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2.09μm纳秒钬激光抽运的磷锗锌光参量振荡器 被引量:12
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作者 王礼 杨经纬 +4 位作者 蔡旭武 王金涛 海信 先友 江海河 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期37-40,共4页
高脉冲能量中红外激光在远程大气探测和目标识别中有着重要的应用,为了获得高脉冲能量的中红外激光输出,选用自主生长的ZnGeP2(ZGP)晶体作为中红外参量非线性晶体,晶体采用Ⅰ型相位匹配,切割角度为55°,利用自行研制的2.09μm La3Ga... 高脉冲能量中红外激光在远程大气探测和目标识别中有着重要的应用,为了获得高脉冲能量的中红外激光输出,选用自主生长的ZnGeP2(ZGP)晶体作为中红外参量非线性晶体,晶体采用Ⅰ型相位匹配,切割角度为55°,利用自行研制的2.09μm La3Ga5SiO14(LGS)电光调QCr,Tm,Ho…YAG激光器作为ZGP光参量振荡器(OPO)的抽运源。光参量振荡器采用对抽运光具有反射的双程抽运结构以提高转换效率,采用脉宽约35ns的2.09μm调Q钬激光直接抽运ZGP-OPO,在单谐振振荡结构下获得了脉冲能量为5.9mJ的4.8μm中红外激光输出,光-光转换效率为13.1%,斜率效率为17%;在双谐振振荡结构下获得了脉冲能量为9mJ的3.7μm和4.8μm中红外激光输出,光-光转换效率为23.9%,斜率效率为26.7%。 展开更多
关键词 激光器 中红外激光 光参量振荡器 ZNGEP2 电光调Q Cr Tm HoYAG
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红外非线性晶体ZnGeP_2的生长及品质研究 被引量:9
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作者 海信 倪友保 +4 位作者 耿磊 毛明生 王振友 程干超 杨琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期507-511,共5页
采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达15×70mm3。对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μ... 采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达15×70mm3。对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α=0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频。 展开更多
关键词 ZNGEP2 非线性光学晶体 CO2激光器 倍频
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中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究 被引量:9
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作者 海信 黄飞 +3 位作者 倪友保 王振友 陈林 程干超 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期711-715,共5页
红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生... 红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视。采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Φ19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3~20μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm^(-1),品质良好,已能满足激光实验要求。 展开更多
关键词 材料 CDSE 温度梯度熔体区熔法 单晶生长 非线性
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红外非线性晶体材料AgGa_(1-x)In_xSe_2的生长和性能表征 被引量:5
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作者 海信 张维 +3 位作者 石奇 毛明生 程干超 杨琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期408-411,共4页
AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配。我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了35mm×... AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配。我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了35mm×50mm的AgGa1 xInxSe2单晶棒。对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试。晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好。用一台TEACO2激光泵浦一块5×6×16mm3 的AgGa1 xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光。 展开更多
关键词 硒铟镓银晶体 非线性光学晶体 布里奇曼法 倍频
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用于红外变频的大尺寸AgGaS_2晶体生长 被引量:5
5
作者 海信 程干超 +1 位作者 杨琳 毛明生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期13-15,共3页
在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2 晶体元件。我们采用改进的Bridgman方法生长直径 2 8mm、长度 6 0~ 80mm的晶体棒。成功生长的关键是要采用C向籽晶。 [0 0 1]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺... 在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2 晶体元件。我们采用改进的Bridgman方法生长直径 2 8mm、长度 6 0~ 80mm的晶体棒。成功生长的关键是要采用C向籽晶。 [0 0 1]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺陷。在Ag2 S共存下的热处理能有效地排除晶体中的异相沉淀 ,显著改善透明度。我们制备的Ⅰ型相位匹配 8mm× 10mm× 16mm和 5mm× 5mm× 15mmAgGaS2 晶体元件分别成功地应用于差频、和频激光实验。 展开更多
关键词 红外变频 大尺寸 AgGaS2晶体 晶体生长 差频 和频 硫镓银半导体化合物
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新型AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体用于CO_2激光倍频研究 被引量:4
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作者 海信 石奇 +3 位作者 张维 毛明生 程干超 杨琳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期85-90,共6页
本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算。基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量... 本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算。基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9~19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程。计算和描绘了I型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线。并标出我们的倍频实验数据。在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe:相位匹配角日及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍。 展开更多
