激子效应对双曲型量子线中非线性光学吸收率的影响(英文) 被引量：14

1

作者 郭康贤 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第6期501-505,共5页

本文研究了双曲型量子线的三阶非线性光学吸收率，着重研究了激子对其影响，并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式．最后，以Ａ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ双曲型量子线为例作了数值计算．数值结果表明，当线宽增... 本文研究了双曲型量子线的三阶非线性光学吸收率，着重研究了激子对其影响，并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式．最后，以Ａ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ双曲型量子线为例作了数值计算．数值结果表明，当线宽增加时，激子效应对三阶非线性光学吸收率的影响越来越弱，特别是，当线宽接近于扩散长度时，激子效应将显著减弱． 展开更多

关键词 非线性光学吸收率 双曲型量子线 激子效应

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加偏置电场的抛物量子阱中的电光效应(英文) 被引量：14

2

作者 郭康贤 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第6期494-498,共5页

本文利用密度矩阵方法得到了加偏置电场的抛物量子阱中电光效应的解析表达式，并以典型的ＧａＡｓ抛物量子阱为例进行了数值计算研究结果表明，电光效应随偏置电场和抛物势频率的增大而增强。

关键词 电光效应 抛物量子阱 偏置电场 砷化镓

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非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文) 被引量：9

3

作者 王光辉 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1314-1317,共4页

本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较... 本文主要研究了一个特殊非对称量子阱中的二阶非线性光学极化率 ,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了二次谐波极化率的解析表达式 .最后 ,以典型的 Ga As/ Al Ga As非对称量子阱为例作了数值计算 .数值结果表明 ,较大的二次谐波极化率与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 。 展开更多

关键词 二次谐波极化率 非对称量子阱 密度矩阵方法 量子光学 二阶非线性光学极化率

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表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响(英文) 被引量：8

4

作者 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第5期391-395,共5页

本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响，并且导出了三次谐波振荡的表达式．然后，以ＧａＡｓ柱形量子线为例作了数值计算．研究表明，当柱形量子线的横向半径ｄ非常小时，电子和表面光学声子之间的... 本文利用密度矩阵方法研究了表面光学声子对柱形量子线中三次谐波振荡的影响，并且导出了三次谐波振荡的表达式．然后，以ＧａＡｓ柱形量子线为例作了数值计算．研究表明，当柱形量子线的横向半径ｄ非常小时，电子和表面光学声子之间的耦合强度就非常大，表面光学声子对三次谐波振荡的影响就更强． 展开更多

关键词 表面光学声子 三次谐波 柱形 量子线 量子光学

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Pschl-Teller势阱中线性与非线性光学吸收系数的计算(英文) 被引量：8

5

作者 谭鹏 李斌 +1 位作者 路洪 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期815-818,共4页

非对称性量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛关注 ,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义 考虑带间的电子弛豫 ,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl Tel... 非对称性量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛关注 ,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义 考虑带间的电子弛豫 ,用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了P schl Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式 通过调节P schl Teller势阱中两个可调参数κ和λ ,势阱的形状及其非对称性会随着κ和λ的取值不同而明显不同 ,从而其线性与非线性光学吸收系数的大小也会随势阱参数κ、λ和入射光强的变化而呈规律性的变化 。 展开更多

关键词 Poschl—Teller势阱 吸收系数 非线性光学 非对称性量子阱 密度矩阵算符理论

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非对称量子阱中线性和三阶非线性光吸收系数的研究 被引量：5

6

作者 王光辉 郭康贤 郭旗 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期429-433,共5页

主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表... 主要研究了一个特殊非对称量子阱中的线性和三阶非线性光吸收系数。首先利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法导出了线性和三阶非线性光吸收系数的表达式,然后以典型的非对称量子阱GaAs/AlGaAs材料为例作了数值计算。数值结果表明,入射光强以及系统的非对称性对总的光吸收系数有比较大的影响,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多

