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PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位

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摘要 氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位,GaN器件正在向各应用领域渗透着。
出处 《世界电子元器件》 2019年第9期31-33,共3页 Global Electronics China
关键词 氮化镓 PI
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