期刊文献+

高占空比大功率激光器阵列 被引量:3

High Duty-cycle High Power Semiconductor Laser Array
原文传递
导出
摘要 设计并研制了 1cm长折射率渐变分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW)单条激光器阵列。占空比为 2 0 % ,在70A工作电流下 ,输出功率达到 6 1.8W ,阈值电流密度为 2 2 0A/cm2 ,斜率效率为 1 1W/A ,激射波长为 80 8 2nm。 High duty-cycle high power 1 cm-bar laser array has been gained. The duty-cycle achieves 20%. The output power is up to 61.8 W at 70 A. The threshold current density J_ th is 220 A/cm 2 and the slope efficiency η_s is 1.1 W/A. The laser wavelength is 808.2 nm.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期22-24,共3页 Chinese Journal of Lasers
关键词 激光技术 高占空比 大功率 半导体激光器 大功率激光器 laser technique high duty-cycle high power semiconductor laser array
  • 相关文献

参考文献4

  • 1John G. Endriz, Mitral Vakili, Gerald S. Brower et al.. High power diode laser arrays [J]. IEEE J. Quantum Electron.,1992, 28(4) :952~965. 被引量:1
  • 2X. He, A. Ovtchinnikov, S. Yang et al.. Efficient high power reliable InGaAs/AlGaAs (940 nm) monolithic laser diode arrays[J]. Electron. Lett. , 1999, 35(20):1739-1740. 被引量:1
  • 3Robert V. Steele. Review and forecast of the laser markets part Ⅱ : diode lasers [J]. Laser Focus World, 2002, 38(2):61-72. 被引量:1
  • 4M. Sakamoto, J. G. Endriz, D. R. Scifres. 120 W CW output power from monolithic AlGaAs (800 nm) laser diode array mounted on diamond heatsink [J]. Electron. Lett. , 1992, 28(2) :197-199. 被引量:1

同被引文献19

引证文献3

二级引证文献12

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部