关键词 非线性晶体 倍频 TEA CO2激光 AgGa1-xInxSe2 非临界相位匹配(NCPM)
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基于“辨状论质”结合指纹图谱的杜仲药材质量等级标准研究 被引量:4
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作者 周正宗 吕尚 +4 位作者 金浩鑫 杨华杰 柳瑾 海信 饶毅 《中药新药与临床药理》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期668-674,共7页
目的基于“辨状论质”建立杜仲药材质量等级标准,并通过高效液相色谱(HPLC)指纹图谱对不同等级药材进行评价。方法以28批杜仲药材为研究对象,测定外在性状(厚度、杜仲胶、皮长、皮宽、内表皮颜色)和内在质量指标性成分(松脂醇二葡萄糖... 目的基于“辨状论质”建立杜仲药材质量等级标准,并通过高效液相色谱(HPLC)指纹图谱对不同等级药材进行评价。方法以28批杜仲药材为研究对象,测定外在性状(厚度、杜仲胶、皮长、皮宽、内表皮颜色)和内在质量指标性成分(松脂醇二葡萄糖苷、京尼平苷酸、京尼平苷和京尼平含量),并进行Pearson相关性分析,结合主成分分析、正交偏最小二乘判别分析和K-均值聚类分析筛选指标,建立杜仲药材质量等级标准。建立28批杜仲药材的HPLC指纹图谱,运用系统聚类分析对不同等级的杜仲药材进行质量评价。结果相关性分析表明,杜仲胶含量及药材规格大小与杜仲内在质量无显著性相关,指标筛选确定厚度、松脂醇二葡萄糖苷、京尼平苷酸为等级划分的关键指标,结合市场实际情况,制定了杜仲一等、二等、统货的质量等级标准。建立的杜仲药材HPLC指纹图谱中有10个共有峰,以共有峰面积进行聚类分析可将不同等级杜仲药材明显分为3类,表明该标准可体现不同等级间的药材质量。结论所建立的质量等级标准不仅从外观性状上对杜仲进行了等级评价,同时在其内在质量差异上进行了表征,可为相关标准的建立提供参考。 展开更多
关键词 杜仲 质量等级 高效液相色谱 指纹图谱 外在性状 内在质量 相关性
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中长波Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe激光晶体生长及元件制备
8
作者 黄昌保 胡倩倩 +5 位作者 朱志成 李亚 毛长宇 徐俊杰 海信 倪友保 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期551-553,共3页
本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm... 本文采用自主研发的双温区真空石墨加热单晶炉,通过钼坩埚密封布里奇曼法成功生长出了Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体,晶体尺寸达Φ51 mm×110 mm。Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体分别在1400~2400 nm和2500~5200 nm波段存在明显的吸收,同时,Cr^(2+)∶CdSe晶体和Fe^(2+)∶CdSe晶体在7~15μm波段透过率均接近CdSe晶体透过极限(~70%),换算吸收系数约为0.005 cm^(-1)。采用钼坩埚密封布里奇曼法制备的Cr^(2+)/Fe^(2+)∶CdSe晶体具有过渡金属离子掺杂浓度可控、掺杂均匀、晶体品质高等优点,可同时作为中波红外激光晶体和长波红外非线性光学晶体材料。 展开更多
关键词 中远红外激光 非线性光学晶体 激光晶体 过渡金属掺杂 CdSe晶体 晶体生长 布里奇曼法
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连续波可调谐CO_2激光在AgGaSe_2中倍频研究 被引量:3
9
作者 海信 张维 +4 位作者 陶德节 程干超 杨琳 魏合理 毛明生 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期440-443,共4页
在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23-10.65μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出。实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1μW,相位匹配接... 在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23-10.65μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出。实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1μW,相位匹配接收外角△θ外·L=2.1°·cm。 展开更多
关键词 非线性光学 连续波(CW)CO2激光 AgGaSe2晶体 倍频
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基于实验参数的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)中红外激光理论研究
10
作者 余学舟 黄昌保 +7 位作者 海信 胡倩倩 刘国晋 李亚 朱志成 祁华贝 倪友保 王振友 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期72-81,共10页
基于加工出的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体元件的吸收光谱测试以及Judd-Ofelt理论计算数据,通过互易法计算出各发光能级间的荧光吸收与发射截面.通过测试与计算得到的数据,数值模拟了采用1.3μm和1.7μm泵浦源直接抽运Dy^(3+),Na^(... 基于加工出的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体元件的吸收光谱测试以及Judd-Ofelt理论计算数据,通过互易法计算出各发光能级间的荧光吸收与发射截面.通过测试与计算得到的数据,数值模拟了采用1.3μm和1.7μm泵浦源直接抽运Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体产生4.3μm中红外激光的实验方案.计算分析了激光功率、增益和吸收系数在晶体内的空间分布,分析比较了泵浦光功率、元件长度和输出镜反射率对输出功率的影响.模型中在光路中引入2.9μm级联激光振荡,以此抽运因为4.3μm发光堆积在能级^(6)H_(13/2)上的粒子数,发现其可以有效降低能级^(6)H_(11/2)到^(6)H_(13/2)跃迁的自终止效应,提高激光输出功率.计算结果表明:采用1.3μm和1.7μm泵浦源,当功率都为4 W时,最大的输出功率分别为103 mW和315 mW,斜率效率可达到2.8%和8.0%.数值模拟的结果对下一步晶体元件的改良加工以及光路搭建参数的选取提供了一定的指导意义. 展开更多
关键词 中红外激光 数值模拟 PbGa_(2)S_(4) 晶体
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新型红外非线性硒镓钡多晶的合成与提纯研究
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作者 周强 王振友 +6 位作者 海信 黄昌保 倪友保 余学舟 胡倩倩 刘国晋 魏玲莉 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期822-829,共8页
硒镓钡晶体(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)是目前广受关注的一种新型红外非线性晶体。本文分别采用双温区法和高压辅助法合成硒镓钡多晶原料,并设计大温度梯度快速提纯方法对合成后的多晶料进行提纯。通过粉末X射线衍射仪(XRD)、电感耦合等离子... 硒镓钡晶体(BaGa_(4)Se_(7),BGSe)是目前广受关注的一种新型红外非线性晶体。本文分别采用双温区法和高压辅助法合成硒镓钡多晶原料,并设计大温度梯度快速提纯方法对合成后的多晶料进行提纯。通过粉末X射线衍射仪(XRD)、电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)和X射线能谱仪(EDS)对提纯前后的BGSe多晶的物相组成和杂质浓度进行了表征。X射线衍射谱与理论模拟图谱结果一致,无杂峰;ICP-MS等测试结果表明,提纯后晶锭中的Fe、Al等金属杂质以及O杂质含量均得到明显降低。本工作可为高品质单晶生长提供原料基础。 展开更多
关键词 材料 多晶合成 双温区法 高压辅助法 大温度梯度提纯 红外非线性晶体
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改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶 被引量:4
12
