cd1-xZnxS thin films were prepared by chemical bath deposition(CBD),and the effects of different zinc doping content on the morphological structure and optical properties of Cd1-xZnxS buffer layers are systematically discussed.The experimental results show that in the deposition process of different substrates,the crystal structure of the film is all hexagonal,and when the concentration of zinc sulfate(ZnSO4)precursor is varied from 0 to 0.025 M,the films are uniform and dense.With the increase of zinc content,the X-ray diffraction(XRD)peak of the films shifted behind that of CdS film(002).It showed 70%to 90%transmittance in the visible region and the optical band gap increased gradually.The band gap value of the films obtained ranged from 2.43 eV to 3.01 eV.It shows the potential feasibility of its application to photovoltaic devices. 展开更多
关键词 FILM FILMS PROPERTIES
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CZT Frisch栅探测器前置放大器的设计 被引量:1
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作者 施朱斌 桑文斌 +4 位作者 钱永彪 滕建勇 闵嘉华 樊建荣 刘积善 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期938-941,共4页
CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电... CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器,成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch栅探测器的前置放大器。并给出了测试结果。 展开更多
关键词 前置放大器 CZT Frisch电容栅器
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硫化锌薄膜的微结构剖析
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作者 柳兆洪 陈谋智 +4 位作者 孙书农 刘瑞堂 林爱清 邓彩玲 肖细凤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期97-100,共4页
用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒(Er)硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。
关键词 硫化锌 直流电致发光 微晶薄膜 稀土掺杂
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Synthesis and Analyses of Thermoelectric Lead Telluride
16
作者 Dmytro Freik Rasit Ahiska +5 位作者 Igor Gorichok Lyubomyr Nykyruy Natalia Dykun Kivilcim Aktas Selim Acar Gunay Ahiska 《材料科学与工程(中英文B版)》 2013年第1期32-39,共8页
关键词 合成模式 碲化物 电铅 SEEBECK系数 结构状态 化学成分 调查材料 技术因素
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ZnSe:A1深能级的研究
17
作者 王吉丰 黄锡珉 张志舜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期312-316,共5页
为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ee-0.33eV一个电子陷阱.然后,通过热扩散的方法,在300℃~700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体... 为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ee-0.33eV一个电子陷阱.然后,通过热扩散的方法,在300℃~700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中,结果发现存在Ee-0.33eV和Ee-0.70eV两个电子陷阱.本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和Ee-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论. 展开更多
关键词 电子陷阱 本征缺陷 深能级 硒化锌 掺杂
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量子点的应用——一种新型的荧光定量检测技术 被引量:1
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作者 徐飞 丁双阳 《中国兽医杂志》 CAS 北大核心 2007年第6期69-70,共2页
关键词 半导体量子点 荧光定量 检测技术 临界尺寸 三维空间
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在晶向偏离的GaAs(110)上生长ZnSe
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作者 晓晔 《电子材料快报》 1998年第10期11-12,共2页
关键词 砷化镓 Ⅱ-Ⅵ族 化合物半导体 ZNSE 生长
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我科学家合成世界首例单晶碲化物纳米带
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《化工科技市场》 CAS 2007年第4期63-64,共2页
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下,中国科学院长春应化所稀土化学与物理院重点实验室张洪杰研究员课题组,在一维碲化锑纳米材料合成方法的开发方面取得了重大突破,有关研究成果发表在近期的《美国化学会志》上... 在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下,中国科学院长春应化所稀土化学与物理院重点实验室张洪杰研究员课题组,在一维碲化锑纳米材料合成方法的开发方面取得了重大突破,有关研究成果发表在近期的《美国化学会志》上。这一研究成果为获得其它低维碲化物纳米结构材料提供了良好思路,所获得单晶碲化锑纳米带极有可能会具有更为优良热电性能。 展开更多
关键词 合成方法 碲化物 纳米带 单晶 科学家 国家自然科学基金 中国科学院 世界
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