摘要
研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面 Cr的含量 .结果表明在三种重掺硅中 ,HB硅片的内吸杂能力最强 ,HAs硅片次之 。
s:The inner gettering (IG) ability of heavily-doping silicon for Cr is investigated.After contaminating different concentration of Cr,the samples are three-step high-low-high IG annealing;the concentrations of Cr are measured by TRXF.It is concluded that the IG ability of boron heavily-doped wafer for Cr is the strongest.
基金
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 )~
关键词
重掺直拉硅
氧沉淀
内吸杂
heavily-doped Czochralski silicon
oxygen precipitation
inner gettering