作者 张春丽 海信 +3 位作者 倪友保 黄昌保 王振友 陈诗静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期33-37,共5页
采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量... 采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T>65%,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。 展开更多
关键词 气相升华法 晶体生长 CdSe晶体 性能检测
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AgGaS_2晶体的参量上转换在红外辐射探测中的应用 被引量:2
13
作者 程干超 杨琳 +1 位作者 海信 程宁 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期51-53,60,共4页
本文介绍了AgGaS2晶体对红外辐射讯号的参量上转换及其在脉冲CO2激光雷达探测中的应用。评价了AgGaS2作为上转换材料的若干特色。
关键词 AgGaS_2晶体 参量上转换 红外探测
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新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成 被引量:3
14
作者 海信 王振友 +3 位作者 倪友保 耿磊 毛明生 黄飞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1370-1373,共4页
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4... 本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法。对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶。使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论。 展开更多
关键词 AgGaGeS4 多晶合成 二温区 气相输运
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改进垂直布里奇曼法生长硒化镓单晶(英文) 被引量:3
15
作者 黄昌保 倪友保 +3 位作者 海信 王振友 程旭东 肖瑞春 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期557-560,共4页
当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19mm×65mm硒化镓单晶。X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FT-IR)分别用于测量晶体的结晶度和光学性质。红外... 当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19mm×65mm硒化镓单晶。X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FT-IR)分别用于测量晶体的结晶度和光学性质。红外测试表明,硒化镓晶体透过波谱较宽(0.65-16μm)和吸收系数较低(〈0.3cm-1)。 展开更多
关键词 布里奇曼技术 非线性光学晶体 固化界面
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AgGaGeS_4晶体生长及性能研究 被引量:3
16
作者 王振友 海信 +3 位作者 倪友保 毛明生 黄飞 陈林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期25-28,共4页
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5~9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7~7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件... 采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5~9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7~7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。 展开更多
关键词 AgGaGeS4晶体 布里奇曼法 倍频 损伤阈值
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红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成 被引量:3
17
作者 戚鸣 海信 +3 位作者 王振友 黄昌保 倪友保 张春丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期868-871,891,共5页
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs_2多晶的纯度和质量。本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀... 高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs_2多晶的纯度和质量。本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs_2多晶料。经X射线粉末衍射分析和晶胞精修表明样品为高纯、单相CdGeAs_2多晶。 展开更多
关键词 CdGeAs2 镀碳 多晶合成 双温区 晶胞精修
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单晶AgGaSe_2红外倍频器 被引量:3
18
作者 程干超 杨琳 +2 位作者 史保森 海信 程宁 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期214-218,共5页
采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф20×80mmAsGaSe2单晶体。经过Ag2Se共存下退火的样品,其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了Ⅰ型和Ⅱ型红外倍频器的角度调谐特性曲线,利用上述晶体制备了10.6... 采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф20×80mmAsGaSe2单晶体。经过Ag2Se共存下退火的样品,其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了Ⅰ型和Ⅱ型红外倍频器的角度调谐特性曲线,利用上述晶体制备了10.6μm辐射的Ⅰ型相位匹配倍频器。在一台TEACO2激光器的10.6μm信频实验中测得相位匹配角为56.1°,接收角参数△θ·L为1.04°·cm。 展开更多
关键词 红外倍频器 相位匹配 砷镓银晶体
原文传递
高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究 被引量:2
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作者 倪友保 陈诗静 +3 位作者 海信 张春丽 黄昌保 王振友 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1203-1208,共6页
硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行... 硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。 展开更多
关键词 硒化镉 多晶合成 Ⅱ-Ⅵ族半导体
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水平温梯冷凝法生长ZnGeP_2单晶 被引量:2
20
作者 海信 陈林 +3 位作者 王振友 黄飞 倪友保 毛明生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期152-154,158,共4页
采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试... 采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2~8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。 展开更多
关键词 磷锗锌 水平温梯冷凝法 X射线粉末衍射 红外透过率 热导率
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