深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计(上)

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摘要随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yield),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI-Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。

作者李逍波潘松

机构地区上海海尔集成电路公司

出处《中国集成电路》 2004年第2期68-78,共11页 China lntegrated Circuit

关键词深亚微米工艺集成电路电磁兼容性设计电磁干扰噪声

分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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