关键词 非线性光学 非线性光吸收系数 非对称量子阱 密度矩阵方法

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Pschl-Teller势阱中的光整流效应 被引量：5

7

作者 谭鹏 郭康贤 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期170-173,共4页

本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整... 本文用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的解析表达式 .考虑到在 Po　¨ schl- Teller势阱中存在两个可调参量 k和 λ,并且势阱的形状随着 k和 λ取值的不同而明显不同 ,从而其光整流系数也发生相应的变化 .因此我们可以通过调节 k和 λ的取值而获得 Po　¨ schl- Teller势阱中的光整流系数的变化规律 ,并找到其最大值 。 展开更多

关键词 Poeschl-Teller势阱 光整流效应 密度矩阵算符 量子力学 非线性光学

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Morse势阱中子带间的光吸收(英文) 被引量：5

8

作者 于凤梅 郭康贤 +1 位作者 谢洪鲸 俞友宾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期247-252,共6页

研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出... 研究了Morse势阱中子带间的光吸收 ,并且利用密度矩阵算符理论和迭代方法 ,推导出了线性和三阶非线性子带间的光吸收系数的解析表达式 ,然后以GaAs/AlGaAsMorse势阱为例进行数值计算。结果表明 ,线性吸收系数是正的 ,为总吸收系数作出积极的作用 ,而三阶非线性吸收为负 ,抵消了一部分线性吸收 ,进而得到总的吸收系数 ;吸收系数随着入射光强度的增大而减小 ,即出现吸收饱和现象 ;当势阱参数a增大时 ,吸收系数增大 ,即阱宽较窄时 ,系统吸收的能量较多。若要获得较大的光学吸收系数 ,就要输入较小的光场强度 ,并选择适当的势阱参数a和入射光频率。 展开更多

关键词 MORSE势阱 光吸收系数 密度矩阵算符理论 迭代方法 子带间

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Morse势阱中线性和三阶非线性光折射率的改变 被引量：4

9

作者 于凤梅 郭康贤 王克强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期569-574,共6页

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势... 利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法,导出莫尔斯(Morse)势阱中线性和三阶非线性光折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/A lGaAsMorse势阱为例进行数值计算。数值结果表明,随着入射光强度增强,总的折射率改变将减少;随着势阱参数a的增大,总的折射率改变将减小;而随着载流子浓度的增加,总的折射率改变将增加。结果表明要获得较大的折射率改变,则需选取较小的入射光强度,较小的参数a,较大的载流子浓度,从而为实验研究提供理论依据。 展开更多

关键词 非线性光学 光折射率改变 MORSE势阱 密度矩阵方法

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电子-声子相互作用对柱形量子线中光学克尔效应的影响(英文) 被引量：4

10

作者 郭康贤 陈传誉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期180-183,共4页

本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔... 本文利用密度矩阵方法研究了柱形量子线中的光学克尔效应,重点讨论了电子-声子相互作用对其的影响,并以GaAs量子线为例进行了数值计算。结果显示,随着量子线半径R0的减小,光学克尔效应会逐渐增强;考虑了电子-声子相互作用时的光学克尔效应比未考虑电子-声子相互作用时的大20%多;量子线半径R0越小,峰越尖锐,峰值越强;当量子线半径R0大于40nm时,峰会逐渐消失. 展开更多

关键词 光学克尔效应 量子线 电子-声子相互作用

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Pschl-Teller势阱中二次谐波产生系数的计算(英文) 被引量：3

11

作者 谭鹏 李斌 +1 位作者 路洪 郭康贤 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期661-665,共5页

