摘要
半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。
The GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures for infrared detector has been rapidily developing in recent years。This paper summarises the development in GaAs/AlGaAs single-infrared detectors,with the empha- sis on new achievement for the GaAs/AlGaAs infrared detecting and hybrid focal plane arrays.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期25-34,共10页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
量子阱结构
红外探测器
半导体材料
GaAs/AlGaAs Quantum Well Structure
Infrared Detector
Infrared Detecting Array
Hybrid Focal Plane Array
