VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统

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摘要本文首先针对半导体可靠性测试项目——电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍。第二部分主要介绍自制电迁移自动测试系统开发的目的,并比较国外进口电迁移自动测试系统的效率,最后以实验证明自制电迁移自动测试系统的性能和功能可以取代进口的同类产品,达到降低企业成本及节省产品验证时程的目的。

作者胡子信陈胜福董伟淳

机构地区中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

出处《中国集成电路》 2004年第1期71-75,78,共6页 China lntegrated Circuit

关键词半导体 VLSI 电迁移效应可靠性失效判定自动测试系统

分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]

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