二阶非线性光学效应是非线性光学中人们发现最早,研究最多,应用最广的一个课题。在非对称性势阱中,二次谐波产生系数与势阱的形状及其非对称性程度有很大的关系。本文用量子力学中密度矩阵算符理论导出了Poschl-Teller势阱中二次谐波产... 二阶非线性光学效应是非线性光学中人们发现最早,研究最多,应用最广的一个课题。在非对称性势阱中,二次谐波产生系数与势阱的形状及其非对称性程度有很大的关系。本文用量子力学中密度矩阵算符理论导出了Poschl-Teller势阱中二次谐波产生系数和解析表达式。考虑到在Poschl-Teller势阱中有两个可调参数κ和λ,并且势阱的形状与对称性随κ和λ取值的不同而明显不同,因此我们可以通过调节κ和λ的取值而获得Poschl-Telle势阱中的二次谐波产生系数的变化规律,并找到其最大值,从而为实验提供必要的研究方向与理论依据。 展开更多

关键词 Poschl-Teller势阱 二次谐波 产生系数 非线性光学效应

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一种圆环LED侧入式背光模组设计 被引量：3

12

作者 周英初 郭康贤 肖波 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期446-451,共6页

侧入式背光板能有效地减少显示背光模组的厚度和背光所需的LED光源数目,为获得均匀照度的侧入背光模组,介绍一种圆环侧入式导光板结构。推导导光板中网点的设计规律,得到圆环侧入式导光板的网点大小的分布函数。利用VBA语言编程在CAD中... 侧入式背光板能有效地减少显示背光模组的厚度和背光所需的LED光源数目,为获得均匀照度的侧入背光模组,介绍一种圆环侧入式导光板结构。推导导光板中网点的设计规律,得到圆环侧入式导光板的网点大小的分布函数。利用VBA语言编程在CAD中生成网点分布,结合软件模拟分析,验证了导光板显示区域中光照亮度均匀性达到90%以上,满足了侧入式背光模组中圆环形导光板工程设计上的要求。 展开更多

关键词 LED 导光板 散射网点

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实现导光板网点合理性分布的研究 被引量：3

13

作者 康敏武 郭康贤 +2 位作者 刘佐濂 张志海 彭超 《广州大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第2期25-29,共5页

针对镭射型导光板网点设计需求,提出了采用区域分割法及斥力缓和法来实现网点的合理分布.设计了一种网点密度分布物理模型,利用该模型控制导光板网点按照LED的光学特点分布.镭射型导光板网点的设计难以控制半径和深度按图案规律变化,只... 针对镭射型导光板网点设计需求,提出了采用区域分割法及斥力缓和法来实现网点的合理分布.设计了一种网点密度分布物理模型,利用该模型控制导光板网点按照LED的光学特点分布.镭射型导光板网点的设计难以控制半径和深度按图案规律变化,只能是通过调节其网点密度来实现网点分布合理化,通过区域分割法生成网点并且使用斥力缓和法对网点进行微调,最后得到了高均匀性的无规则网点分布,将调整前的网点分布和调整后的网点分布进行对比得出斥力缓和法是一种调整网点间距的有效方法.针对区域分割方法生成网点容易出现区域边界过渡带的问题,使用重新中分法,使得区域边界的过渡带问题得到了有效的解决,这对于控制背光模组的光学效果具有重要的意义. 展开更多

关键词 背光模组 VBA开发 区域分割法 斥力缓和法

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量子盘中的三阶非线性光学极化率 被引量：2

14

作者 刘翠红 郭康贤 +1 位作者 陈传誉 马本堃 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期135-138,共4页

利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率 ,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式 ,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明 ,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且 ,选取适当... 利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率 ,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式 ,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明 ,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且 ,选取适当的参量 ,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。 展开更多

关键词 三阶非线性光学极化率 量子盘 密度矩阵算符 半导体

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DC/DC电源模块散热器的设计及热分析 被引量：2

15

作者 舒浙伟 郭康贤 彭超 《电子产品世界》 2012年第1期55-57,共3页

温度是影响DC/DC电源电路可靠性的重要因素之一。高、低温及其循环会对大多数电子元器件产生严重影响。它会导致电子元器件的失效,进而造成电源整机的失效。多芯片模块(MCM)和高密度三维组装技术的出现使得电子设备的热流密度越来越高... 温度是影响DC/DC电源电路可靠性的重要因素之一。高、低温及其循环会对大多数电子元器件产生严重影响。它会导致电子元器件的失效,进而造成电源整机的失效。多芯片模块(MCM)和高密度三维组装技术的出现使得电子设备的热流密度越来越高。科学合理地设计电子设备以满足其热性能的要求在电源模块设计中至关重要。热管具有一种高效的传热能力,配以合理散热鳍片,将提高散热器的散热效果。本文以数值传热理论为基础,通过3D设计软件Solidworks建立一套DC/DC电源模块的散热器模型,并利用热流分析软EFD.Pro对电源模块进行热分析仿真技术研究。 展开更多

关键词 DC/DC电源模块 EFD.Pro 热管 热分析

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加偏置电场的双曲线量子阱中的光整流效应(英文) 被引量：2

16

作者 谭鹏 郭康贤 路洪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期812-815,共4页

用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以... 用量子力学中密度矩阵算符理论导出了加偏置电场的双曲线量子阱中光整流系数的解析表达式.并以典型的GaAs双曲线量子阱为例进行了数值计算。研究结果表明,该势阱中的光整流系数与势阱的形状和偏置电场的强度有关。通过调节势阱参量a以及外加偏置电场,在该势阱中可获得一个大的光整流系数. 展开更多

关键词 非线性光学 双曲线量子阱 密度矩阵方法 光整流效应

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一种特殊的非对称量子阱中的光整流效应 被引量：1

17

作者 俞友宾 郭康贤 于凤梅 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期283-286,共4页

运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在... 运用量子力学密度矩阵算符理论,推导出在一种特殊非对称量子阱中的光整流系数的解析表达式。最后利用典型的GaAs/AlGaAs非对称量子阱进行数值计算,得到了系统的非线性光整流效应和量子阱的非对称性以及入射光子能量之间的变化规律,并在此特殊量子阱中得到了较大的光整流系数,从而为实验上制作较好的非线性材料提供了一种可行的途径。 展开更多

关键词 非线性 密度矩阵 光整流效应 量子力学密度矩阵 量子阱

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有限深V型势阱中总折射率的改变(英文) 被引量：2

18

作者 陆志恩 郭康贤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1001-1004,共4页

研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大&#... 研究了有限深V型势阱折射率改变,并且利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代法导出了一次,三次谐波极化率系数·最后,以GaAs有限深V型势阱为例作了数值计算·数值结果表明,减少入射光强度,或增加电子浓度使总折射率改变变大· 展开更多

关键词 有限V型势阱 光折射率 谐波产生

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双三角量子阱中线性及非线性折射率的改变(英文) 被引量：2

19

作者 郭康贤 陈彬 《广州大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第2期6-12,共7页

利用密度矩阵理论和迭代方法,研究了双三角量子阱中线性、非线性及总折射率改变的特性并以典型的GaAs/A lxGa1-xAs材料为例进行了数值计算.重点讨论了入射光强度、双三角量子阱结构参量(量子阱宽)及外加电场对总折射率改变的影响.计算... 利用密度矩阵理论和迭代方法,研究了双三角量子阱中线性、非线性及总折射率改变的特性并以典型的GaAs/A lxGa1-xAs材料为例进行了数值计算.重点讨论了入射光强度、双三角量子阱结构参量(量子阱宽)及外加电场对总折射率改变的影响.计算结果表明:由于线性及非线性折射率遵循着不同的变化规律导致了这些参量对总折射率的改变有着极其重要的影响. 展开更多

关键词 折射率改变 双三角量子阱 量子受限效应

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电子有效质量随位置变化的半导体量子阱中的光学整流(英文) 被引量：2

20

作者 刘翠红 郭康贤 +1 位作者 陈传誉 马本堃 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第11期965-969,共5页

本文利用坐标变换和密度矩阵等方法，导出了电子有效质量随位置变化的量子阱中光学整流系数的解析表达式． 数值结果表明，较大的光学整流系数与系统的非对称性和光子能量有关．

关键词 光学整流 非对称 量子阱 半导体 电子质量

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